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CasaCentro di prodottiProdotti a semiconduttore discretiTransistor-FET, MOSFET-singoloIXFR48N50Q
IXFR48N50Q Image
Le immagini sono solo di riferimento, si prega di fare riferimento alle specifiche per ulteriori informazioni sul prodotto.

IXFR48N50Q - IXYS

fabbricante Modello di prodotti
IXFR48N50Q
fabbricante
IXYS Corporation
Allelco Modello di prodotti
32D-IXFR48N50Q
Modello ECAD
Descrizione delle parti
MOSFET N-CH 500V 40A ISOPLUS247
Descrizione dettagliata
Pacchetto
TO-247-3
Scheda dati
IXFR(44,48)N50Q.pdf
Stato RoHS
In magazzino: 5450

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Quantità

Specifiche

Specifiche tecnologiche IXFR48N50Q
Specifiche tecniche IXYS - IXFR48N50Q, attributi, parametri e parti con specifiche simili ad IXYS - IXFR48N50Q

Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
fabbricante IXYS Corporation  
Vgs (th) (max) a Id 4V @ 4mA  
Vgs (Max) ±20V  
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)  
Contenitore dispositivo fornitore ISOPLUS247™  
Serie HiPerFET™, Q Class  
Rds On (max) a Id, Vgs 110mOhm @ 24A, 10V  
Dissipazione di potenza (max) 310W (Tc)  
Contenitore / involucro TO-247-3  
Pacchetto Tube  
Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ)  
Tipo montaggio Through Hole  
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 7000 pF @ 25 V  
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 190 nC @ 10 V  
Tipo FET N-Channel  
Caratteristica FET -  
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 10V  
Tensione drain-source (Vdss) 500 V  
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 40A (Tc)  
Numero di prodotto di base IXFR48  

Componenti con specifiche simili

Le tre parti sulla destra hanno specifiche simili a quelle di IXYS IXFR48N50Q

Proprietà del prodotto IXFR48N50Q IXFT140N10P IXFR32N50Q IXFR30N50Q
Modello di prodotti IXFR48N50Q IXFT140N10P IXFR32N50Q IXFR30N50Q
fabbricante IXYS IXYS IXYS IXYS
Contenitore dispositivo fornitore ISOPLUS247™ TO-268AA ISOPLUS247™ ISOPLUS247™
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 40A (Tc) 140A (Tc) 30A (Tc) 30A (Tc)
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (th) (max) a Id 4V @ 4mA 5V @ 4mA 4.5V @ 4mA 4V @ 4mA
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 10V 10V 10V 10V
Tipo montaggio Through Hole Surface Mount Through Hole Through Hole
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (max) a Id, Vgs 110mOhm @ 24A, 10V 11mOhm @ 70A, 10V 160mOhm @ 16A, 10V 160mOhm @ 15A, 10V
Contenitore / involucro TO-247-3 TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA TO-247-3 TO-247-3
Serie HiPerFET™, Q Class HiPerFET™, Polar HiPerFET™ HiPerFET™
Pacchetto Tube Box Tube Tube
Numero di prodotto di base IXFR48 IXFT140 IXFR32 IXFR30
Tensione drain-source (Vdss) 500 V 100 V 500 V 500 V
Caratteristica FET - - - -
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 190 nC @ 10 V 155 nC @ 10 V 150 nC @ 10 V 150 nC @ 10 V
Vgs (Max) ±20V ±20V ±20V ±20V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 7000 pF @ 25 V 4700 pF @ 25 V 3950 pF @ 25 V 3950 pF @ 25 V
Tipo FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Dissipazione di potenza (max) 310W (Tc) 600W (Tc) 310W (Tc) 310W (Tc)

IXFR48N50Q Data foglio dati PDF

Scarica la scheda tecnica IXFR48N50Q PDF e la documentazione IXYS per IXFR48N50Q - IXYS.

Schede tecniche
IXFR(44,48)N50Q.pdf

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Europa Germania 5
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Italia 5
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Nuova Zelanda 5
Asia India 4
Giappone 4
Medio Oriente Israele 6
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0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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