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CasaCentro di prodottiProdotti a semiconduttore discretiTransistor-FET, MOSFET-singoloIXFX38N80Q2
IXFX38N80Q2 Image
Le immagini sono solo di riferimento, si prega di fare riferimento alle specifiche per ulteriori informazioni sul prodotto.
OPZIONE ESPRIT
Metodo di pagamento

IXFX38N80Q2 - IXYS

fabbricante Modello di prodotti
IXFX38N80Q2
fabbricante
IXYS Corporation
Allelco Modello di prodotti
32D-IXFX38N80Q2
Modello ECAD
Descrizione delle parti
MOSFET N-CH 800V 38A PLUS247-3
Pacchetto
TO-247-3 Variant
Scheda dati
IXF(K,N,X)38N80Q2.pdf
Stato RoHS
La nostra certificazione
In magazzino: 4790

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Quantità
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Specifiche

Specifiche tecnologiche IXFX38N80Q2
Specifiche tecniche IXYS - IXFX38N80Q2, attributi, parametri e parti con specifiche simili ad IXYS - IXFX38N80Q2

Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
fabbricante IXYS Corporation  
Vgs (th) (max) a Id 4.5V @ 8mA  
Vgs (Max) ±30V  
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)  
Contenitore dispositivo fornitore PLUS247™-3  
Serie HiPerFET™, Q2 Class  
Rds On (max) a Id, Vgs 220mOhm @ 19A, 10V  
Dissipazione di potenza (max) 735W (Tc)  
Contenitore / involucro TO-247-3 Variant  
Pacchetto Tube  
Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ)  
Tipo montaggio Through Hole  
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 8340 pF @ 25 V  
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 190 nC @ 10 V  
Tipo FET N-Channel  
Caratteristica FET -  
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 10V  
Tensione drain-source (Vdss) 800 V  
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 38A (Tc)  
Numero di prodotto di base IXFX38  

Classificazioni ambientali e di esportazione

ATTRIBUTO DESCRIZIONE
Stato RoHS
Livello di sensibilità all'umidità (MSL) 1 (Unlimited)
Raggiungere lo stato REACH Unaffected
ECCN EAR99
HTSUS

Componenti con specifiche simili

Le tre parti sulla destra hanno specifiche simili a quelle di IXYS IXFX38N80Q2

Proprietà del prodotto IXFX38N80Q2 IXFX32N50Q IXFX44N80P IXFX30N100Q2
Modello di prodotti IXFX38N80Q2 IXFX32N50Q IXFX44N80P IXFX30N100Q2
fabbricante IXYS IXYS IXYS IXYS
Tipo FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 190 nC @ 10 V 150 nC @ 10 V 198 nC @ 10 V 186 nC @ 10 V
Contenitore / involucro TO-247-3 Variant TO-247-3 Variant TO-247-3 Variant TO-247-3 Variant
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 38A (Tc) 32A (Tc) 44A (Tc) 30A (Tc)
Vgs (Max) ±30V ±20V ±30V ±30V
Pacchetto Tube Tube Tube Tube
Caratteristica FET - - - -
Dissipazione di potenza (max) 735W (Tc) 416W (Tc) 1040W (Tc) 735W (Tc)
Vgs (th) (max) a Id 4.5V @ 8mA 4.5V @ 4mA 5V @ 8mA 5V @ 8mA
Tipo montaggio Through Hole Through Hole Through Hole Through Hole
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Rds On (max) a Id, Vgs 220mOhm @ 19A, 10V 160mOhm @ 16A, 10V 190mOhm @ 22A, 10V 400mOhm @ 15A, 10V
Serie HiPerFET™, Q2 Class HiPerFET™ HiPerFET™, Polar HiPerFET™, Q2 Class
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 10V 10V 10V 10V
Contenitore dispositivo fornitore PLUS247™-3 PLUS247™-3 PLUS247™-3 PLUS247™-3
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 8340 pF @ 25 V 3950 pF @ 25 V 12000 pF @ 25 V 8200 pF @ 25 V
Tensione drain-source (Vdss) 800 V 500 V 800 V 1000 V
Numero di prodotto di base IXFX38 IXFX32 IXFX44 IXFX30

IXFX38N80Q2 Data foglio dati PDF

Scarica la scheda tecnica IXFX38N80Q2 PDF e la documentazione IXYS per IXFX38N80Q2 - IXYS.

Schede tecniche
IXF(K,N,X)38N80Q2.pdf

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Paesi comuni Riferimento del tempo logistico
Regione Paese Tempo logistico (giorno)
America stati Uniti 5
Brasile 7
Europa Germania 5
Regno Unito 4
Italia 5
Oceania Australia 6
Nuova Zelanda 5
Asia India 4
Giappone 4
Medio Oriente Israele 6
DHL e FedEx Spedizione addebita riferimento
Accuse di spedizione (kg) Riferimento DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
Nota:
La tabella sopra è solo a riferimento.Potrebbe esserci un po 'di distorsione dei dati per i fattori incontrollabili.
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