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CasaCentro di prodottiProdotti a semiconduttore discretiTransistor-FET, MOSFET-singoloIXFR180N10
IXFR180N10 Image
Le immagini sono solo di riferimento, si prega di fare riferimento alle specifiche per ulteriori informazioni sul prodotto.

IXFR180N10 - IXYS

fabbricante Modello di prodotti
IXFR180N10
fabbricante
IXYS Corporation
Allelco Modello di prodotti
32D-IXFR180N10
Modello ECAD
Descrizione delle parti
MOSFET N-CH 100V 165A ISOPLUS247
Descrizione dettagliata
Pacchetto
TO-247-3
Scheda dati
IXFR180N10.pdf
Stato RoHS
In magazzino: 2874

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Specifiche

Specifiche tecnologiche IXFR180N10
Specifiche tecniche IXYS - IXFR180N10, attributi, parametri e parti con specifiche simili ad IXYS - IXFR180N10

Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
fabbricante IXYS Corporation  
Vgs (th) (max) a Id 4V @ 8mA  
Vgs (Max) ±20V  
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)  
Contenitore dispositivo fornitore ISOPLUS247™  
Serie HiPerFET™  
Rds On (max) a Id, Vgs 8mOhm @ 90A, 10V  
Dissipazione di potenza (max) 400W (Tc)  
Contenitore / involucro TO-247-3  
Pacchetto Tube  
Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ)  
Tipo montaggio Through Hole  
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 9400 pF @ 25 V  
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 400 nC @ 10 V  
Tipo FET N-Channel  
Caratteristica FET -  
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 10V  
Tensione drain-source (Vdss) 100 V  
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 165A (Tc)  
Numero di prodotto di base IXFR180  

Componenti con specifiche simili

Le tre parti sulla destra hanno specifiche simili a quelle di IXYS IXFR180N10

Proprietà del prodotto IXFR180N10 IXFR26N60Q IXFR21N100Q IXFR10N100Q
Modello di prodotti IXFR180N10 IXFR26N60Q IXFR21N100Q IXFR10N100Q
fabbricante IXYS IXYS IXYS IXYS
Tipo montaggio Through Hole Through Hole Through Hole Through Hole
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 165A (Tc) 23A (Tc) 18A (Tc) 9A (Tc)
Contenitore / involucro TO-247-3 TO-247-3 TO-247-3 TO-247-3
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 10V 10V 10V 10V
Serie HiPerFET™ HiPerFET™ HiPerFET™, Q Class HiPerFET™, Q Class
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Pacchetto Tube Tube Tube Tube
Rds On (max) a Id, Vgs 8mOhm @ 90A, 10V 250mOhm @ 13A, 10V 500mOhm @ 10.5A, 10V 1.2Ohm @ 5A, 10V
Vgs (Max) ±20V ±20V ±20V ±20V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 9400 pF @ 25 V 5100 pF @ 25 V 5900 pF @ 25 V 2900 pF @ 25 V
Contenitore dispositivo fornitore ISOPLUS247™ ISOPLUS247™ ISOPLUS247™ ISOPLUS247™
Dissipazione di potenza (max) 400W (Tc) 310W (Tc) 350W (Tc) 250W (Tc)
Vgs (th) (max) a Id 4V @ 8mA 4.5V @ 4mA 5V @ 4mA 5.5V @ 4mA
Caratteristica FET - - - -
Tensione drain-source (Vdss) 100 V 600 V 1000 V 1000 V
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 400 nC @ 10 V 200 nC @ 10 V 170 nC @ 10 V 90 nC @ 10 V
Tipo FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Numero di prodotto di base IXFR180 IXFR26 IXFR21 IXFR10

IXFR180N10 Data foglio dati PDF

Scarica la scheda tecnica IXFR180N10 PDF e la documentazione IXYS per IXFR180N10 - IXYS.

PCN Obsolescence/ EOL
Mult Devices OBS 24/Feb/2014.pdf
Schede tecniche
IXFR180N10.pdf

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Regione Paese Tempo logistico (giorno)
America stati Uniti 5
Brasile 7
Europa Germania 5
Regno Unito 4
Italia 5
Oceania Australia 6
Nuova Zelanda 5
Asia India 4
Giappone 4
Medio Oriente Israele 6
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Accuse di spedizione (kg) Riferimento DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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