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CasaCentro di prodottiProdotti a semiconduttore discretiTransistor-FET, MOSFET-singoloIXTH6N80A
IXTH6N80A Image
Le immagini sono solo di riferimento, si prega di fare riferimento alle specifiche per ulteriori informazioni sul prodotto.

IXTH6N80A - IXYS

fabbricante Modello di prodotti
IXTH6N80A
fabbricante
IXYS Corporation
Allelco Modello di prodotti
32D-IXTH6N80A
Modello ECAD
Descrizione delle parti
MOSFET N-CH 800V 6A TO247
Descrizione dettagliata
Pacchetto
TO-247-3
Scheda dati
IXT(H,M)6N80(A).pdf
Stato RoHS
In magazzino: 5070

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Quantità

Specifiche

Specifiche tecnologiche IXTH6N80A
Specifiche tecniche IXYS - IXTH6N80A, attributi, parametri e parti con specifiche simili ad IXYS - IXTH6N80A

Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
fabbricante IXYS Corporation  
Vgs (th) (max) a Id 4.5V @ 250µA  
Vgs (Max) ±20V  
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)  
Contenitore dispositivo fornitore TO-247 (IXTH)  
Serie -  
Rds On (max) a Id, Vgs 1.4Ohm @ 3A, 10V  
Dissipazione di potenza (max) 180W (Tc)  
Contenitore / involucro TO-247-3  
Pacchetto Tube  
Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ)  
Tipo montaggio Through Hole  
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 2800 pF @ 25 V  
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 130 nC @ 10 V  
Tipo FET N-Channel  
Caratteristica FET -  
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 10V  
Tensione drain-source (Vdss) 800 V  
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 6A (Tc)  
Numero di prodotto di base IXTH6  

Componenti con specifiche simili

Le tre parti sulla destra hanno specifiche simili a quelle di IXYS IXTH6N80A

Proprietà del prodotto IXTH6N80A IXTH6N90 IXTH72N20 IXTH76N25T
Modello di prodotti IXTH6N80A IXTH6N90 IXTH72N20 IXTH76N25T
fabbricante IXYS IXYS IXYS IXYS
Tipo montaggio Through Hole Through Hole Through Hole Through Hole
Rds On (max) a Id, Vgs 1.4Ohm @ 3A, 10V 1.8Ohm @ 500mA, 10V 33mOhm @ 500mA, 10V 39mOhm @ 500mA, 10V
Contenitore dispositivo fornitore TO-247 (IXTH) TO-247 (IXTH) TO-247 (IXTH) TO-247 (IXTH)
Vgs (Max) ±20V ±20V ±20V ±30V
Numero di prodotto di base IXTH6 IXTH6 IXTH72 IXTH76
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Dissipazione di potenza (max) 180W (Tc) 180W (Tc) 400W (Tc) 460W (Tc)
Pacchetto Tube Tube Tube Tube
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 2800 pF @ 25 V 2600 pF @ 25 V 4400 pF @ 25 V 4500 pF @ 25 V
Contenitore / involucro TO-247-3 TO-247-3 TO-247-3 TO-247-3
Vgs (th) (max) a Id 4.5V @ 250µA 4.5V @ 250µA 4V @ 250µA 5V @ 1mA
Caratteristica FET - - - -
Tensione drain-source (Vdss) 800 V 900 V 200 V 250 V
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 10V 10V 10V 10V
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 6A (Tc) 6A (Tc) 72A (Tc) 76A (Tc)
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 130 nC @ 10 V 130 nC @ 10 V 170 nC @ 10 V 92 nC @ 10 V
Serie - - - Trench

IXTH6N80A Data foglio dati PDF

Scarica la scheda tecnica IXTH6N80A PDF e la documentazione IXYS per IXTH6N80A - IXYS.

Schede tecniche
IXT(H,M)6N80(A).pdf

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Europa Germania 5
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Nuova Zelanda 5
Asia India 4
Giappone 4
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