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CasaCentro di prodottiProdotti a semiconduttore discretiTransistor-FET, MOSFET-singoloIXFN420N10T
IXYS
Le immagini sono solo di riferimento, si prega di fare riferimento alle specifiche per ulteriori informazioni sul prodotto.

IXFN420N10T - IXYS

fabbricante Modello di prodotti
IXFN420N10T
fabbricante
IXYS Corporation
Allelco Modello di prodotti
32D-IXFN420N10T
Modello ECAD
Descrizione delle parti
MOSFET N-CH 100V 420A SOT227B
Descrizione dettagliata
Pacchetto
SOT-227-4, miniBLOC
Scheda dati
IXFN420N10T.pdf
Stato RoHS
In magazzino: 1677

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Specifiche

Specifiche tecnologiche IXFN420N10T
Specifiche tecniche IXYS - IXFN420N10T, attributi, parametri e parti con specifiche simili ad IXYS - IXFN420N10T

Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
fabbricante IXYS Corporation  
Vgs (th) (max) a Id 5V @ 8mA  
Vgs (Max) ±20V  
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)  
Contenitore dispositivo fornitore SOT-227B  
Serie HiPerFET™, Trench  
Rds On (max) a Id, Vgs 2.3mOhm @ 60A, 10V  
Dissipazione di potenza (max) 1070W (Tc)  
Contenitore / involucro SOT-227-4, miniBLOC  
Pacchetto Tube  
Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
temperatura di esercizio -55°C ~ 175°C (TJ)  
Tipo montaggio Chassis Mount  
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 47000 pF @ 25 V  
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 670 nC @ 10 V  
Tipo FET N-Channel  
Caratteristica FET -  
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 10V  
Tensione drain-source (Vdss) 100 V  
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 420A (Tc)  
Numero di prodotto di base IXFN420  

Componenti con specifiche simili

Le tre parti sulla destra hanno specifiche simili a quelle di IXYS IXFN420N10T

Proprietà del prodotto IXFN420N10T IXFN38N80Q2 IXFN44N100Q3 IXFN44N50U2
Modello di prodotti IXFN420N10T IXFN38N80Q2 IXFN44N100Q3 IXFN44N50U2
fabbricante IXYS IXYS IXYS IXYS
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 47000 pF @ 25 V 8340 pF @ 25 V 13600 pF @ 25 V 8400 pF @ 25 V
Pacchetto Tube Tube Tube Tube
Vgs (Max) ±20V ±30V ±30V ±20V
Numero di prodotto di base IXFN420 IXFN38 IXFN44 IXFN44
Caratteristica FET - - - -
Tipo montaggio Chassis Mount Chassis Mount Chassis Mount Chassis Mount
Contenitore / involucro SOT-227-4, miniBLOC SOT-227-4, miniBLOC SOT-227-4, miniBLOC SOT-227-4, miniBLOC
Rds On (max) a Id, Vgs 2.3mOhm @ 60A, 10V 220mOhm @ 500mA, 10V 220mOhm @ 22A, 10V 120mOhm @ 500mA, 10V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 670 nC @ 10 V 190 nC @ 10 V 264 nC @ 10 V 270 nC @ 10 V
Serie HiPerFET™, Trench HiPerFET™, Q2 Class HiPerFET™, Q3 Class HiPerFET™
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 10V 10V 10V 10V
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 420A (Tc) 38A (Tc) 38A (Tc) 44A (Tc)
Vgs (th) (max) a Id 5V @ 8mA 4.5V @ 8mA 6.5V @ 8mA 4V @ 8mA
Dissipazione di potenza (max) 1070W (Tc) 735W (Tc) 960W (Tc) 520W (Tc)
Tipo FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
temperatura di esercizio -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -40°C ~ 150°C (TJ)
Tensione drain-source (Vdss) 100 V 800 V 1000 V 500 V
Contenitore dispositivo fornitore SOT-227B SOT-227B SOT-227B SOT-227B

IXFN420N10T Data foglio dati PDF

Scarica la scheda tecnica IXFN420N10T PDF e la documentazione IXYS per IXFN420N10T - IXYS.

Schede tecniche
IXFN420N10T.pdf

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Europa Germania 5
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Nuova Zelanda 5
Asia India 4
Giappone 4
Medio Oriente Israele 6
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0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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