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CasaCentro di prodottiProdotti a semiconduttore discretiTransistor-FET, MOSFET-singoloIRFP9140NPBF
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Le immagini sono solo di riferimento, si prega di fare riferimento alle specifiche per ulteriori informazioni sul prodotto.

IRFP9140NPBF - Infineon Technologies

fabbricante Modello di prodotti
IRFP9140NPBF
fabbricante
Infineon Technologies
Allelco Modello di prodotti
32D-IRFP9140NPBF
Modello ECAD
Descrizione delle parti
MOSFET P-CH 100V 23A TO247AC
Descrizione dettagliata
Pacchetto
TO-247-3
Scheda dati
IRFP9140NPBF.pdf
Stato RoHS
In magazzino: 33552

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Quantità

Specifiche

Specifiche tecnologiche IRFP9140NPBF
Specifiche tecniche Infineon Technologies - IRFP9140NPBF, attributi, parametri e parti con specifiche simili ad Infineon Technologies - IRFP9140NPBF

Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
fabbricante Infineon Technologies  
Vgs (th) (max) a Id 4V @ 250µA  
Vgs (Max) ±20V  
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)  
Contenitore dispositivo fornitore TO-247AC  
Serie HEXFET®  
Rds On (max) a Id, Vgs 117mOhm @ 13A, 10V  
Dissipazione di potenza (max) 140W (Tc)  
Contenitore / involucro TO-247-3  
Pacchetto Tube  
Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
temperatura di esercizio -55°C ~ 175°C (TJ)  
Tipo montaggio Through Hole  
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 1300 pF @ 25 V  
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 97 nC @ 10 V  
Tipo FET P-Channel  
Caratteristica FET -  
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 10V  
Tensione drain-source (Vdss) 100 V  
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 23A (Tc)  
Numero di prodotto di base IRFP9140  

Componenti con specifiche simili

Le tre parti sulla destra hanno specifiche simili a quelle di Infineon Technologies IRFP9140NPBF

Proprietà del prodotto IRFP9140NPBF IRFP90N20DPBF IRFP9140 IRFP7537PBF
Modello di prodotti IRFP9140NPBF IRFP90N20DPBF IRFP9140 IRFP7537PBF
fabbricante Infineon Technologies Infineon Technologies Vishay Siliconix Infineon Technologies
Caratteristica FET - - - -
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 23A (Tc) 94A (Tc) 21A (Tc) 172A (Tc)
Contenitore dispositivo fornitore TO-247AC TO-247AC TO-247AC TO-247
Tensione drain-source (Vdss) 100 V 200 V 100 V 60 V
Vgs (th) (max) a Id 4V @ 250µA 5V @ 250µA 4V @ 250µA 3.7V @ 150µA
Tipo montaggio Through Hole Through Hole Through Hole Through Hole
Contenitore / involucro TO-247-3 TO-247-3 TO-247-3 TO-247-3
Vgs (Max) ±20V ±30V ±20V ±20V
Serie HEXFET® HEXFET® - HEXFET®, StrongIRFET™
Pacchetto Tube Tube Tube Tube
Tipo FET P-Channel N-Channel P-Channel N-Channel
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 10V 10V 10V 6V, 10V
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 97 nC @ 10 V 270 nC @ 10 V 61 nC @ 10 V 210 nC @ 10 V
Dissipazione di potenza (max) 140W (Tc) 580W (Tc) 180W (Tc) 230W (Tc)
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 1300 pF @ 25 V 6040 pF @ 25 V 1400 pF @ 25 V 7020 pF @ 25 V
temperatura di esercizio -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ)
Rds On (max) a Id, Vgs 117mOhm @ 13A, 10V 23mOhm @ 56A, 10V 200mOhm @ 13A, 10V 3.3mOhm @ 100A, 10V
Numero di prodotto di base IRFP9140 IRFP90 IRFP9140 IRFP7537

IRFP9140NPBF Data foglio dati PDF

Scarica la scheda tecnica IRFP9140NPBF PDF e la documentazione Infineon Technologies per IRFP9140NPBF - Infineon Technologies.

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