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CasaCentro di prodottiProdotti a semiconduttore discretiTransistor-FET, MOSFET-singoloIXFX44N50Q
IXFX44N50Q Image
Le immagini sono solo di riferimento, si prega di fare riferimento alle specifiche per ulteriori informazioni sul prodotto.
OPZIONE ESPRIT
Metodo di pagamento

IXFX44N50Q - IXYS

fabbricante Modello di prodotti
IXFX44N50Q
fabbricante
IXYS Corporation
Allelco Modello di prodotti
32D-IXFX44N50Q
Modello ECAD
Descrizione delle parti
MOSFET N-CH 500V 44A PLUS247-3
Pacchetto
TO-247-3 Variant
Scheda dati
IXF(K,X)4(4,8)N50Q.pdf
Stato RoHS
La nostra certificazione
In magazzino: 4380

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Quantità
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Specifiche

Specifiche tecnologiche IXFX44N50Q
Specifiche tecniche IXYS - IXFX44N50Q, attributi, parametri e parti con specifiche simili ad IXYS - IXFX44N50Q

Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
fabbricante IXYS Corporation  
Vgs (th) (max) a Id 4V @ 4mA  
Vgs (Max) ±20V  
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)  
Contenitore dispositivo fornitore PLUS247™-3  
Serie HiPerFET™, Q Class  
Rds On (max) a Id, Vgs 120mOhm @ 22A, 10V  
Dissipazione di potenza (max) 500W (Tc)  
Contenitore / involucro TO-247-3 Variant  
Pacchetto Tube  
Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ)  
Tipo montaggio Through Hole  
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 7000 pF @ 25 V  
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 190 nC @ 10 V  
Tipo FET N-Channel  
Caratteristica FET -  
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 10V  
Tensione drain-source (Vdss) 500 V  
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 44A (Tc)  
Numero di prodotto di base IXFX44  

Classificazioni ambientali e di esportazione

ATTRIBUTO DESCRIZIONE
Stato RoHS
Livello di sensibilità all'umidità (MSL) 1 (Unlimited)
Raggiungere lo stato REACH Unaffected
ECCN EAR99
HTSUS

Componenti con specifiche simili

Le tre parti sulla destra hanno specifiche simili a quelle di IXYS IXFX44N50Q

Proprietà del prodotto IXFX44N50Q IXFX55N50 IXFX30N50Q IXFX27N80Q
Modello di prodotti IXFX44N50Q IXFX55N50 IXFX30N50Q IXFX27N80Q
fabbricante IXYS IXYS IXYS IXYS
Vgs (Max) ±20V ±20V ±20V ±20V
Numero di prodotto di base IXFX44 IXFX55 IXFX30 IXFX27
Serie HiPerFET™, Q Class HiPerFET™ HiPerFET™ HiPerFET™, Q Class
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 10V 10V 10V 10V
Tipo FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Caratteristica FET - - - -
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 190 nC @ 10 V 330 nC @ 10 V 150 nC @ 10 V 170 nC @ 10 V
Tipo montaggio Through Hole Through Hole Through Hole Through Hole
Dissipazione di potenza (max) 500W (Tc) 625W (Tc) 416W (Tc) 500W (Tc)
Tensione drain-source (Vdss) 500 V 500 V 500 V 800 V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 7000 pF @ 25 V 9400 pF @ 25 V 3950 pF @ 25 V 7600 pF @ 25 V
Contenitore dispositivo fornitore PLUS247™-3 PLUS247™-3 PLUS247™-3 PLUS247™-3
Contenitore / involucro TO-247-3 Variant TO-247-3 Variant TO-247-3 Variant TO-247-3 Variant
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (th) (max) a Id 4V @ 4mA 4.5V @ 8mA 4.5V @ 4mA 4.5V @ 4mA
Pacchetto Tube Tube Tube Tube
Rds On (max) a Id, Vgs 120mOhm @ 22A, 10V 80mOhm @ 500mA, 10V 160mOhm @ 15A, 10V 320mOhm @ 500mA, 10V
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 44A (Tc) 55A (Tc) 30A (Tc) 27A (Tc)

IXFX44N50Q Data foglio dati PDF

Scarica la scheda tecnica IXFX44N50Q PDF e la documentazione IXYS per IXFX44N50Q - IXYS.

Schede tecniche
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Paesi comuni Riferimento del tempo logistico
Regione Paese Tempo logistico (giorno)
America stati Uniti 5
Brasile 7
Europa Germania 5
Regno Unito 4
Italia 5
Oceania Australia 6
Nuova Zelanda 5
Asia India 4
Giappone 4
Medio Oriente Israele 6
DHL e FedEx Spedizione addebita riferimento
Accuse di spedizione (kg) Riferimento DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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