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CasaCentro di prodottiProdotti a semiconduttore discretiTransistor-FET, MOSFET-singoloIXFX73N30Q
IXFX73N30Q Image
Le immagini sono solo di riferimento, si prega di fare riferimento alle specifiche per ulteriori informazioni sul prodotto.

IXFX73N30Q - IXYS

fabbricante Modello di prodotti
IXFX73N30Q
fabbricante
IXYS Corporation
Allelco Modello di prodotti
32D-IXFX73N30Q
Modello ECAD
Descrizione delle parti
MOSFET N-CH 300V 73A PLUS247-3
Descrizione dettagliata
Pacchetto
TO-247-3 Variant
Scheda dati
IXF(K,X)73N30Q.pdf
Stato RoHS
In magazzino: 4710

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Quantità

Specifiche

Specifiche tecnologiche IXFX73N30Q
Specifiche tecniche IXYS - IXFX73N30Q, attributi, parametri e parti con specifiche simili ad IXYS - IXFX73N30Q

Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
fabbricante IXYS Corporation  
Vgs (th) (max) a Id 4V @ 4mA  
Vgs (Max) ±30V  
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)  
Contenitore dispositivo fornitore PLUS247™-3  
Serie HiPerFET™, Q Class  
Rds On (max) a Id, Vgs 45mOhm @ 500mA, 10V  
Dissipazione di potenza (max) 500W (Tc)  
Contenitore / involucro TO-247-3 Variant  
Pacchetto Tube  
Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ)  
Tipo montaggio Through Hole  
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 5400 pF @ 25 V  
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 195 nC @ 10 V  
Tipo FET N-Channel  
Caratteristica FET -  
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 10V  
Tensione drain-source (Vdss) 300 V  
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 73A (Tc)  
Numero di prodotto di base IXFX73  

Componenti con specifiche simili

Le tre parti sulla destra hanno specifiche simili a quelle di IXYS IXFX73N30Q

Proprietà del prodotto IXFX73N30Q IXFX90N60X IXFX55N50 IXFX94N50P2
Modello di prodotti IXFX73N30Q IXFX90N60X IXFX55N50 IXFX94N50P2
fabbricante IXYS IXYS IXYS IXYS
Vgs (Max) ±30V ±30V ±20V ±30V
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Caratteristica FET - - - -
Tipo montaggio Through Hole Through Hole Through Hole Through Hole
Contenitore / involucro TO-247-3 Variant TO-247-3 Variant TO-247-3 Variant TO-247-3 Variant
Tensione drain-source (Vdss) 300 V 600 V 500 V 500 V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 195 nC @ 10 V 210 nC @ 10 V 330 nC @ 10 V 220 nC @ 10 V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 5400 pF @ 25 V 8500 pF @ 25 V 9400 pF @ 25 V 13700 pF @ 25 V
Serie HiPerFET™, Q Class HiPerFET™, Ultra X HiPerFET™ HiPerFET™, PolarP2™
Dissipazione di potenza (max) 500W (Tc) 1100W (Tc) 625W (Tc) 1300W (Tc)
Contenitore dispositivo fornitore PLUS247™-3 PLUS247™-3 PLUS247™-3 PLUS247™-3
Vgs (th) (max) a Id 4V @ 4mA 4.5V @ 8mA 4.5V @ 8mA 5V @ 8mA
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 73A (Tc) 90A (Tc) 55A (Tc) 94A (Tc)
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 10V 10V 10V 10V
Numero di prodotto di base IXFX73 IXFX90 IXFX55 IXFX94
Tipo FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Pacchetto Tube Tube Tube Tube
Rds On (max) a Id, Vgs 45mOhm @ 500mA, 10V 38mOhm @ 45A, 10V 80mOhm @ 500mA, 10V 55mOhm @ 500mA, 10V

IXFX73N30Q Data foglio dati PDF

Scarica la scheda tecnica IXFX73N30Q PDF e la documentazione IXYS per IXFX73N30Q - IXYS.

Schede tecniche
IXF(K,X)73N30Q.pdf

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Regione Paese Tempo logistico (giorno)
America stati Uniti 5
Brasile 7
Europa Germania 5
Regno Unito 4
Italia 5
Oceania Australia 6
Nuova Zelanda 5
Asia India 4
Giappone 4
Medio Oriente Israele 6
DHL e FedEx Spedizione addebita riferimento
Accuse di spedizione (kg) Riferimento DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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