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CasaCentro di prodottiProdotti a semiconduttore discretiTransistor-FET, MOSFET-singoloIXFH15N100Q
IXYS
Le immagini sono solo di riferimento, si prega di fare riferimento alle specifiche per ulteriori informazioni sul prodotto.

IXFH15N100Q - IXYS

fabbricante Modello di prodotti
IXFH15N100Q
fabbricante
IXYS Corporation
Allelco Modello di prodotti
32D-IXFH15N100Q
Modello ECAD
Descrizione delle parti
MOSFET N-CH 1000V 15A TO247AD
Descrizione dettagliata
Pacchetto
TO-247-3
Scheda dati
IXF(H,K,T)15N100Q.pdf
In magazzino: 4210

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Specifiche

Specifiche tecnologiche IXFH15N100Q
Specifiche tecniche IXYS - IXFH15N100Q, attributi, parametri e parti con specifiche simili ad IXYS - IXFH15N100Q

Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
fabbricante IXYS Corporation  
Vgs (th) (max) a Id 5V @ 4mA  
Vgs (Max) ±20V  
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)  
Contenitore dispositivo fornitore TO-247AD (IXFH)  
Serie HiPerFET™  
Rds On (max) a Id, Vgs 700mOhm @ 500mA, 10V  
Dissipazione di potenza (max) 360W (Tc)  
Contenitore / involucro TO-247-3  
Pacchetto Tube  
Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ)  
Tipo montaggio Through Hole  
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 4500 pF @ 25 V  
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 170 nC @ 10 V  
Tipo FET N-Channel  
Caratteristica FET -  
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 10V  
Tensione drain-source (Vdss) 1000 V  
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 15A (Tc)  
Numero di prodotto di base IXFH15  

Componenti con specifiche simili

Le tre parti sulla destra hanno specifiche simili a quelle di IXYS IXFH15N100Q

Proprietà del prodotto IXFH15N100Q IXFH160N15T IXFH150N17T2 IXFH16N120P
Modello di prodotti IXFH15N100Q IXFH160N15T IXFH150N17T2 IXFH16N120P
fabbricante IXYS IXYS IXYS IXYS
Tensione drain-source (Vdss) 1000 V 150 V 175 V 1200 V
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 10V 10V 10V 10V
Numero di prodotto di base IXFH15 IXFH160 IXFH150 IXFH16
Dissipazione di potenza (max) 360W (Tc) 830W (Tc) 880W (Tc) 660W (Tc)
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 4500 pF @ 25 V 8800 pF @ 25 V 14600 pF @ 25 V 6900 pF @ 25 V
Serie HiPerFET™ TrenchHV™ HiPerFET™, TrenchT2™ HiPerFET™, Polar
Tipo FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Contenitore / involucro TO-247-3 TO-247-3 TO-247-3 TO-247-3
Tipo montaggio Through Hole Through Hole Through Hole Through Hole
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Vgs (th) (max) a Id 5V @ 4mA 5V @ 1mA 4.5V @ 1mA 6.5V @ 1mA
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Caratteristica FET - - - -
Rds On (max) a Id, Vgs 700mOhm @ 500mA, 10V 9.6mOhm @ 500mA, 10V 12mOhm @ 75A, 10V 950mOhm @ 8A, 10V
Pacchetto Tube Tube Tube Tube
Vgs (Max) ±20V ±30V ±20V ±30V
Contenitore dispositivo fornitore TO-247AD (IXFH) TO-247AD (IXFH) TO-247AD (IXFH) TO-247AD (IXFH)
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 170 nC @ 10 V 160 nC @ 10 V 233 nC @ 10 V 120 nC @ 10 V
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 15A (Tc) 160A (Tc) 150A (Tc) 16A (Tc)

IXFH15N100Q Data foglio dati PDF

Scarica la scheda tecnica IXFH15N100Q PDF e la documentazione IXYS per IXFH15N100Q - IXYS.

PCN Obsolescence/ EOL
Mult Mosfet EOL 22/Mar/2017.pdf
Schede tecniche
IXF(H,K,T)15N100Q.pdf

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Europa Germania 5
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2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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