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CasaCentro di prodottiProdotti a semiconduttore discretiTransistor-FET, MOSFET-singoloIXFH44N50P
IXYS
Le immagini sono solo di riferimento, si prega di fare riferimento alle specifiche per ulteriori informazioni sul prodotto.

IXFH44N50P - IXYS

fabbricante Modello di prodotti
IXFH44N50P
fabbricante
IXYS Corporation
Allelco Modello di prodotti
32D-IXFH44N50P
Modello ECAD
Descrizione delle parti
MOSFET N-CH 500V 44A TO247AD
Descrizione dettagliata
Pacchetto
TO-247-3
Scheda dati
IXF(H,K,T)44N50P.pdf
Stato RoHS
In magazzino: 3841

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Specifiche

Specifiche tecnologiche IXFH44N50P
Specifiche tecniche IXYS - IXFH44N50P, attributi, parametri e parti con specifiche simili ad IXYS - IXFH44N50P

Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
fabbricante IXYS Corporation  
Vgs (th) (max) a Id 5V @ 4mA  
Vgs (Max) ±30V  
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)  
Contenitore dispositivo fornitore TO-247AD (IXFH)  
Serie HiPerFET™, Polar  
Rds On (max) a Id, Vgs 140mOhm @ 22A, 10V  
Dissipazione di potenza (max) 658W (Tc)  
Contenitore / involucro TO-247-3  
Pacchetto Tube  
Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ)  
Tipo montaggio Through Hole  
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 5440 pF @ 25 V  
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 98 nC @ 10 V  
Tipo FET N-Channel  
Caratteristica FET -  
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 10V  
Tensione drain-source (Vdss) 500 V  
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 44A (Tc)  
Numero di prodotto di base IXFH44  

Componenti con specifiche simili

Le tre parti sulla destra hanno specifiche simili a quelle di IXYS IXFH44N50P

Proprietà del prodotto IXFH44N50P IXFH50N20 IXFH40N50Q2 IXFH52N30P
Modello di prodotti IXFH44N50P IXFH50N20 IXFH40N50Q2 IXFH52N30P
fabbricante IXYS IXYS IXYS IXYS
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Contenitore dispositivo fornitore TO-247AD (IXFH) TO-247AD (IXFH) TO-247AD (IXFH) TO-247AD (IXFH)
Dissipazione di potenza (max) 658W (Tc) 300W (Tc) 560W (Tc) 400W (Tc)
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 10V 10V 10V 10V
Pacchetto Tube Tube Tube Tube
Vgs (Max) ±30V ±20V ±30V ±20V
Vgs (th) (max) a Id 5V @ 4mA 4V @ 4mA 4.5V @ 4mA 5V @ 4mA
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 44A (Tc) 50A (Tc) 40A (Tc) 52A (Tc)
Contenitore / involucro TO-247-3 TO-247-3 TO-247-3 TO-247-3
Tipo FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Rds On (max) a Id, Vgs 140mOhm @ 22A, 10V 45mOhm @ 25A, 10V 160mOhm @ 500mA, 10V 66mOhm @ 500mA, 10V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 98 nC @ 10 V 220 nC @ 10 V 110 nC @ 10 V 110 nC @ 10 V
Numero di prodotto di base IXFH44 IXFH50 IXFH40 IXFH52
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 5440 pF @ 25 V 4400 pF @ 25 V 4850 pF @ 25 V 3490 pF @ 25 V
Tensione drain-source (Vdss) 500 V 200 V 500 V 300 V
Tipo montaggio Through Hole Through Hole Through Hole Through Hole
Caratteristica FET - - - -
Serie HiPerFET™, Polar HiPerFET™ HiPerFET™ HiPerFET™, Polar

IXFH44N50P Data foglio dati PDF

Scarica la scheda tecnica IXFH44N50P PDF e la documentazione IXYS per IXFH44N50P - IXYS.

Schede tecniche
IXF(H,K,T)44N50P.pdf

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Brasile 7
Europa Germania 5
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Italia 5
Oceania Australia 6
Nuova Zelanda 5
Asia India 4
Giappone 4
Medio Oriente Israele 6
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0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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