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CasaCentro di prodottiProdotti a semiconduttore discretiTransistor-FET, MOSFET-singoloIXFK27N80
IXYS
Le immagini sono solo di riferimento, si prega di fare riferimento alle specifiche per ulteriori informazioni sul prodotto.

IXFK27N80 - IXYS

fabbricante Modello di prodotti
IXFK27N80
fabbricante
IXYS Corporation
Allelco Modello di prodotti
32D-IXFK27N80
Modello ECAD
Descrizione delle parti
MOSFET N-CH 800V 27A TO264AA
Descrizione dettagliata
Pacchetto
TO-264-3, TO-264AA
Scheda dati
IXFK(27,25)N80, IXFN(27,25)N80.pdf
Stato RoHS
In magazzino: 4570

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Specifiche

Specifiche tecnologiche IXFK27N80
Specifiche tecniche IXYS - IXFK27N80, attributi, parametri e parti con specifiche simili ad IXYS - IXFK27N80

Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
fabbricante IXYS Corporation  
Vgs (th) (max) a Id 4.5V @ 8mA  
Vgs (Max) ±20V  
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)  
Contenitore dispositivo fornitore TO-264AA (IXFK)  
Serie HiPerFET™  
Rds On (max) a Id, Vgs 300mOhm @ 13.5A, 10V  
Dissipazione di potenza (max) 500W (Tc)  
Contenitore / involucro TO-264-3, TO-264AA  
Pacchetto Tube  
Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ)  
Tipo montaggio Through Hole  
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 9740 pF @ 25 V  
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 400 nC @ 10 V  
Tipo FET N-Channel  
Caratteristica FET -  
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 10V  
Tensione drain-source (Vdss) 800 V  
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 27A (Tc)  
Numero di prodotto di base IXFK27  

Componenti con specifiche simili

Le tre parti sulla destra hanno specifiche simili a quelle di IXYS IXFK27N80

Proprietà del prodotto IXFK27N80 IXFK24N100F IXFK24N100 IXFK30N100Q2
Modello di prodotti IXFK27N80 IXFK24N100F IXFK24N100 IXFK30N100Q2
fabbricante IXYS IXYS IXYS IXYS
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 400 nC @ 10 V 195 nC @ 10 V 267 nC @ 10 V 186 nC @ 10 V
Caratteristica FET - - - -
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 10V 10V 10V 10V
Pacchetto Tube Tube Tube Tube
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 9740 pF @ 25 V 6600 pF @ 25 V 8700 pF @ 25 V 8200 pF @ 25 V
Vgs (Max) ±20V ±20V ±20V ±30V
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Contenitore dispositivo fornitore TO-264AA (IXFK) TO-264AA TO-264AA (IXFK) TO-264AA (IXFK)
Serie HiPerFET™ HiPerRF™ HiPerFET™ HiPerFET™, Q2 Class
Dissipazione di potenza (max) 500W (Tc) 560W (Tc) 560W (Tc) 735W (Tc)
Tensione drain-source (Vdss) 800 V 1000 V 1000 V 1000 V
Numero di prodotto di base IXFK27 IXFK24 IXFK24 IXFK30
Rds On (max) a Id, Vgs 300mOhm @ 13.5A, 10V 390mOhm @ 12A, 10V 390mOhm @ 12A, 10V 400mOhm @ 15A, 10V
Tipo montaggio Through Hole Through Hole Through Hole Through Hole
Contenitore / involucro TO-264-3, TO-264AA TO-264-3, TO-264AA TO-264-3, TO-264AA TO-264-3, TO-264AA
Vgs (th) (max) a Id 4.5V @ 8mA 5.5V @ 8mA 5.5V @ 8mA 5V @ 8mA
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 27A (Tc) 24A (Tc) 24A (Tc) 30A (Tc)

IXFK27N80 Data foglio dati PDF

Scarica la scheda tecnica IXFK27N80 PDF e la documentazione IXYS per IXFK27N80 - IXYS.

Schede tecniche
IXFK(27,25)N80, IXFN(27,25)N80.pdf

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Regione Paese Tempo logistico (giorno)
America stati Uniti 5
Brasile 7
Europa Germania 5
Regno Unito 4
Italia 5
Oceania Australia 6
Nuova Zelanda 5
Asia India 4
Giappone 4
Medio Oriente Israele 6
DHL e FedEx Spedizione addebita riferimento
Accuse di spedizione (kg) Riferimento DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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