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CasaCentro di prodottiProdotti a semiconduttore discretiTransistor-FET, MOSFET-singoloIXFR36N60P
IXFR36N60P Image
Le immagini sono solo di riferimento, si prega di fare riferimento alle specifiche per ulteriori informazioni sul prodotto.

IXFR36N60P - IXYS

fabbricante Modello di prodotti
IXFR36N60P
fabbricante
IXYS Corporation
Allelco Modello di prodotti
32D-IXFR36N60P
Modello ECAD
Descrizione delle parti
MOSFET N-CH 600V 20A ISOPLUS247
Descrizione dettagliata
Pacchetto
TO-247-3
Scheda dati
IXFR36N60P.pdf
Stato RoHS
In magazzino: 3071

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Quantità

Specifiche

Specifiche tecnologiche IXFR36N60P
Specifiche tecniche IXYS - IXFR36N60P, attributi, parametri e parti con specifiche simili ad IXYS - IXFR36N60P

Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
fabbricante IXYS Corporation  
Vgs (th) (max) a Id 5V @ 4mA  
Vgs (Max) ±30V  
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)  
Contenitore dispositivo fornitore ISOPLUS247™  
Serie HiPerFET™, Polar  
Rds On (max) a Id, Vgs 200mOhm @ 18A, 10V  
Dissipazione di potenza (max) 208W (Tc)  
Contenitore / involucro TO-247-3  
Pacchetto Tube  
Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ)  
Tipo montaggio Through Hole  
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 5800 pF @ 25 V  
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 102 nC @ 10 V  
Tipo FET N-Channel  
Caratteristica FET -  
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 10V  
Tensione drain-source (Vdss) 600 V  
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 20A (Tc)  
Numero di prodotto di base IXFR36  

Componenti con specifiche simili

Le tre parti sulla destra hanno specifiche simili a quelle di IXYS IXFR36N60P

Proprietà del prodotto IXFR36N60P IXFR36N50P IXFR30N50Q IXFR4N100Q
Modello di prodotti IXFR36N60P IXFR36N50P IXFR30N50Q IXFR4N100Q
fabbricante IXYS IXYS IXYS IXYS
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 102 nC @ 10 V 93 nC @ 10 V 150 nC @ 10 V 39 nC @ 10 V
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 10V 10V 10V 10V
Contenitore dispositivo fornitore ISOPLUS247™ ISOPLUS247™ ISOPLUS247™ ISOPLUS247™
Tipo montaggio Through Hole Through Hole Through Hole Through Hole
Pacchetto Tube Tube Tube Box
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 5800 pF @ 25 V 5500 pF @ 25 V 3950 pF @ 25 V 1050 pF @ 25 V
Vgs (Max) ±30V ±30V ±20V ±20V
Dissipazione di potenza (max) 208W (Tc) 156W (Tc) 310W (Tc) 80W (Tc)
Tipo FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 20A (Tc) 19A (Tc) 30A (Tc) 3.5A (Tc)
Numero di prodotto di base IXFR36 IXFR36 IXFR30 IXFR4N100
Vgs (th) (max) a Id 5V @ 4mA 5V @ 4mA 4V @ 4mA 5V @ 1.5mA
Caratteristica FET - - - -
Contenitore / involucro TO-247-3 TO-247-3 TO-247-3 TO-247-3
Tensione drain-source (Vdss) 600 V 500 V 500 V 1000 V
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Serie HiPerFET™, Polar HiPerFET™, Polar HiPerFET™ HiPerFET™, Q Class
Rds On (max) a Id, Vgs 200mOhm @ 18A, 10V 190mOhm @ 18A, 10V 160mOhm @ 15A, 10V 3Ohm @ 2A, 10V

IXFR36N60P Data foglio dati PDF

Scarica la scheda tecnica IXFR36N60P PDF e la documentazione IXYS per IXFR36N60P - IXYS.

Schede tecniche
IXFR36N60P.pdf

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Regione Paese Tempo logistico (giorno)
America stati Uniti 5
Brasile 7
Europa Germania 5
Regno Unito 4
Italia 5
Oceania Australia 6
Nuova Zelanda 5
Asia India 4
Giappone 4
Medio Oriente Israele 6
DHL e FedEx Spedizione addebita riferimento
Accuse di spedizione (kg) Riferimento DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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