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CasaCentro di prodottiProdotti a semiconduttore discretiTransistor-FET, MOSFET-singoloIXTP182N055T
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Le immagini sono solo di riferimento, si prega di fare riferimento alle specifiche per ulteriori informazioni sul prodotto.
OPZIONE ESPRIT
Metodo di pagamento

IXTP182N055T - IXYS

fabbricante Modello di prodotti
IXTP182N055T
fabbricante
IXYS Corporation
Allelco Modello di prodotti
32D-IXTP182N055T
Modello ECAD
Descrizione delle parti
MOSFET N-CH 55V 182A TO220AB
Pacchetto
TO-220-3
Scheda dati
IXT(A,P)182N055T.pdf
La nostra certificazione
In magazzino: 5200

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Specifiche

Specifiche tecnologiche IXTP182N055T
Specifiche tecniche IXYS - IXTP182N055T, attributi, parametri e parti con specifiche simili ad IXYS - IXTP182N055T

Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
fabbricante IXYS Corporation  
Vgs (th) (max) a Id 4V @ 250µA  
Vgs (Max) ±20V  
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)  
Contenitore dispositivo fornitore TO-220-3  
Serie TrenchMV™  
Rds On (max) a Id, Vgs 5mOhm @ 25A, 10V  
Dissipazione di potenza (max) 360W (Tc)  
Contenitore / involucro TO-220-3  
Pacchetto Tube  
Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
temperatura di esercizio -55°C ~ 175°C (TJ)  
Tipo montaggio Through Hole  
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 4850 pF @ 25 V  
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 114 nC @ 10 V  
Tipo FET N-Channel  
Caratteristica FET -  
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 10V  
Tensione drain-source (Vdss) 55 V  
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 182A (Tc)  
Numero di prodotto di base IXTP182  

Classificazioni ambientali e di esportazione

ATTRIBUTO DESCRIZIONE
Stato RoHS
Livello di sensibilità all'umidità (MSL) 1 (Unlimited)
Raggiungere lo stato REACH Unaffected
ECCN EAR99
HTSUS

Componenti con specifiche simili

Le tre parti sulla destra hanno specifiche simili a quelle di IXYS IXTP182N055T

Proprietà del prodotto IXTP182N055T IXTP220N055T IXTP18P10T IXTP170N075T2
Modello di prodotti IXTP182N055T IXTP220N055T IXTP18P10T IXTP170N075T2
fabbricante IXYS IXYS IXYS IXYS
Numero di prodotto di base IXTP182 IXTP220 IXTP18 IXTP170
Tipo montaggio Through Hole Through Hole Through Hole Through Hole
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 4850 pF @ 25 V 7200 pF @ 25 V 2100 pF @ 25 V 6860 pF @ 25 V
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 10V 10V 10V 10V
Caratteristica FET - - - -
Rds On (max) a Id, Vgs 5mOhm @ 25A, 10V 4mOhm @ 25A, 10V 120mOhm @ 9A, 10V 5.4mOhm @ 50A, 10V
temperatura di esercizio -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ)
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 182A (Tc) 220A (Tc) 18A (Tc) 170A (Tc)
Vgs (th) (max) a Id 4V @ 250µA 4V @ 250µA 4.5V @ 250µA 4V @ 250µA
Tensione drain-source (Vdss) 55 V 55 V 100 V 75 V
Dissipazione di potenza (max) 360W (Tc) 430W (Tc) 83W (Tc) 360W (Tc)
Contenitore / involucro TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3
Vgs (Max) ±20V ±20V ±15V ±20V
Pacchetto Tube Tube Tube Tube
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 114 nC @ 10 V 158 nC @ 10 V 39 nC @ 10 V 109 nC @ 10 V
Tipo FET N-Channel N-Channel P-Channel N-Channel
Contenitore dispositivo fornitore TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3
Serie TrenchMV™ TrenchMV™ TrenchP™ TrenchT2™

IXTP182N055T Data foglio dati PDF

Scarica la scheda tecnica IXTP182N055T PDF e la documentazione IXYS per IXTP182N055T - IXYS.

PCN Obsolescence/ EOL
IXT Series 30/Oct/2012.pdf
Schede tecniche
IXT(A,P)182N055T.pdf

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Paesi comuni Riferimento del tempo logistico
Regione Paese Tempo logistico (giorno)
America stati Uniti 5
Brasile 7
Europa Germania 5
Regno Unito 4
Italia 5
Oceania Australia 6
Nuova Zelanda 5
Asia India 4
Giappone 4
Medio Oriente Israele 6
DHL e FedEx Spedizione addebita riferimento
Accuse di spedizione (kg) Riferimento DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
Nota:
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