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CasaCentro di prodottiProdotti a semiconduttore discretiTransistor-FET, MOSFET-singoloIXFN40N110P
IXYS
Le immagini sono solo di riferimento, si prega di fare riferimento alle specifiche per ulteriori informazioni sul prodotto.

IXFN40N110P - IXYS

fabbricante Modello di prodotti
IXFN40N110P
fabbricante
IXYS Corporation
Allelco Modello di prodotti
32D-IXFN40N110P
Modello ECAD
Descrizione delle parti
MOSFET N-CH 1100V 34A SOT-227B
Descrizione dettagliata
Pacchetto
SOT-227-4, miniBLOC
Scheda dati
IXFN40N110P.pdf
Stato RoHS
In magazzino: 5450

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Quantità

Specifiche

Specifiche tecnologiche IXFN40N110P
Specifiche tecniche IXYS - IXFN40N110P, attributi, parametri e parti con specifiche simili ad IXYS - IXFN40N110P

Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
fabbricante IXYS Corporation  
Vgs (th) (max) a Id 6.5V @ 1mA  
Vgs (Max) ±30V  
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)  
Contenitore dispositivo fornitore SOT-227B  
Serie HiPerFET™, Polar  
Rds On (max) a Id, Vgs 260mOhm @ 20A, 10V  
Dissipazione di potenza (max) 890W (Tc)  
Contenitore / involucro SOT-227-4, miniBLOC  
Pacchetto Tube  
Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ)  
Tipo montaggio Chassis Mount  
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 19000 pF @ 25 V  
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 310 nC @ 10 V  
Tipo FET N-Channel  
Caratteristica FET -  
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 10V  
Tensione drain-source (Vdss) 1100 V  
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 34A (Tc)  
Numero di prodotto di base IXFN40  

Componenti con specifiche simili

Le tre parti sulla destra hanno specifiche simili a quelle di IXYS IXFN40N110P

Proprietà del prodotto IXFN40N110P IXFN38N100P IXFN44N100P IXFN44N100Q3
Modello di prodotti IXFN40N110P IXFN38N100P IXFN44N100P IXFN44N100Q3
fabbricante IXYS IXYS IXYS IXYS
Contenitore / involucro SOT-227-4, miniBLOC SOT-227-4, miniBLOC SOT-227-4, miniBLOC SOT-227-4, miniBLOC
Pacchetto Tube Tube Tube Tube
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 310 nC @ 10 V 350 nC @ 10 V 305 nC @ 10 V 264 nC @ 10 V
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Contenitore dispositivo fornitore SOT-227B SOT-227B SOT-227B SOT-227B
Vgs (th) (max) a Id 6.5V @ 1mA 6.5V @ 1mA 6.5V @ 1mA 6.5V @ 8mA
Dissipazione di potenza (max) 890W (Tc) 1000W (Tc) 890W (Tc) 960W (Tc)
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 34A (Tc) 38A (Tc) 37A (Tc) 38A (Tc)
Rds On (max) a Id, Vgs 260mOhm @ 20A, 10V 210mOhm @ 19A, 10V 220mOhm @ 22A, 10V 220mOhm @ 22A, 10V
Vgs (Max) ±30V ±30V ±30V ±30V
Tipo FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Tensione drain-source (Vdss) 1100 V 1000 V 1000 V 1000 V
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 10V 10V 10V 10V
Serie HiPerFET™, Polar HiPerFET™, Polar HiPerFET™, Polar HiPerFET™, Q3 Class
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 19000 pF @ 25 V 24000 pF @ 25 V 19000 pF @ 25 V 13600 pF @ 25 V
Caratteristica FET - - - -
Numero di prodotto di base IXFN40 IXFN38 IXFN44 IXFN44
Tipo montaggio Chassis Mount Chassis Mount Chassis Mount Chassis Mount

IXFN40N110P Data foglio dati PDF

Scarica la scheda tecnica IXFN40N110P PDF e la documentazione IXYS per IXFN40N110P - IXYS.

Schede tecniche
IXFN40N110P.pdf

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Regione Paese Tempo logistico (giorno)
America stati Uniti 5
Brasile 7
Europa Germania 5
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Italia 5
Oceania Australia 6
Nuova Zelanda 5
Asia India 4
Giappone 4
Medio Oriente Israele 6
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Accuse di spedizione (kg) Riferimento DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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