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CasaCentro di prodottiProdotti a semiconduttore discretiTransistor-FET, MOSFET-singoloIXFH17N80Q
IXYS
Le immagini sono solo di riferimento, si prega di fare riferimento alle specifiche per ulteriori informazioni sul prodotto.

IXFH17N80Q - IXYS

fabbricante Modello di prodotti
IXFH17N80Q
fabbricante
IXYS Corporation
Allelco Modello di prodotti
32D-IXFH17N80Q
Modello ECAD
Descrizione delle parti
MOSFET N-CH 800V 17A TO247AD
Descrizione dettagliata
Pacchetto
TO-247-3
Scheda dati
IXF(H,T)17N80Q.pdf
Stato RoHS
In magazzino: 3930

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Quantità

Specifiche

Specifiche tecnologiche IXFH17N80Q
Specifiche tecniche IXYS - IXFH17N80Q, attributi, parametri e parti con specifiche simili ad IXYS - IXFH17N80Q

Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
fabbricante IXYS Corporation  
Vgs (th) (max) a Id 4.5V @ 4mA  
Vgs (Max) ±20V  
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)  
Contenitore dispositivo fornitore TO-247AD (IXFH)  
Serie HiPerFET™, Q Class  
Rds On (max) a Id, Vgs 600mOhm @ 500mA, 10V  
Dissipazione di potenza (max) 400W (Tc)  
Contenitore / involucro TO-247-3  
Pacchetto Tube  
Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ)  
Tipo montaggio Through Hole  
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 3600 pF @ 25 V  
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 95 nC @ 10 V  
Tipo FET N-Channel  
Caratteristica FET -  
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 10V  
Tensione drain-source (Vdss) 800 V  
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 17A (Tc)  
Numero di prodotto di base IXFH17  

Componenti con specifiche simili

Le tre parti sulla destra hanno specifiche simili a quelle di IXYS IXFH17N80Q

Proprietà del prodotto IXFH17N80Q IXFH20N60 IXFH16N120P IXFH20N80Q
Modello di prodotti IXFH17N80Q IXFH20N60 IXFH16N120P IXFH20N80Q
fabbricante IXYS IXYS IXYS IXYS
Numero di prodotto di base IXFH17 IXFH20 IXFH16 IXFH20
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Rds On (max) a Id, Vgs 600mOhm @ 500mA, 10V 350mOhm @ 10A, 10V 950mOhm @ 8A, 10V 420mOhm @ 10A, 10V
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 10V 10V 10V 10V
Serie HiPerFET™, Q Class HiPerFET™ HiPerFET™, Polar HiPerFET™
Tipo montaggio Through Hole Through Hole Through Hole Through Hole
Tensione drain-source (Vdss) 800 V 600 V 1200 V 800 V
Contenitore / involucro TO-247-3 TO-247-3 TO-247-3 TO-247-3
Vgs (th) (max) a Id 4.5V @ 4mA 4.5V @ 4mA 6.5V @ 1mA 4.5V @ 4mA
Tipo FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Contenitore dispositivo fornitore TO-247AD (IXFH) TO-247AD (IXFH) TO-247AD (IXFH) TO-247AD (IXFH)
Vgs (Max) ±20V ±20V ±30V ±20V
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 17A (Tc) 20A (Tc) 16A (Tc) 20A (Tc)
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 95 nC @ 10 V 170 nC @ 10 V 120 nC @ 10 V 200 nC @ 10 V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 3600 pF @ 25 V 4500 pF @ 25 V 6900 pF @ 25 V 5100 pF @ 25 V
Pacchetto Tube Tube Tube Tube
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Dissipazione di potenza (max) 400W (Tc) 300W (Tc) 660W (Tc) 360W (Tc)
Caratteristica FET - - - -

IXFH17N80Q Data foglio dati PDF

Scarica la scheda tecnica IXFH17N80Q PDF e la documentazione IXYS per IXFH17N80Q - IXYS.

Schede tecniche
IXF(H,T)17N80Q.pdf

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Regione Paese Tempo logistico (giorno)
America stati Uniti 5
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Europa Germania 5
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Italia 5
Oceania Australia 6
Nuova Zelanda 5
Asia India 4
Giappone 4
Medio Oriente Israele 6
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0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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