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CasaCentro di prodottiProdotti a semiconduttore discretiTransistor-FET, MOSFET-singoloIXFK32N60
IXYS
Le immagini sono solo di riferimento, si prega di fare riferimento alle specifiche per ulteriori informazioni sul prodotto.

IXFK32N60 - IXYS

fabbricante Modello di prodotti
IXFK32N60
fabbricante
IXYS Corporation
Allelco Modello di prodotti
32D-IXFK32N60
Modello ECAD
Descrizione delle parti
MOSFET N-CH 600V 32A TO264AA
Descrizione dettagliata
Pacchetto
TO-264-3, TO-264AA
Scheda dati
IXF(K,N)3(2,6)N60.pdf
Stato RoHS
In magazzino: 3860

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Specifiche

Specifiche tecnologiche IXFK32N60
Specifiche tecniche IXYS - IXFK32N60, attributi, parametri e parti con specifiche simili ad IXYS - IXFK32N60

Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
fabbricante IXYS Corporation  
Vgs (th) (max) a Id 4.5V @ 8mA  
Vgs (Max) ±20V  
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)  
Contenitore dispositivo fornitore TO-264AA (IXFK)  
Serie HiPerFET™  
Rds On (max) a Id, Vgs 250mOhm @ 500mA, 10V  
Dissipazione di potenza (max) 500W (Tc)  
Contenitore / involucro TO-264-3, TO-264AA  
Pacchetto Tube  
Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ)  
Tipo montaggio Through Hole  
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 9000 pF @ 25 V  
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 325 nC @ 10 V  
Tipo FET N-Channel  
Caratteristica FET -  
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 10V  
Tensione drain-source (Vdss) 600 V  
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 32A (Tc)  
Numero di prodotto di base IXFK32  

Componenti con specifiche simili

Le tre parti sulla destra hanno specifiche simili a quelle di IXYS IXFK32N60

Proprietà del prodotto IXFK32N60 IXFK32N50Q IXFK38N80Q2 IXFK32N100P
Modello di prodotti IXFK32N60 IXFK32N50Q IXFK38N80Q2 IXFK32N100P
fabbricante IXYS IXYS IXYS IXYS
Contenitore dispositivo fornitore TO-264AA (IXFK) TO-264AA (IXFK) TO-264AA (IXFK) TO-264AA (IXFK)
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 32A (Tc) 32A (Tc) 38A (Tc) 32A (Tc)
Caratteristica FET - - - -
Vgs (th) (max) a Id 4.5V @ 8mA 4.5V @ 4mA 4.5V @ 8mA 6.5V @ 1mA
Pacchetto Tube Tube Tube Tube
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 325 nC @ 10 V 150 nC @ 10 V 190 nC @ 10 V 225 nC @ 10 V
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 10V 10V 10V 10V
Dissipazione di potenza (max) 500W (Tc) 416W (Tc) 735W (Tc) 960W (Tc)
Numero di prodotto di base IXFK32 IXFK32 IXFK38 IXFK32
Tensione drain-source (Vdss) 600 V 500 V 800 V 1000 V
Serie HiPerFET™ HiPerFET™ HiPerFET™, Q2 Class HiPerFET™, Polar
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Vgs (Max) ±20V ±20V ±30V ±30V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 9000 pF @ 25 V 3950 pF @ 25 V 8340 pF @ 25 V 14200 pF @ 25 V
Rds On (max) a Id, Vgs 250mOhm @ 500mA, 10V 160mOhm @ 16A, 10V 220mOhm @ 19A, 10V 320mOhm @ 16A, 10V
Contenitore / involucro TO-264-3, TO-264AA TO-264-3, TO-264AA TO-264-3, TO-264AA TO-264-3, TO-264AA
Tipo FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Tipo montaggio Through Hole Through Hole Through Hole Through Hole

IXFK32N60 Data foglio dati PDF

Scarica la scheda tecnica IXFK32N60 PDF e la documentazione IXYS per IXFK32N60 - IXYS.

Schede tecniche
IXF(K,N)3(2,6)N60.pdf

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Europa Germania 5
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Italia 5
Oceania Australia 6
Nuova Zelanda 5
Asia India 4
Giappone 4
Medio Oriente Israele 6
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0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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