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CasaCentro di prodottiProdotti a semiconduttore discretiTransistor-FET, MOSFET-singoloIXFX64N60P
IXFX64N60P Image
Le immagini sono solo di riferimento, si prega di fare riferimento alle specifiche per ulteriori informazioni sul prodotto.

IXFX64N60P - IXYS

fabbricante Modello di prodotti
IXFX64N60P
fabbricante
IXYS Corporation
Allelco Modello di prodotti
32D-IXFX64N60P
Modello ECAD
Descrizione delle parti
MOSFET N-CH 600V 64A PLUS247-3
Descrizione dettagliata
Pacchetto
TO-247-3 Variant
Scheda dati
IXF(K,X)64N60P.pdf
Stato RoHS
In magazzino: 3005

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Quantità

Specifiche

Specifiche tecnologiche IXFX64N60P
Specifiche tecniche IXYS - IXFX64N60P, attributi, parametri e parti con specifiche simili ad IXYS - IXFX64N60P

Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
fabbricante IXYS Corporation  
Vgs (th) (max) a Id 5V @ 8mA  
Vgs (Max) ±30V  
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)  
Contenitore dispositivo fornitore PLUS247™-3  
Serie HiPerFET™, Polar  
Rds On (max) a Id, Vgs 96mOhm @ 500mA, 10V  
Dissipazione di potenza (max) 1040W (Tc)  
Contenitore / involucro TO-247-3 Variant  
Pacchetto Tube  
Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ)  
Tipo montaggio Through Hole  
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 12000 pF @ 25 V  
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 200 nC @ 10 V  
Tipo FET N-Channel  
Caratteristica FET -  
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 10V  
Tensione drain-source (Vdss) 600 V  
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 64A (Tc)  
Numero di prodotto di base IXFX64  

Componenti con specifiche simili

Le tre parti sulla destra hanno specifiche simili a quelle di IXYS IXFX64N60P

Proprietà del prodotto IXFX64N60P IXFX64N50P IXFX55N50F IXFX48N50Q
Modello di prodotti IXFX64N60P IXFX64N50P IXFX55N50F IXFX48N50Q
fabbricante IXYS IXYS IXYS IXYS
Rds On (max) a Id, Vgs 96mOhm @ 500mA, 10V 85mOhm @ 32A, 10V 85mOhm @ 27.5A, 10V 100mOhm @ 24A, 10V
Pacchetto Tube Tube Tube Tube
Contenitore dispositivo fornitore PLUS247™-3 PLUS247™-3 PLUS247™-3 PLUS247™-3
Contenitore / involucro TO-247-3 Variant TO-247-3 Variant TO-247-3 Variant TO-247-3 Variant
Dissipazione di potenza (max) 1040W (Tc) 830W (Tc) 560W (Tc) 500W (Tc)
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 12000 pF @ 25 V 8700 pF @ 25 V 6700 pF @ 25 V 7000 pF @ 25 V
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Serie HiPerFET™, Polar HiPerFET™, Polar HiPerRF™ HiPerFET™, Q Class
Tensione drain-source (Vdss) 600 V 500 V 500 V 500 V
Tipo montaggio Through Hole Through Hole Through Hole Through Hole
Numero di prodotto di base IXFX64 IXFX64 IXFX55 IXFX48
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 200 nC @ 10 V 150 nC @ 10 V 195 nC @ 10 V 190 nC @ 10 V
Vgs (Max) ±30V ±30V ±20V ±20V
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 10V 10V 10V 10V
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 64A (Tc) 64A (Tc) 55A (Tc) 48A (Tc)
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (th) (max) a Id 5V @ 8mA 5.5V @ 8mA 5.5V @ 8mA 4V @ 4mA
Caratteristica FET - - - -
Tipo FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel

IXFX64N60P Data foglio dati PDF

Scarica la scheda tecnica IXFX64N60P PDF e la documentazione IXYS per IXFX64N60P - IXYS.

Schede tecniche
IXF(K,X)64N60P.pdf

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Regione Paese Tempo logistico (giorno)
America stati Uniti 5
Brasile 7
Europa Germania 5
Regno Unito 4
Italia 5
Oceania Australia 6
Nuova Zelanda 5
Asia India 4
Giappone 4
Medio Oriente Israele 6
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Accuse di spedizione (kg) Riferimento DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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