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CasaCentro di prodottiProdotti a semiconduttore discretiTransistor-FET, MOSFET-singoloIRFP9240
Le immagini sono solo di riferimento, si prega di fare riferimento alle specifiche per ulteriori informazioni sul prodotto.

IRFP9240 - Harris Corporation

fabbricante Modello di prodotti
IRFP9240
fabbricante
Harris Corporation
Allelco Modello di prodotti
32D-IRFP9240
Modello ECAD
Descrizione delle parti
MOSFET P-CH 200V 12A TO247-3
Descrizione dettagliata
Pacchetto
TO-247-3
Scheda dati
IRFP9240.pdf
In magazzino: 4610

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Quantità

Specifiche

Specifiche tecnologiche IRFP9240
Specifiche tecniche Harris Corporation - IRFP9240, attributi, parametri e parti con specifiche simili ad Harris Corporation - IRFP9240

Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
fabbricante Harris Corporation  
Vgs (th) (max) a Id 4V @ 250µA  
Vgs (Max) ±20V  
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)  
Contenitore dispositivo fornitore TO-247AC  
Serie -  
Rds On (max) a Id, Vgs 500mOhm @ 7.2A, 10V  
Dissipazione di potenza (max) 150W (Tc)  
Contenitore / involucro TO-247-3  
Pacchetto Tube  
Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ)  
Tipo montaggio Through Hole  
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 1200 pF @ 25 V  
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 44 nC @ 10 V  
Tipo FET P-Channel  
Caratteristica FET -  
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 10V  
Tensione drain-source (Vdss) 200 V  
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 12A (Tc)  

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Le tre parti sulla destra hanno specifiche simili a quelle di Harris Corporation IRFP9240

Proprietà del prodotto IRFP9240 IRFP9140PBF IRFPC50APBF IRFP9240
Modello di prodotti IRFP9240 IRFP9140PBF IRFPC50APBF IRFP9240
fabbricante Harris Corporation Vishay Siliconix Vishay Siliconix Vishay Siliconix
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 1200 pF @ 25 V 1400 pF @ 25 V 2100 pF @ 25 V 1200 pF @ 25 V
Tipo FET P-Channel P-Channel N-Channel P-Channel
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 12A (Tc) 21A (Tc) 11A (Tc) 12A (Tc)
Pacchetto Tube Tube Tube Tube
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 10V 10V 10V 10V
Contenitore / involucro TO-247-3 TO-247-3 TO-247-3 TO-247-3
Caratteristica FET - - - -
Vgs (th) (max) a Id 4V @ 250µA 4V @ 250µA 4V @ 250µA 4V @ 250µA
Rds On (max) a Id, Vgs 500mOhm @ 7.2A, 10V 200mOhm @ 13A, 10V 580mOhm @ 6A, 10V 500mOhm @ 7.2A, 10V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 44 nC @ 10 V 61 nC @ 10 V 70 nC @ 10 V 44 nC @ 10 V
Vgs (Max) ±20V ±20V ±30V ±20V
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Tensione drain-source (Vdss) 200 V 100 V 600 V 200 V
Dissipazione di potenza (max) 150W (Tc) 180W (Tc) 180W (Tc) 150W (Tc)
Serie - - - -
Contenitore dispositivo fornitore TO-247AC TO-247AC TO-247AC TO-247AC
Tipo montaggio Through Hole Through Hole Through Hole Through Hole

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Paesi comuni Riferimento del tempo logistico
Regione Paese Tempo logistico (giorno)
America stati Uniti 5
Brasile 7
Europa Germania 5
Regno Unito 4
Italia 5
Oceania Australia 6
Nuova Zelanda 5
Asia India 4
Giappone 4
Medio Oriente Israele 6
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Accuse di spedizione (kg) Riferimento DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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