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CasaCentro di prodottiProdotti a semiconduttore discretiTransistor-FET, MOSFET-singoloIXTH48N20
IXTH48N20 Image
Le immagini sono solo di riferimento, si prega di fare riferimento alle specifiche per ulteriori informazioni sul prodotto.

IXTH48N20 - IXYS

fabbricante Modello di prodotti
IXTH48N20
fabbricante
IXYS Corporation
Allelco Modello di prodotti
32D-IXTH48N20
Modello ECAD
Descrizione delle parti
MOSFET N-CH 200V 48A TO247
Descrizione dettagliata
Pacchetto
TO-247-3
Scheda dati
IXTH48N20.pdf
Stato RoHS
In magazzino: 3730

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Quantità

Specifiche

Specifiche tecnologiche IXTH48N20
Specifiche tecniche IXYS - IXTH48N20, attributi, parametri e parti con specifiche simili ad IXYS - IXTH48N20

Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
fabbricante IXYS Corporation  
Vgs (th) (max) a Id 4V @ 250µA  
Vgs (Max) ±20V  
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)  
Contenitore dispositivo fornitore TO-247 (IXTH)  
Serie -  
Rds On (max) a Id, Vgs 50mOhm @ 15A, 10V  
Dissipazione di potenza (max) 275W (Tc)  
Contenitore / involucro TO-247-3  
Pacchetto Tube  
Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ)  
Tipo montaggio Through Hole  
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 3000 pF @ 25 V  
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 110 nC @ 10 V  
Tipo FET N-Channel  
Caratteristica FET -  
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 10V  
Tensione drain-source (Vdss) 200 V  
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 48A (Tc)  
Numero di prodotto di base IXTH48  

Componenti con specifiche simili

Le tre parti sulla destra hanno specifiche simili a quelle di IXYS IXTH48N20

Proprietà del prodotto IXTH48N20 IXTH3N120 IXTH460P2 IXTH450P2
Modello di prodotti IXTH48N20 IXTH3N120 IXTH460P2 IXTH450P2
fabbricante IXYS IXYS IXYS IXYS
Dissipazione di potenza (max) 275W (Tc) 200W (Tc) 480W (Tc) 300W (Tc)
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 3000 pF @ 25 V 1300 pF @ 25 V 2890 pF @ 25 V 2530 pF @ 25 V
Tipo FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Rds On (max) a Id, Vgs 50mOhm @ 15A, 10V 4.5Ohm @ 500mA, 10V 270mOhm @ 12A, 10V 330mOhm @ 8A, 10V
Vgs (Max) ±20V ±20V ±30V ±30V
Contenitore dispositivo fornitore TO-247 (IXTH) TO-247 (IXTH) TO-247 (IXTH) TO-247 (IXTH)
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 48A (Tc) 3A (Tc) 24A (Tc) 16A (Tc)
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Pacchetto Tube Box Tube Tube
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 10V 10V 10V 10V
Tipo montaggio Through Hole Through Hole Through Hole Through Hole
Tensione drain-source (Vdss) 200 V 1200 V 500 V 500 V
Vgs (th) (max) a Id 4V @ 250µA 4.5V @ 250µA 4.5V @ 250µA 4.5V @ 250µA
Contenitore / involucro TO-247-3 TO-247-3 TO-247-3 TO-247-3
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 110 nC @ 10 V 39 nC @ 10 V 48 nC @ 10 V 43 nC @ 10 V
Serie - - PolarP2™ PolarP2™
Caratteristica FET - - - -
Numero di prodotto di base IXTH48 IXTH3 IXTH460 IXTH450

IXTH48N20 Data foglio dati PDF

Scarica la scheda tecnica IXTH48N20 PDF e la documentazione IXYS per IXTH48N20 - IXYS.

Schede tecniche
IXTH48N20.pdf

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Regione Paese Tempo logistico (giorno)
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Europa Germania 5
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Italia 5
Oceania Australia 6
Nuova Zelanda 5
Asia India 4
Giappone 4
Medio Oriente Israele 6
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0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
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2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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