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CasaCentro di prodottiProdotti a semiconduttore discretiTransistor-FET, MOSFET-singoloIXTP200N055T2
IXTP200N055T2 Image
Le immagini sono solo di riferimento, si prega di fare riferimento alle specifiche per ulteriori informazioni sul prodotto.
OPZIONE ESPRIT
Metodo di pagamento

IXTP200N055T2 - IXYS

fabbricante Modello di prodotti
IXTP200N055T2
fabbricante
IXYS Corporation
Allelco Modello di prodotti
32D-IXTP200N055T2
Modello ECAD
Descrizione delle parti
MOSFET N-CH 55V 200A TO220AB
Pacchetto
TO-220-3
Scheda dati
IXT(A,P)200N055T2.pdf
Stato RoHS
La nostra certificazione
In magazzino: 16476

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Specifiche

Specifiche tecnologiche IXTP200N055T2
Specifiche tecniche IXYS - IXTP200N055T2, attributi, parametri e parti con specifiche simili ad IXYS - IXTP200N055T2

Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
fabbricante IXYS Corporation  
Vgs (th) (max) a Id 4V @ 250µA  
Vgs (Max) ±20V  
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)  
Contenitore dispositivo fornitore TO-220-3  
Serie TrenchT2™  
Rds On (max) a Id, Vgs 4.2mOhm @ 50A, 10V  
Dissipazione di potenza (max) 360W (Tc)  
Contenitore / involucro TO-220-3  
Pacchetto Tube  
Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
temperatura di esercizio -55°C ~ 175°C (TJ)  
Tipo montaggio Through Hole  
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 6800 pF @ 25 V  
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 109 nC @ 10 V  
Tipo FET N-Channel  
Caratteristica FET -  
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 10V  
Tensione drain-source (Vdss) 55 V  
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 200A (Tc)  
Numero di prodotto di base IXTP200  

Classificazioni ambientali e di esportazione

ATTRIBUTO DESCRIZIONE
Stato RoHS
Livello di sensibilità all'umidità (MSL) 1 (Unlimited)
Raggiungere lo stato REACH Unaffected
ECCN EAR99
HTSUS

Componenti con specifiche simili

Le tre parti sulla destra hanno specifiche simili a quelle di IXYS IXTP200N055T2

Proprietà del prodotto IXTP200N055T2 IXTP1R6N100D2 IXTP220N055T IXTP18P10T
Modello di prodotti IXTP200N055T2 IXTP1R6N100D2 IXTP220N055T IXTP18P10T
fabbricante IXYS IXYS IXYS IXYS
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Contenitore dispositivo fornitore TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3
Contenitore / involucro TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3
Vgs (th) (max) a Id 4V @ 250µA - 4V @ 250µA 4.5V @ 250µA
Dissipazione di potenza (max) 360W (Tc) 100W (Tc) 430W (Tc) 83W (Tc)
temperatura di esercizio -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Vgs (Max) ±20V ±20V ±20V ±15V
Serie TrenchT2™ Depletion TrenchMV™ TrenchP™
Pacchetto Tube Tube Tube Tube
Rds On (max) a Id, Vgs 4.2mOhm @ 50A, 10V 10Ohm @ 800mA, 0V 4mOhm @ 25A, 10V 120mOhm @ 9A, 10V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 6800 pF @ 25 V 645 pF @ 25 V 7200 pF @ 25 V 2100 pF @ 25 V
Numero di prodotto di base IXTP200 IXTP1 IXTP220 IXTP18
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 200A (Tc) 1.6A (Tc) 220A (Tc) 18A (Tc)
Tensione drain-source (Vdss) 55 V 1000 V 55 V 100 V
Tipo FET N-Channel N-Channel N-Channel P-Channel
Caratteristica FET - Depletion Mode - -
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 109 nC @ 10 V 27 nC @ 5 V 158 nC @ 10 V 39 nC @ 10 V
Tipo montaggio Through Hole Through Hole Through Hole Through Hole
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 10V 10V 10V 10V

IXTP200N055T2 Data foglio dati PDF

Scarica la scheda tecnica IXTP200N055T2 PDF e la documentazione IXYS per IXTP200N055T2 - IXYS.

Schede tecniche
IXT(A,P)200N055T2.pdf

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Paesi comuni Riferimento del tempo logistico
Regione Paese Tempo logistico (giorno)
America stati Uniti 5
Brasile 7
Europa Germania 5
Regno Unito 4
Italia 5
Oceania Australia 6
Nuova Zelanda 5
Asia India 4
Giappone 4
Medio Oriente Israele 6
DHL e FedEx Spedizione addebita riferimento
Accuse di spedizione (kg) Riferimento DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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