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CasaCentro di prodottiProdotti a semiconduttore discretiTransistor-FET, MOSFET-singoloIXFX15N100
IXFX15N100 Image
Le immagini sono solo di riferimento, si prega di fare riferimento alle specifiche per ulteriori informazioni sul prodotto.

IXFX15N100 - IXYS

fabbricante Modello di prodotti
IXFX15N100
fabbricante
IXYS Corporation
Allelco Modello di prodotti
32D-IXFX15N100
Modello ECAD
Descrizione delle parti
MOSFET N-CH 1000V 15A PLUS247-3
Descrizione dettagliata
Pacchetto
TO-247-3 Variant
Scheda dati
IXF(H,T,X)1(4,5)N100.pdf
In magazzino: 4580

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Quantità

Specifiche

Specifiche tecnologiche IXFX15N100
Specifiche tecniche IXYS - IXFX15N100, attributi, parametri e parti con specifiche simili ad IXYS - IXFX15N100

Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
fabbricante IXYS Corporation  
Vgs (th) (max) a Id 4.5V @ 4mA  
Vgs (Max) ±20V  
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)  
Contenitore dispositivo fornitore PLUS247™-3  
Serie HiPerFET™  
Rds On (max) a Id, Vgs 700mOhm @ 7.5A, 10V  
Dissipazione di potenza (max) 360W (Tc)  
Contenitore / involucro TO-247-3 Variant  
Pacchetto Tube  
Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ)  
Tipo montaggio Through Hole  
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 4500 pF @ 25 V  
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 220 nC @ 10 V  
Tipo FET N-Channel  
Caratteristica FET -  
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 10V  
Tensione drain-source (Vdss) 1000 V  
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 15A (Tc)  
Numero di prodotto di base IXFX15  

Componenti con specifiche simili

Le tre parti sulla destra hanno specifiche simili a quelle di IXYS IXFX15N100

Proprietà del prodotto IXFX15N100 IXFX200N10P IXFX21N100F IXFX120N65X2
Modello di prodotti IXFX15N100 IXFX200N10P IXFX21N100F IXFX120N65X2
fabbricante IXYS IXYS IXYS RF IXYS
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 220 nC @ 10 V 235 nC @ 10 V 160nC @ 10V 225 nC @ 10 V
Tensione drain-source (Vdss) 1000 V 100 V 1000V 650 V
Caratteristica FET - - - -
Tipo FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Dissipazione di potenza (max) 360W (Tc) 830W (Tc) 500W (Tc) 1250W (Tc)
Contenitore dispositivo fornitore PLUS247™-3 PLUS247™-3 PLUS247™-3 PLUS247™-3
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Contenitore / involucro TO-247-3 Variant TO-247-3 Variant TO-247-3 TO-247-3 Variant
Numero di prodotto di base IXFX15 IXFX200 - IXFX120
Serie HiPerFET™ HiPerFET™, Polar HiPerRF™ HiPerFET™, Ultra X2
Vgs (Max) ±20V ±20V ±20V ±30V
Pacchetto Tube Tube - Tube
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 4500 pF @ 25 V 7600 pF @ 25 V 5500pF @ 25V 15500 pF @ 25 V
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 15A (Tc) 200A (Tc) 21A (Tc) 120A (Tc)
Rds On (max) a Id, Vgs 700mOhm @ 7.5A, 10V 7.5mOhm @ 100A, 10V 500 mOhm @ 10.5A, 10V 24mOhm @ 60A, 10V
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 10V 10V 10V 10V
Vgs (th) (max) a Id 4.5V @ 4mA 5V @ 8mA 5.5V @ 4mA 5.5V @ 8mA
Tipo montaggio Through Hole Through Hole Through Hole Through Hole

IXFX15N100 Data foglio dati PDF

Scarica la scheda tecnica IXFX15N100 PDF e la documentazione IXYS per IXFX15N100 - IXYS.

PCN Obsolescence/ EOL
Mult Mosfet EOL 22/Mar/2017.pdf
Schede tecniche
IXF(H,T,X)1(4,5)N100.pdf

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Regione Paese Tempo logistico (giorno)
America stati Uniti 5
Brasile 7
Europa Germania 5
Regno Unito 4
Italia 5
Oceania Australia 6
Nuova Zelanda 5
Asia India 4
Giappone 4
Medio Oriente Israele 6
DHL e FedEx Spedizione addebita riferimento
Accuse di spedizione (kg) Riferimento DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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