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CasaCentro di prodottiProdotti a semiconduttore discretiTransistor-FET, MOSFET-singoloIXFX180N10
IXFX180N10 Image
Le immagini sono solo di riferimento, si prega di fare riferimento alle specifiche per ulteriori informazioni sul prodotto.
OPZIONE ESPRIT
Metodo di pagamento

IXFX180N10 - IXYS

fabbricante Modello di prodotti
IXFX180N10
fabbricante
IXYS Corporation
Allelco Modello di prodotti
32D-IXFX180N10
Modello ECAD
Descrizione delle parti
MOSFET N-CH 100V 180A PLUS247
Pacchetto
TO-247-3 Variant
Scheda dati
IXF(K,X)180N10.pdf
Stato RoHS
La nostra certificazione
In magazzino: 2710

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Quantità
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Specifiche

Specifiche tecnologiche IXFX180N10
Specifiche tecniche IXYS - IXFX180N10, attributi, parametri e parti con specifiche simili ad IXYS - IXFX180N10

Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
fabbricante IXYS Corporation  
Vgs (th) (max) a Id 4V @ 8mA  
Vgs (Max) ±20V  
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)  
Contenitore dispositivo fornitore PLUS247™-3  
Serie HiPerFET™  
Rds On (max) a Id, Vgs 8mOhm @ 90A, 10V  
Dissipazione di potenza (max) 560W (Tc)  
Contenitore / involucro TO-247-3 Variant  
Pacchetto Tube  
Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ)  
Tipo montaggio Through Hole  
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 10900 pF @ 25 V  
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 390 nC @ 10 V  
Tipo FET N-Channel  
Caratteristica FET -  
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 10V  
Tensione drain-source (Vdss) 100 V  
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 180A (Tc)  
Numero di prodotto di base IXFX180  

Classificazioni ambientali e di esportazione

ATTRIBUTO DESCRIZIONE
Stato RoHS
Livello di sensibilità all'umidità (MSL)
Raggiungere lo stato REACH Unaffected
ECCN EAR99
HTSUS

Componenti con specifiche simili

Le tre parti sulla destra hanno specifiche simili a quelle di IXYS IXFX180N10

Proprietà del prodotto IXFX180N10 IXFX180N085 IXFX15N100 IXFX21N100F
Modello di prodotti IXFX180N10 IXFX180N085 IXFX15N100 IXFX21N100F
fabbricante IXYS IXYS IXYS IXYS RF
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 390 nC @ 10 V 320 nC @ 10 V 220 nC @ 10 V 160nC @ 10V
Vgs (Max) ±20V ±20V ±20V ±20V
Serie HiPerFET™ HiPerFET™ HiPerFET™ HiPerRF™
Rds On (max) a Id, Vgs 8mOhm @ 90A, 10V 7mOhm @ 500mA, 10V 700mOhm @ 7.5A, 10V 500 mOhm @ 10.5A, 10V
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Dissipazione di potenza (max) 560W (Tc) 560W (Tc) 360W (Tc) 500W (Tc)
Caratteristica FET - - - -
Tipo montaggio Through Hole Through Hole Through Hole Through Hole
Tensione drain-source (Vdss) 100 V 85 V 1000 V 1000V
Pacchetto Tube Tube Tube -
Tipo FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Numero di prodotto di base IXFX180 IXFX180 IXFX15 -
Contenitore / involucro TO-247-3 Variant TO-247-3 Variant TO-247-3 Variant TO-247-3
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 10900 pF @ 25 V 9100 pF @ 25 V 4500 pF @ 25 V 5500pF @ 25V
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 180A (Tc) 180A (Tc) 15A (Tc) 21A (Tc)
Vgs (th) (max) a Id 4V @ 8mA 4V @ 8mA 4.5V @ 4mA 5.5V @ 4mA
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 10V 10V 10V 10V
Contenitore dispositivo fornitore PLUS247™-3 PLUS247™-3 PLUS247™-3 PLUS247™-3

IXFX180N10 Data foglio dati PDF

Scarica la scheda tecnica IXFX180N10 PDF e la documentazione IXYS per IXFX180N10 - IXYS.

PCN Obsolescence/ EOL
Mult Devices OBS 24/Feb/2014.pdf
Schede tecniche
IXF(K,X)180N10.pdf

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Paesi comuni Riferimento del tempo logistico
Regione Paese Tempo logistico (giorno)
America stati Uniti 5
Brasile 7
Europa Germania 5
Regno Unito 4
Italia 5
Oceania Australia 6
Nuova Zelanda 5
Asia India 4
Giappone 4
Medio Oriente Israele 6
DHL e FedEx Spedizione addebita riferimento
Accuse di spedizione (kg) Riferimento DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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