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CasaCentro di prodottiProdotti a semiconduttore discretiTransistor-FET, MOSFET-singoloIXFN80N50
IXYS
Le immagini sono solo di riferimento, si prega di fare riferimento alle specifiche per ulteriori informazioni sul prodotto.

IXFN80N50 - IXYS

fabbricante Modello di prodotti
IXFN80N50
fabbricante
IXYS Corporation
Allelco Modello di prodotti
32D-IXFN80N50
Modello ECAD
Descrizione delle parti
MOSFET N-CH 500V 80A SOT-227B
Descrizione dettagliata
Pacchetto
SOT-227-4, miniBLOC
Scheda dati
IXFN80N50.pdf
Stato RoHS
In magazzino: 947

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Specifiche

Specifiche tecnologiche IXFN80N50
Specifiche tecniche IXYS - IXFN80N50, attributi, parametri e parti con specifiche simili ad IXYS - IXFN80N50

Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
fabbricante IXYS Corporation  
Vgs (th) (max) a Id 4.5V @ 8mA  
Vgs (Max) ±20V  
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)  
Contenitore dispositivo fornitore SOT-227B  
Serie HiPerFET™  
Rds On (max) a Id, Vgs 55mOhm @ 500mA, 10V  
Dissipazione di potenza (max) 700W (Tc)  
Contenitore / involucro SOT-227-4, miniBLOC  
Pacchetto Tube  
Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ)  
Tipo montaggio Chassis Mount  
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 9890 pF @ 25 V  
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 380 nC @ 10 V  
Tipo FET N-Channel  
Caratteristica FET -  
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 10V  
Tensione drain-source (Vdss) 500 V  
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 66A (Tc)  
Numero di prodotto di base IXFN80  

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Le tre parti sulla destra hanno specifiche simili a quelle di IXYS IXFN80N50

Proprietà del prodotto IXFN80N50 IXFN80N50P IXFN80N50Q2 IXFN80N48
Modello di prodotti IXFN80N50 IXFN80N50P IXFN80N50Q2 IXFN80N48
fabbricante IXYS IXYS IXYS IXYS
Pacchetto Tube Tube Tube Tube
Tipo montaggio Chassis Mount Chassis Mount Chassis Mount Chassis Mount
Numero di prodotto di base IXFN80 IXFN80 IXFN80 IXFN80
Caratteristica FET - - - -
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 380 nC @ 10 V 195 nC @ 10 V 250 nC @ 10 V 380 nC @ 10 V
Contenitore dispositivo fornitore SOT-227B SOT-227B SOT-227B SOT-227B
Serie HiPerFET™ HiPerFET™, Polar HiPerFET™, Q2 Class HiPerFET™
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 10V 10V 10V 10V
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Tipo FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 9890 pF @ 25 V 12700 pF @ 25 V 12800 pF @ 25 V 9890 pF @ 25 V
Contenitore / involucro SOT-227-4, miniBLOC SOT-227-4, miniBLOC SOT-227-4, miniBLOC SOT-227-4, miniBLOC
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 66A (Tc) 66A (Tc) 72A (Tc) 80A (Tc)
Tensione drain-source (Vdss) 500 V 500 V 500 V 480 V
Vgs (Max) ±20V ±30V ±30V ±20V
Dissipazione di potenza (max) 700W (Tc) 700W (Tc) 890W (Tc) 700W (Tc)
Vgs (th) (max) a Id 4.5V @ 8mA 5V @ 8mA 4.5V @ 8mA 4V @ 8mA
Rds On (max) a Id, Vgs 55mOhm @ 500mA, 10V 65mOhm @ 500mA, 10V 60mOhm @ 500mA, 10V 45mOhm @ 500mA, 10V

IXFN80N50 Data foglio dati PDF

Scarica la scheda tecnica IXFN80N50 PDF e la documentazione IXYS per IXFN80N50 - IXYS.

PCN Obsolescence/ EOL
Mult Devices OBS 24/Feb/2014.pdf
Schede tecniche
IXFN80N50.pdf

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Europa Germania 5
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Italia 5
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Nuova Zelanda 5
Asia India 4
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Medio Oriente Israele 6
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Accuse di spedizione (kg) Riferimento DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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