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CasaCentro di prodottiProdotti a semiconduttore discretiTransistor-FET, MOSFET-singoloIXFR200N10P
IXFR200N10P Image
Le immagini sono solo di riferimento, si prega di fare riferimento alle specifiche per ulteriori informazioni sul prodotto.

IXFR200N10P - IXYS

fabbricante Modello di prodotti
IXFR200N10P
fabbricante
IXYS Corporation
Allelco Modello di prodotti
32D-IXFR200N10P
Modello ECAD
Descrizione delle parti
MOSFET N-CH 100V 133A ISOPLUS247
Descrizione dettagliata
Pacchetto
TO-247-3
Scheda dati
IXFR200N10P.pdf
Stato RoHS
In magazzino: 3723

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Quantità

Specifiche

Specifiche tecnologiche IXFR200N10P
Specifiche tecniche IXYS - IXFR200N10P, attributi, parametri e parti con specifiche simili ad IXYS - IXFR200N10P

Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
fabbricante IXYS Corporation  
Vgs (th) (max) a Id 5V @ 8mA  
Vgs (Max) ±20V  
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)  
Contenitore dispositivo fornitore ISOPLUS247™  
Serie HiPerFET™, Polar  
Rds On (max) a Id, Vgs 9mOhm @ 100A, 10V  
Dissipazione di potenza (max) 300W (Tc)  
Contenitore / involucro TO-247-3  
Pacchetto Box  
Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
temperatura di esercizio -55°C ~ 175°C (TJ)  
Tipo montaggio Through Hole  
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 7600 pF @ 25 V  
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 235 nC @ 10 V  
Tipo FET N-Channel  
Caratteristica FET -  
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 10V  
Tensione drain-source (Vdss) 100 V  
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 133A (Tc)  
Numero di prodotto di base IXFR200  

Componenti con specifiche simili

Le tre parti sulla destra hanno specifiche simili a quelle di IXYS IXFR200N10P

Proprietà del prodotto IXFR200N10P IXFR24N50Q IXFR26N60Q IXFR180N10
Modello di prodotti IXFR200N10P IXFR24N50Q IXFR26N60Q IXFR180N10
fabbricante IXYS IXYS IXYS IXYS
Vgs (Max) ±20V ±20V ±20V ±20V
Caratteristica FET - - - -
Numero di prodotto di base IXFR200 IXFR24 IXFR26 IXFR180
Tipo montaggio Through Hole Through Hole Through Hole Through Hole
temperatura di esercizio -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Pacchetto Box Tube Tube Tube
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 235 nC @ 10 V 95 nC @ 10 V 200 nC @ 10 V 400 nC @ 10 V
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 10V 10V 10V 10V
Contenitore / involucro TO-247-3 TO-247-3 TO-247-3 TO-247-3
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 7600 pF @ 25 V 3900 pF @ 25 V 5100 pF @ 25 V 9400 pF @ 25 V
Contenitore dispositivo fornitore ISOPLUS247™ ISOPLUS247™ ISOPLUS247™ ISOPLUS247™
Rds On (max) a Id, Vgs 9mOhm @ 100A, 10V 230mOhm @ 12A, 10V 250mOhm @ 13A, 10V 8mOhm @ 90A, 10V
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 133A (Tc) 22A (Tc) 23A (Tc) 165A (Tc)
Tensione drain-source (Vdss) 100 V 500 V 600 V 100 V
Vgs (th) (max) a Id 5V @ 8mA 4.5V @ 4mA 4.5V @ 4mA 4V @ 8mA
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Dissipazione di potenza (max) 300W (Tc) 250W (Tc) 310W (Tc) 400W (Tc)
Serie HiPerFET™, Polar HiPerFET™ HiPerFET™ HiPerFET™
Tipo FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel

IXFR200N10P Data foglio dati PDF

Scarica la scheda tecnica IXFR200N10P PDF e la documentazione IXYS per IXFR200N10P - IXYS.

Schede tecniche
IXFR200N10P.pdf

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Europa Germania 5
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Oceania Australia 6
Nuova Zelanda 5
Asia India 4
Giappone 4
Medio Oriente Israele 6
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0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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