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CasaCentro di prodottiProdotti a semiconduttore discretiTransistor-FET, MOSFET-singoloIXFN80N60P3
IXYS
Le immagini sono solo di riferimento, si prega di fare riferimento alle specifiche per ulteriori informazioni sul prodotto.

IXFN80N60P3 - IXYS

fabbricante Modello di prodotti
IXFN80N60P3
fabbricante
IXYS Corporation
Allelco Modello di prodotti
32D-IXFN80N60P3
Modello ECAD
Descrizione delle parti
MOSFET N-CH 600V 66A SOT-227B
Descrizione dettagliata
Pacchetto
SOT-227-4, miniBLOC
Scheda dati
IXFN80N60P3.pdf
Stato RoHS
In magazzino: 1146

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Quantità

Specifiche

Specifiche tecnologiche IXFN80N60P3
Specifiche tecniche IXYS - IXFN80N60P3, attributi, parametri e parti con specifiche simili ad IXYS - IXFN80N60P3

Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
fabbricante IXYS Corporation  
Vgs (th) (max) a Id 5V @ 8mA  
Vgs (Max) ±30V  
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)  
Contenitore dispositivo fornitore SOT-227B  
Serie HiPerFET™, Polar3™  
Rds On (max) a Id, Vgs 70mOhm @ 40A, 10V  
Dissipazione di potenza (max) 960W (Tc)  
Contenitore / involucro SOT-227-4, miniBLOC  
Pacchetto Tube  
Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ)  
Tipo montaggio Chassis Mount  
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 13100 pF @ 25 V  
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 190 nC @ 10 V  
Tipo FET N-Channel  
Caratteristica FET -  
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 10V  
Tensione drain-source (Vdss) 600 V  
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 66A (Tc)  
Numero di prodotto di base IXFN80  

Componenti con specifiche simili

Le tre parti sulla destra hanno specifiche simili a quelle di IXYS IXFN80N60P3

Proprietà del prodotto IXFN80N60P3 IXFP12N50P IXFP110N15T2 IXFN80N50Q3
Modello di prodotti IXFN80N60P3 IXFP12N50P IXFP110N15T2 IXFN80N50Q3
fabbricante IXYS IXYS IXYS IXYS
Tipo FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Serie HiPerFET™, Polar3™ HiPerFET™, Polar HiPerFET™, TrenchT2™ HiPerFET™, Q3 Class
Vgs (th) (max) a Id 5V @ 8mA 5.5V @ 1mA 4.5V @ 250µA 6.5V @ 8mA
Tensione drain-source (Vdss) 600 V 500 V 150 V 500 V
Dissipazione di potenza (max) 960W (Tc) 200W (Tc) 480W (Tc) 780W (Tc)
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 10V 10V 10V 10V
Vgs (Max) ±30V ±30V ±20V ±30V
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo montaggio Chassis Mount Through Hole Through Hole Chassis Mount
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 66A (Tc) 12A (Tc) 110A (Tc) 63A (Tc)
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Rds On (max) a Id, Vgs 70mOhm @ 40A, 10V 500mOhm @ 6A, 10V 13mOhm @ 55A, 10V 65mOhm @ 40A, 10V
Contenitore dispositivo fornitore SOT-227B TO-220-3 TO-220-3 SOT-227B
Contenitore / involucro SOT-227-4, miniBLOC TO-220-3 TO-220-3 SOT-227-4, miniBLOC
Pacchetto Tube Tube Tube Tube
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 13100 pF @ 25 V 1830 pF @ 25 V 8600 pF @ 25 V 10000 pF @ 25 V
Numero di prodotto di base IXFN80 IXFP12 IXFP110 IXFN80
Caratteristica FET - - - -
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 190 nC @ 10 V 29 nC @ 10 V 150 nC @ 10 V 200 nC @ 10 V

IXFN80N60P3 Data foglio dati PDF

Scarica la scheda tecnica IXFN80N60P3 PDF e la documentazione IXYS per IXFN80N60P3 - IXYS.

Schede tecniche
IXFN80N60P3.pdf

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Europa Germania 5
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Italia 5
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Nuova Zelanda 5
Asia India 4
Giappone 4
Medio Oriente Israele 6
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Accuse di spedizione (kg) Riferimento DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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