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CasaCentro di prodottiProdotti a semiconduttore discretiTransistor-FET, MOSFET-singoloIXFH15N80Q
IXYS
Le immagini sono solo di riferimento, si prega di fare riferimento alle specifiche per ulteriori informazioni sul prodotto.

IXFH15N80Q - IXYS

fabbricante Modello di prodotti
IXFH15N80Q
fabbricante
IXYS Corporation
Allelco Modello di prodotti
32D-IXFH15N80Q
Modello ECAD
Descrizione delle parti
MOSFET N-CH 800V 15A TO247AD
Descrizione dettagliata
Pacchetto
TO-247-3
Scheda dati
IXF(H,T)15N80Q.pdf
Stato RoHS
In magazzino: 3160

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Quantità

Specifiche

Specifiche tecnologiche IXFH15N80Q
Specifiche tecniche IXYS - IXFH15N80Q, attributi, parametri e parti con specifiche simili ad IXYS - IXFH15N80Q

Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
fabbricante IXYS Corporation  
Vgs (th) (max) a Id 4.5V @ 4mA  
Vgs (Max) ±20V  
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)  
Contenitore dispositivo fornitore TO-247AD (IXFH)  
Serie HiPerFET™, Q Class  
Rds On (max) a Id, Vgs 600mOhm @ 7.5A, 10V  
Dissipazione di potenza (max) 300W (Tc)  
Contenitore / involucro TO-247-3  
Pacchetto Tube  
Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ)  
Tipo montaggio Through Hole  
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 4300 pF @ 25 V  
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 90 nC @ 10 V  
Tipo FET N-Channel  
Caratteristica FET -  
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 10V  
Tensione drain-source (Vdss) 800 V  
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 15A (Tc)  
Numero di prodotto di base IXFH15  

Componenti con specifiche simili

Le tre parti sulla destra hanno specifiche simili a quelle di IXYS IXFH15N80Q

Proprietà del prodotto IXFH15N80Q IXFH150N20T IXFH15N100 IXFH170N10P
Modello di prodotti IXFH15N80Q IXFH150N20T IXFH15N100 IXFH170N10P
fabbricante IXYS IXYS IXYS IXYS
Contenitore / involucro TO-247-3 TO-247-3 TO-247-3 TO-247-3
Pacchetto Tube Tube Tube Tube
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ)
Contenitore dispositivo fornitore TO-247AD (IXFH) TO-247AD (IXFH) TO-247AD (IXFH) TO-247AD (IXFH)
Vgs (Max) ±20V ±20V ±20V ±20V
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 90 nC @ 10 V 177 nC @ 10 V 220 nC @ 10 V 198 nC @ 10 V
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 15A (Tc) 150A (Tc) 15A (Tc) 170A (Tc)
Serie HiPerFET™, Q Class HiPerFET™, Trench HiPerFET™ HiPerFET™, Polar
Numero di prodotto di base IXFH15 IXFH150 IXFH15 IXFH170
Tensione drain-source (Vdss) 800 V 200 V 1000 V 100 V
Rds On (max) a Id, Vgs 600mOhm @ 7.5A, 10V 15mOhm @ 75A, 10V 700mOhm @ 500mA, 10V 9mOhm @ 500mA, 10V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 4300 pF @ 25 V 11700 pF @ 25 V 4500 pF @ 25 V 6000 pF @ 25 V
Tipo FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Vgs (th) (max) a Id 4.5V @ 4mA 5V @ 4mA 4.5V @ 4mA 5V @ 4mA
Tipo montaggio Through Hole Through Hole Through Hole Through Hole
Caratteristica FET - - - -
Dissipazione di potenza (max) 300W (Tc) 890W (Tc) 360W (Tc) 715W (Tc)
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 10V 10V 10V 10V

IXFH15N80Q Data foglio dati PDF

Scarica la scheda tecnica IXFH15N80Q PDF e la documentazione IXYS per IXFH15N80Q - IXYS.

Schede tecniche
IXF(H,T)15N80Q.pdf

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Europa Germania 5
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Oceania Australia 6
Nuova Zelanda 5
Asia India 4
Giappone 4
Medio Oriente Israele 6
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0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
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2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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