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CasaCentro di prodottiProdotti a semiconduttore discretiTransistor-FET, MOSFET-singoloIXTH60N20L2
IXTH60N20L2 Image
Le immagini sono solo di riferimento, si prega di fare riferimento alle specifiche per ulteriori informazioni sul prodotto.

IXTH60N20L2 - IXYS

fabbricante Modello di prodotti
IXTH60N20L2
fabbricante
IXYS Corporation
Allelco Modello di prodotti
32D-IXTH60N20L2
Modello ECAD
Descrizione delle parti
MOSFET N-CH 200V 60A TO247
Descrizione dettagliata
Pacchetto
TO-247-3
Scheda dati
IXT(T,Q,H)60N20L2.pdf
Stato RoHS
In magazzino: 2666

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Specifiche

Specifiche tecnologiche IXTH60N20L2
Specifiche tecniche IXYS - IXTH60N20L2, attributi, parametri e parti con specifiche simili ad IXYS - IXTH60N20L2

Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
fabbricante IXYS Corporation  
Vgs (th) (max) a Id 4.5V @ 250µA  
Vgs (Max) ±20V  
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)  
Contenitore dispositivo fornitore TO-247 (IXTH)  
Serie Linear L2™  
Rds On (max) a Id, Vgs 45mOhm @ 30A, 10V  
Dissipazione di potenza (max) 540W (Tc)  
Contenitore / involucro TO-247-3  
Pacchetto Tube  
Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ)  
Tipo montaggio Through Hole  
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 10500 pF @ 25 V  
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 255 nC @ 10 V  
Tipo FET N-Channel  
Caratteristica FET -  
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 10V  
Tensione drain-source (Vdss) 200 V  
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 60A (Tc)  
Numero di prodotto di base IXTH60  

Componenti con specifiche simili

Le tre parti sulla destra hanno specifiche simili a quelle di IXYS IXTH60N20L2

Proprietà del prodotto IXTH60N20L2 IXTH67N10 IXTH5N100A IXTH60N15
Modello di prodotti IXTH60N20L2 IXTH67N10 IXTH5N100A IXTH60N15
fabbricante IXYS IXYS IXYS IXYS
Vgs (th) (max) a Id 4.5V @ 250µA 4V @ 4mA 4.5V @ 250µA 4V @ 250µA
Dissipazione di potenza (max) 540W (Tc) 300W (Tc) 180W (Tc) 275W (Tc)
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Tensione drain-source (Vdss) 200 V 100 V 1000 V 150 V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 10500 pF @ 25 V 4500 pF @ 25 V 2600 pF @ 25 V 3000 pF @ 25 V
Caratteristica FET - - - -
Tipo montaggio Through Hole Through Hole Through Hole Through Hole
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 60A (Tc) 67A (Tc) 5A (Tc) 60A (Tc)
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 10V 10V 10V 10V
Rds On (max) a Id, Vgs 45mOhm @ 30A, 10V 25mOhm @ 33.5A, 10V 2Ohm @ 2.5A, 10V 33mOhm @ 15A, 10V
Contenitore dispositivo fornitore TO-247 (IXTH) TO-247 (IXTH) TO-247 (IXTH) TO-247 (IXTH)
Tipo FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Serie Linear L2™ MegaMOS™ - -
Contenitore / involucro TO-247-3 TO-247-3 TO-247-3 TO-247-3
Numero di prodotto di base IXTH60 IXTH67 IXTH5 IXTH60
Pacchetto Tube Tube Tube Tube
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 255 nC @ 10 V 260 nC @ 10 V 130 nC @ 10 V 110 nC @ 10 V
Vgs (Max) ±20V ±20V ±20V ±20V

IXTH60N20L2 Data foglio dati PDF

Scarica la scheda tecnica IXTH60N20L2 PDF e la documentazione IXYS per IXTH60N20L2 - IXYS.

Schede tecniche
IXT(T,Q,H)60N20L2.pdf

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Regione Paese Tempo logistico (giorno)
America stati Uniti 5
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Europa Germania 5
Regno Unito 4
Italia 5
Oceania Australia 6
Nuova Zelanda 5
Asia India 4
Giappone 4
Medio Oriente Israele 6
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Accuse di spedizione (kg) Riferimento DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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