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Le immagini sono solo di riferimento, si prega di fare riferimento alle specifiche per ulteriori informazioni sul prodotto.

GD25WD40CEIGR - GigaDevice Semiconductor (HK) Limited

fabbricante Modello di prodotti
GD25WD40CEIGR
fabbricante
GigaDevice
Allelco Modello di prodotti
32D-GD25WD40CEIGR
Modello ECAD
Descrizione delle parti
IC FLSH 4MBIT SPI/QUAD I/O 8USON
Descrizione dettagliata
Pacchetto
8-XFDFN Exposed Pad
Scheda dati
Product Selection Guide 2023.pdf
Stato RoHS
In magazzino: 122080

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Quantità

Specifiche

Specifiche tecnologiche GD25WD40CEIGR
Specifiche tecniche GigaDevice Semiconductor (HK) Limited - GD25WD40CEIGR, attributi, parametri e parti con specifiche simili ad GigaDevice Semiconductor (HK) Limited - GD25WD40CEIGR

Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
fabbricante GigaDevice  
Scrivere il tempo del ciclo - Word, Pagina -  
Tensione di alimentazione - 1.65V ~ 3.6V  
Tecnologia FLASH - NOR  
Contenitore dispositivo fornitore 8-USON (2x3)  
Serie -  
Contenitore / involucro 8-XFDFN Exposed Pad  
Pacchetto Tape & Reel (TR)  
Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
temperatura di esercizio -40°C ~ 85°C (TA)  
Tipo montaggio Surface Mount  
Tipo di memoria Non-Volatile  
Dimensione della memoria 4Mbit  
Organizzazione di memoria 512K x 8  
Interfaccia di memoria SPI - Quad I/O  
Formato di memoria FLASH  
Numero di prodotto di base GD25WD40  

Componenti con specifiche simili

Le tre parti sulla destra hanno specifiche simili a quelle di GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25WD40CEIGR

Proprietà del prodotto GD25WD40CEIGR GD25WD40CTIG GD25WD80CTIG GD25VE16CEIGR
Modello di prodotti GD25WD40CEIGR GD25WD40CTIG GD25WD80CTIG GD25VE16CEIGR
fabbricante GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GigaDevice Semiconductor (HK) Limited
Organizzazione di memoria 512K x 8 512K x 8 1M x 8 2M x 8
Tensione di alimentazione - 1.65V ~ 3.6V 1.65V ~ 3.6V 1.65V ~ 3.6V 2.1V ~ 3.6V
Tipo montaggio Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Numero di prodotto di base GD25WD40 GD25WD40 GD25WD80 GD25VE16
Tecnologia FLASH - NOR FLASH - NOR FLASH - NOR FLASH - NOR
Pacchetto Tape & Reel (TR) Tube Tube Tape & Reel (TR)
Contenitore dispositivo fornitore 8-USON (2x3) 8-SOP 8-SOP 8-USON (2x3)
Contenitore / involucro 8-XFDFN Exposed Pad 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 8-XFDFN Exposed Pad
Serie - - - -
Tipo di memoria Non-Volatile Non-Volatile Non-Volatile Non-Volatile
Scrivere il tempo del ciclo - Word, Pagina - - - -
Formato di memoria FLASH FLASH FLASH FLASH
Interfaccia di memoria SPI - Quad I/O SPI - Quad I/O SPI - Quad I/O SPI - Quad I/O
Dimensione della memoria 4Mbit 4Mbit 8Mbit 16Mbit
temperatura di esercizio -40°C ~ 85°C (TA) -40°C ~ 85°C (TA) -40°C ~ 85°C (TA) -40°C ~ 85°C (TA)

GD25WD40CEIGR Data foglio dati PDF

Scarica la scheda tecnica GD25WD40CEIGR PDF e la documentazione GigaDevice Semiconductor (HK) Limited per GD25WD40CEIGR - GigaDevice Semiconductor (HK) Limited.

Schede tecniche
Product Selection Guide 2023.pdf

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Paesi comuni Riferimento del tempo logistico
Regione Paese Tempo logistico (giorno)
America stati Uniti 5
Brasile 7
Europa Germania 5
Regno Unito 4
Italia 5
Oceania Australia 6
Nuova Zelanda 5
Asia India 4
Giappone 4
Medio Oriente Israele 6
DHL e FedEx Spedizione addebita riferimento
Accuse di spedizione (kg) Riferimento DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
Nota:
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