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CasaCentro di prodottiProdotti a semiconduttore discretiTransistor-FET, MOSFET-singoloIXFN48N50
IXYS
Le immagini sono solo di riferimento, si prega di fare riferimento alle specifiche per ulteriori informazioni sul prodotto.

IXFN48N50 - IXYS

fabbricante Modello di prodotti
IXFN48N50
fabbricante
IXYS Corporation
Allelco Modello di prodotti
32D-IXFN48N50
Modello ECAD
Descrizione delle parti
MOSFET N-CH 500V 48A SOT-227B
Descrizione dettagliata
Pacchetto
SOT-227-4, miniBLOC
Scheda dati
IXFx4xN50.pdf
Stato RoHS
In magazzino: 1077

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Quantità

Specifiche

Specifiche tecnologiche IXFN48N50
Specifiche tecniche IXYS - IXFN48N50, attributi, parametri e parti con specifiche simili ad IXYS - IXFN48N50

Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
fabbricante IXYS Corporation  
Vgs (th) (max) a Id 4V @ 8mA  
Vgs (Max) ±20V  
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)  
Contenitore dispositivo fornitore SOT-227B  
Serie HiPerFET™  
Rds On (max) a Id, Vgs 100mOhm @ 500mA, 10V  
Dissipazione di potenza (max) 520W (Tc)  
Contenitore / involucro SOT-227-4, miniBLOC  
Pacchetto Tube  
Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ)  
Tipo montaggio Chassis Mount  
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 8400 pF @ 25 V  
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 270 nC @ 10 V  
Tipo FET N-Channel  
Caratteristica FET -  
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 10V  
Tensione drain-source (Vdss) 500 V  
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 48A (Tc)  
Numero di prodotto di base IXFN48  

Componenti con specifiche simili

Le tre parti sulla destra hanno specifiche simili a quelle di IXYS IXFN48N50

Proprietà del prodotto IXFN48N50 IXFN50N120SK IXFN44N100Q3 IXFN44N50U3
Modello di prodotti IXFN48N50 IXFN50N120SK IXFN44N100Q3 IXFN44N50U3
fabbricante IXYS IXYS IXYS IXYS
Contenitore / involucro SOT-227-4, miniBLOC SOT-227-4, miniBLOC SOT-227-4, miniBLOC SOT-227-4, miniBLOC
Vgs (Max) ±20V +20V, -5V ±30V ±20V
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 10V 20V 10V 10V
Numero di prodotto di base IXFN48 IXFN50 IXFN44 IXFN44
Caratteristica FET - - - -
Rds On (max) a Id, Vgs 100mOhm @ 500mA, 10V 52mOhm @ 40A, 20V 220mOhm @ 22A, 10V 120mOhm @ 500mA, 10V
Vgs (th) (max) a Id 4V @ 8mA 2.8V @ 10mA 6.5V @ 8mA 4V @ 8mA
Pacchetto Tube Tube Tube Tube
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 8400 pF @ 25 V 1895 pF @ 1000 V 13600 pF @ 25 V 8400 pF @ 25 V
Serie HiPerFET™ - HiPerFET™, Q3 Class HiPerFET™
Dissipazione di potenza (max) 520W (Tc) - 960W (Tc) 520W (Tc)
Tipo montaggio Chassis Mount Chassis Mount Chassis Mount Chassis Mount
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) SiCFET (Silicon Carbide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Tensione drain-source (Vdss) 500 V 1200 V 1000 V 500 V
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ) -40°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -40°C ~ 150°C (TJ)
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 270 nC @ 10 V 115 nC @ 20 V 264 nC @ 10 V 270 nC @ 10 V
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 48A (Tc) 48A (Tc) 38A (Tc) 44A (Tc)
Contenitore dispositivo fornitore SOT-227B SOT-227B SOT-227B SOT-227B
Tipo FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel

IXFN48N50 Data foglio dati PDF

Scarica la scheda tecnica IXFN48N50 PDF e la documentazione IXYS per IXFN48N50 - IXYS.

Schede tecniche
IXFx4xN50.pdf

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Regione Paese Tempo logistico (giorno)
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Europa Germania 5
Regno Unito 4
Italia 5
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Nuova Zelanda 5
Asia India 4
Giappone 4
Medio Oriente Israele 6
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0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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