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CasaCentro di prodottiProdotti a semiconduttore discretiTransistor-FET, MOSFET-singoloIXTP26P10T
IXTP26P10T Image
Le immagini sono solo di riferimento, si prega di fare riferimento alle specifiche per ulteriori informazioni sul prodotto.

IXTP26P10T - IXYS

fabbricante Modello di prodotti
IXTP26P10T
fabbricante
IXYS Corporation
Allelco Modello di prodotti
32D-IXTP26P10T
Modello ECAD
Descrizione delle parti
MOSFET P-CH 100V 26A TO220AB
Descrizione dettagliata
Pacchetto
TO-220-3
Scheda dati
IXT(Y,A,P)26P10T.pdf
Stato RoHS
In magazzino: 13338

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Quantità

Specifiche

Specifiche tecnologiche IXTP26P10T
Specifiche tecniche IXYS - IXTP26P10T, attributi, parametri e parti con specifiche simili ad IXYS - IXTP26P10T

Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
fabbricante IXYS Corporation  
Vgs (th) (max) a Id 4.5V @ 250µA  
Vgs (Max) ±15V  
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)  
Contenitore dispositivo fornitore TO-220-3  
Serie TrenchP™  
Rds On (max) a Id, Vgs 90mOhm @ 13A, 10V  
Dissipazione di potenza (max) 150W (Tc)  
Contenitore / involucro TO-220-3  
Pacchetto Tube  
Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ)  
Tipo montaggio Through Hole  
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 3820 pF @ 25 V  
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 52 nC @ 10 V  
Tipo FET P-Channel  
Caratteristica FET -  
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 10V  
Tensione drain-source (Vdss) 100 V  
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 26A (Tc)  
Numero di prodotto di base IXTP26  

Componenti con specifiche simili

Le tre parti sulla destra hanno specifiche simili a quelle di IXYS IXTP26P10T

Proprietà del prodotto IXTP26P10T IXTP200N055T2 IXTP42N25P IXTP42N15T
Modello di prodotti IXTP26P10T IXTP200N055T2 IXTP42N25P IXTP42N15T
fabbricante IXYS IXYS IXYS IXYS
Contenitore dispositivo fornitore TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 52 nC @ 10 V 109 nC @ 10 V 70 nC @ 10 V 21 nC @ 10 V
Contenitore / involucro TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3
Rds On (max) a Id, Vgs 90mOhm @ 13A, 10V 4.2mOhm @ 50A, 10V 84mOhm @ 500mA, 10V 45mOhm @ 500mA, 10V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 3820 pF @ 25 V 6800 pF @ 25 V 2300 pF @ 25 V 1880 pF @ 25 V
Tipo FET P-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Caratteristica FET - - - -
Numero di prodotto di base IXTP26 IXTP200 IXTP42 IXTP42
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ)
Tensione drain-source (Vdss) 100 V 55 V 250 V 150 V
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 10V 10V 10V 10V
Pacchetto Tube Tube Tube Tube
Dissipazione di potenza (max) 150W (Tc) 360W (Tc) 300W (Tc) 200W (Tc)
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Serie TrenchP™ TrenchT2™ Polar Trench
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 26A (Tc) 200A (Tc) 42A (Tc) 42A (Tc)
Tipo montaggio Through Hole Through Hole Through Hole Through Hole
Vgs (Max) ±15V ±20V ±20V ±30V
Vgs (th) (max) a Id 4.5V @ 250µA 4V @ 250µA 5.5V @ 250µA 4.5V @ 250µA

IXTP26P10T Data foglio dati PDF

Scarica la scheda tecnica IXTP26P10T PDF e la documentazione IXYS per IXTP26P10T - IXYS.

Schede tecniche
IXT(Y,A,P)26P10T.pdf

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Regione Paese Tempo logistico (giorno)
America stati Uniti 5
Brasile 7
Europa Germania 5
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Italia 5
Oceania Australia 6
Nuova Zelanda 5
Asia India 4
Giappone 4
Medio Oriente Israele 6
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Accuse di spedizione (kg) Riferimento DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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