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CasaCentro di prodottiProdotti a semiconduttore discretiTransistor-FET, MOSFET-singoloIXFN48N50U2
IXYS
Le immagini sono solo di riferimento, si prega di fare riferimento alle specifiche per ulteriori informazioni sul prodotto.
OPZIONE ESPRIT
Metodo di pagamento

IXFN48N50U2 - IXYS

fabbricante Modello di prodotti
IXFN48N50U2
fabbricante
IXYS Corporation
Allelco Modello di prodotti
32D-IXFN48N50U2
Modello ECAD
Descrizione delle parti
MOSFET N-CH 500V 48A SOT-227B
Pacchetto
SOT-227-4, miniBLOC
Scheda dati
IXFN(44,48)N50U2/3.pdf
La nostra certificazione
In magazzino: 4580

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Specifiche

Specifiche tecnologiche IXFN48N50U2
Specifiche tecniche IXYS - IXFN48N50U2, attributi, parametri e parti con specifiche simili ad IXYS - IXFN48N50U2

Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
fabbricante IXYS Corporation  
Vgs (th) (max) a Id 4V @ 8mA  
Vgs (Max) ±20V  
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)  
Contenitore dispositivo fornitore SOT-227B  
Serie HiPerFET™  
Rds On (max) a Id, Vgs 100mOhm @ 500mA, 10V  
Dissipazione di potenza (max) 520W (Tc)  
Contenitore / involucro SOT-227-4, miniBLOC  
Pacchetto Tube  
Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
temperatura di esercizio -40°C ~ 150°C (TJ)  
Tipo montaggio Chassis Mount  
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 8400 pF @ 25 V  
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 270 nC @ 10 V  
Tipo FET N-Channel  
Caratteristica FET -  
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 10V  
Tensione drain-source (Vdss) 500 V  
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 48A (Tc)  
Numero di prodotto di base IXFN48  

Classificazioni ambientali e di esportazione

ATTRIBUTO DESCRIZIONE
Stato RoHS
Livello di sensibilità all'umidità (MSL) 1 (Unlimited)
Raggiungere lo stato REACH Unaffected
ECCN EAR99
HTSUS

Componenti con specifiche simili

Le tre parti sulla destra hanno specifiche simili a quelle di IXYS IXFN48N50U2

Proprietà del prodotto IXFN48N50U2 IXFN48N50Q IXFN48N55 IXFN48N50U3
Modello di prodotti IXFN48N50U2 IXFN48N50Q IXFN48N55 IXFN48N50U3
fabbricante IXYS IXYS IXYS IXYS
Vgs (Max) ±20V ±20V ±20V ±20V
Vgs (th) (max) a Id 4V @ 8mA 4V @ 4mA 4.5V @ 8mA 4V @ 8mA
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Tensione drain-source (Vdss) 500 V 500 V 550 V 500 V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 270 nC @ 10 V 190 nC @ 10 V 330 nC @ 10 V 270 nC @ 10 V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 8400 pF @ 25 V 7000 pF @ 25 V 8900 pF @ 25 V 8400 pF @ 25 V
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 10V 10V 10V 10V
Serie HiPerFET™ HiPerFET™, Q Class HiPerFET™ HiPerFET™
Numero di prodotto di base IXFN48 IXFN48 IXFN48 IXFN48
Caratteristica FET - - - -
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 48A (Tc) 48A (Tc) 48A (Tc) 48A (Tc)
Contenitore / involucro SOT-227-4, miniBLOC SOT-227-4, miniBLOC SOT-227-4, miniBLOC SOT-227-4, miniBLOC
Tipo montaggio Chassis Mount Chassis Mount Chassis Mount Chassis Mount
Dissipazione di potenza (max) 520W (Tc) 500W (Tc) 600W (Tc) 520W (Tc)
Tipo FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Contenitore dispositivo fornitore SOT-227B SOT-227B SOT-227B SOT-227B
Pacchetto Tube Tube Tube Tube
Rds On (max) a Id, Vgs 100mOhm @ 500mA, 10V 100mOhm @ 500mA, 10V 110mOhm @ 500mA, 10V 100mOhm @ 500mA, 10V
temperatura di esercizio -40°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -40°C ~ 150°C (TJ)

IXFN48N50U2 Data foglio dati PDF

Scarica la scheda tecnica IXFN48N50U2 PDF e la documentazione IXYS per IXFN48N50U2 - IXYS.

Schede tecniche
IXFN(44,48)N50U2/3.pdf
PCN Obsolescence/ EOL
IXFN44(8)N80U2,3 Devices 28/Aug/2013.pdf

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Paesi comuni Riferimento del tempo logistico
Regione Paese Tempo logistico (giorno)
America stati Uniti 5
Brasile 7
Europa Germania 5
Regno Unito 4
Italia 5
Oceania Australia 6
Nuova Zelanda 5
Asia India 4
Giappone 4
Medio Oriente Israele 6
DHL e FedEx Spedizione addebita riferimento
Accuse di spedizione (kg) Riferimento DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
Nota:
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