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CasaCentro di prodottiProdotti a semiconduttore discretiTransistor-FET, MOSFET-matriciVMM300-03F
IXYS
Le immagini sono solo di riferimento, si prega di fare riferimento alle specifiche per ulteriori informazioni sul prodotto.

VMM300-03F - IXYS

fabbricante Modello di prodotti
VMM300-03F
fabbricante
IXYS Corporation
Allelco Modello di prodotti
32D-VMM300-03F
Modello ECAD
Descrizione delle parti
MOSFET 2N-CH 300V 290A Y3-DCB
Descrizione dettagliata
Pacchetto
Y3-DCB
Scheda dati
VMM300-03F.pdf
Stato RoHS
In magazzino: 5480

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Quantità

Specifiche

Specifiche tecnologiche VMM300-03F
Specifiche tecniche IXYS - VMM300-03F, attributi, parametri e parti con specifiche simili ad IXYS - VMM300-03F

Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
fabbricante IXYS Corporation  
Vgs (th) (max) a Id 4V @ 30mA  
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)  
Contenitore dispositivo fornitore Y3-DCB  
Serie HiPerFET™  
Rds On (max) a Id, Vgs 8.6mOhm @ 145A, 10V  
Potenza - Max 1500W  
Contenitore / involucro Y3-DCB  
Pacchetto Box  
Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
temperatura di esercizio -40°C ~ 150°C (TJ)  
Tipo montaggio Chassis Mount  
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 40000pF @ 25V  
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 1440nC @ 10V  
Caratteristica FET -  
Tensione drain-source (Vdss) 300V  
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 290A  
Configurazione 2 N-Channel (Dual)  
Numero di prodotto di base VMM300  

Componenti con specifiche simili

Le tre parti sulla destra hanno specifiche simili a quelle di IXYS VMM300-03F

Proprietà del prodotto VMM300-03F VMM85-02F VMM90-09F VMM650-01F
Modello di prodotti VMM300-03F VMM85-02F VMM90-09F VMM650-01F
fabbricante IXYS IXYS IXYS IXYS
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 1440nC @ 10V 450nC @ 10V 960nC @ 10V 1440nC @ 10V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 40000pF @ 25V 15000pF @ 25V - -
Serie HiPerFET™ HiPerFET™ HiPerFET™ HiPerFET™
Contenitore dispositivo fornitore Y3-DCB Y4-M6 Y3-Li Y3-Li
Contenitore / involucro Y3-DCB Y4-M6 Y3-Li Y3-Li
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Caratteristica FET - - - -
Tensione drain-source (Vdss) 300V 200V 900V 100V
Configurazione 2 N-Channel (Dual) 2 N-Channel (Dual) 2 N-Channel (Dual) 2 N-Channel (Dual)
Pacchetto Box Box Box Box
Numero di prodotto di base VMM300 VMM85 VMM90 VMM650
Tipo montaggio Chassis Mount Chassis Mount Chassis Mount Chassis Mount
Rds On (max) a Id, Vgs 8.6mOhm @ 145A, 10V 25mOhm @ 500mA, 10V 76mOhm @ 65A, 10V 2.2mOhm @ 500A, 10V
Vgs (th) (max) a Id 4V @ 30mA 4V @ 8mA 5V @ 30mA 4V @ 30mA
Potenza - Max 1500W 370W - -
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 290A 84A 85A 680A
temperatura di esercizio -40°C ~ 150°C (TJ) -40°C ~ 150°C (TJ) -40°C ~ 150°C (TJ) -40°C ~ 150°C (TJ)

VMM300-03F Data foglio dati PDF

Scarica la scheda tecnica VMM300-03F PDF e la documentazione IXYS per VMM300-03F - IXYS.

PCN Obsolescence/ EOL
OBS NOTICE 27/Mar/2023.pdf
Schede tecniche
VMM300-03F.pdf

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Paesi comuni Riferimento del tempo logistico
Regione Paese Tempo logistico (giorno)
America stati Uniti 5
Brasile 7
Europa Germania 5
Regno Unito 4
Italia 5
Oceania Australia 6
Nuova Zelanda 5
Asia India 4
Giappone 4
Medio Oriente Israele 6
DHL e FedEx Spedizione addebita riferimento
Accuse di spedizione (kg) Riferimento DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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