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CasaCentro di prodottiProdotti a semiconduttore discretiTransistor-FET, MOSFET-singoloIXTH48N65X2
IXTH48N65X2 Image
Le immagini sono solo di riferimento, si prega di fare riferimento alle specifiche per ulteriori informazioni sul prodotto.

IXTH48N65X2 - IXYS

fabbricante Modello di prodotti
IXTH48N65X2
fabbricante
IXYS Corporation
Allelco Modello di prodotti
32D-IXTH48N65X2
Modello ECAD
Descrizione delle parti
MOSFET N-CH 650V 48A TO247
Descrizione dettagliata
Pacchetto
TO-247-3
Scheda dati
IXTH48N65X2.pdf
Stato RoHS
In magazzino: 7177

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Quantità

Specifiche

Specifiche tecnologiche IXTH48N65X2
Specifiche tecniche IXYS - IXTH48N65X2, attributi, parametri e parti con specifiche simili ad IXYS - IXTH48N65X2

Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
fabbricante IXYS Corporation  
Vgs (th) (max) a Id 4.5V @ 4mA  
Vgs (Max) ±30V  
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)  
Contenitore dispositivo fornitore TO-247 (IXTH)  
Serie Ultra X2  
Rds On (max) a Id, Vgs 68mOhm @ 24A, 10V  
Dissipazione di potenza (max) 660W (Tc)  
Contenitore / involucro TO-247-3  
Pacchetto Tube  
Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ)  
Tipo montaggio Through Hole  
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 4420 pF @ 25 V  
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 77 nC @ 10 V  
Tipo FET N-Channel  
Caratteristica FET -  
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 10V  
Tensione drain-source (Vdss) 650 V  
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 48A (Tc)  
Numero di prodotto di base IXTH48  

Componenti con specifiche simili

Le tre parti sulla destra hanno specifiche simili a quelle di IXYS IXTH48N65X2

Proprietà del prodotto IXTH48N65X2 IXTH450P2 IXTH3N120 IXTH48P20P
Modello di prodotti IXTH48N65X2 IXTH450P2 IXTH3N120 IXTH48P20P
fabbricante IXYS IXYS IXYS IXYS
Tipo FET N-Channel N-Channel N-Channel P-Channel
Numero di prodotto di base IXTH48 IXTH450 IXTH3 IXTH48
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 48A (Tc) 16A (Tc) 3A (Tc) 48A (Tc)
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 10V 10V 10V 10V
Vgs (Max) ±30V ±30V ±20V ±20V
Contenitore dispositivo fornitore TO-247 (IXTH) TO-247 (IXTH) TO-247 (IXTH) TO-247 (IXTH)
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 4420 pF @ 25 V 2530 pF @ 25 V 1300 pF @ 25 V 5400 pF @ 25 V
Contenitore / involucro TO-247-3 TO-247-3 TO-247-3 TO-247-3
Rds On (max) a Id, Vgs 68mOhm @ 24A, 10V 330mOhm @ 8A, 10V 4.5Ohm @ 500mA, 10V 85mOhm @ 500mA, 10V
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Dissipazione di potenza (max) 660W (Tc) 300W (Tc) 200W (Tc) 462W (Tc)
Tensione drain-source (Vdss) 650 V 500 V 1200 V 200 V
Caratteristica FET - - - -
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (th) (max) a Id 4.5V @ 4mA 4.5V @ 250µA 4.5V @ 250µA 4.5V @ 250µA
Serie Ultra X2 PolarP2™ - PolarP™
Pacchetto Tube Tube Box Tube
Tipo montaggio Through Hole Through Hole Through Hole Through Hole
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 77 nC @ 10 V 43 nC @ 10 V 39 nC @ 10 V 103 nC @ 10 V

IXTH48N65X2 Data foglio dati PDF

Scarica la scheda tecnica IXTH48N65X2 PDF e la documentazione IXYS per IXTH48N65X2 - IXYS.

Schede tecniche
IXTH48N65X2.pdf

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Regione Paese Tempo logistico (giorno)
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Europa Germania 5
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Italia 5
Oceania Australia 6
Nuova Zelanda 5
Asia India 4
Giappone 4
Medio Oriente Israele 6
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0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
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2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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