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CasaCentro di prodottiProdotti a semiconduttore discretiTransistor-FET, MOSFET-singoloIXFH18N100Q3
IXYS
Le immagini sono solo di riferimento, si prega di fare riferimento alle specifiche per ulteriori informazioni sul prodotto.

IXFH18N100Q3 - IXYS

fabbricante Modello di prodotti
IXFH18N100Q3
fabbricante
IXYS Corporation
Allelco Modello di prodotti
32D-IXFH18N100Q3
Modello ECAD
Descrizione delle parti
MOSFET N-CH 1000V 18A TO247AD
Descrizione dettagliata
Pacchetto
TO-247-3
Scheda dati
IXFx18N100Q3.pdf
Stato RoHS
In magazzino: 2636

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Quantità

Specifiche

Specifiche tecnologiche IXFH18N100Q3
Specifiche tecniche IXYS - IXFH18N100Q3, attributi, parametri e parti con specifiche simili ad IXYS - IXFH18N100Q3

Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
fabbricante IXYS Corporation  
Vgs (th) (max) a Id 6.5V @ 4mA  
Vgs (Max) ±30V  
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)  
Contenitore dispositivo fornitore TO-247AD (IXFH)  
Serie HiPerFET™, Q3 Class  
Rds On (max) a Id, Vgs 660mOhm @ 9A, 10V  
Dissipazione di potenza (max) 830W (Tc)  
Contenitore / involucro TO-247-3  
Pacchetto Tube  
Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ)  
Tipo montaggio Through Hole  
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 4890 pF @ 25 V  
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 90 nC @ 10 V  
Tipo FET N-Channel  
Caratteristica FET -  
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 10V  
Tensione drain-source (Vdss) 1000 V  
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 18A (Tc)  
Numero di prodotto di base IXFH18  

Componenti con specifiche simili

Le tre parti sulla destra hanno specifiche simili a quelle di IXYS IXFH18N100Q3

Proprietà del prodotto IXFH18N100Q3 IXFH20N85X IXFH18N90P IXFH16N50P3
Modello di prodotti IXFH18N100Q3 IXFH20N85X IXFH18N90P IXFH16N50P3
fabbricante IXYS IXYS IXYS IXYS
Contenitore / involucro TO-247-3 TO-247-3 TO-247-3 TO-247-3
Tensione drain-source (Vdss) 1000 V 850 V 900 V 500 V
Vgs (th) (max) a Id 6.5V @ 4mA 5.5V @ 2.5mA 6.5V @ 1mA 5V @ 2.5mA
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 4890 pF @ 25 V 1660 pF @ 25 V 5230 pF @ 25 V 1515 pF @ 25 V
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 10V 10V 10V 10V
Caratteristica FET - - - -
Numero di prodotto di base IXFH18 IXFH20 IXFH18 IXFH16
Pacchetto Tube Tube Tube Tube
Serie HiPerFET™, Q3 Class HiPerFET™, Ultra X HiPerFET™, Polar HiPerFET™, Polar3™
Tipo FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 18A (Tc) 20A (Tc) 18A (Tc) 16A (Tc)
Contenitore dispositivo fornitore TO-247AD (IXFH) TO-247 (IXTH) TO-247AD (IXFH) TO-247AD (IXFH)
Tipo montaggio Through Hole Through Hole Through Hole Through Hole
Rds On (max) a Id, Vgs 660mOhm @ 9A, 10V 330mOhm @ 500mA, 10V 600mOhm @ 500mA, 10V 360mOhm @ 8A, 10V
Vgs (Max) ±30V ±30V ±30V ±30V
Dissipazione di potenza (max) 830W (Tc) 540W (Tc) 540W (Tc) 330W (Tc)
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 90 nC @ 10 V 63 nC @ 10 V 97 nC @ 10 V 29 nC @ 10 V
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)

IXFH18N100Q3 Data foglio dati PDF

Scarica la scheda tecnica IXFH18N100Q3 PDF e la documentazione IXYS per IXFH18N100Q3 - IXYS.

Schede tecniche
IXFx18N100Q3.pdf

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Europa Germania 5
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Italia 5
Oceania Australia 6
Nuova Zelanda 5
Asia India 4
Giappone 4
Medio Oriente Israele 6
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0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
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