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GD25VE16CEIGR - GigaDevice Semiconductor (HK) Limited

fabbricante Modello di prodotti
GD25VE16CEIGR
fabbricante
GigaDevice
Allelco Modello di prodotti
32D-GD25VE16CEIGR
Modello ECAD
Descrizione delle parti
IC FLASH 16MBIT SPI/QUAD 8USON
Descrizione dettagliata
Pacchetto
8-XFDFN Exposed Pad
Scheda dati
Product Selection Guide 2023.pdf
Stato RoHS
In magazzino: 7770

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Quantità

Specifiche

Specifiche tecnologiche GD25VE16CEIGR
Specifiche tecniche GigaDevice Semiconductor (HK) Limited - GD25VE16CEIGR, attributi, parametri e parti con specifiche simili ad GigaDevice Semiconductor (HK) Limited - GD25VE16CEIGR

Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
fabbricante GigaDevice  
Scrivere il tempo del ciclo - Word, Pagina -  
Tensione di alimentazione - 2.1V ~ 3.6V  
Tecnologia FLASH - NOR  
Contenitore dispositivo fornitore 8-USON (2x3)  
Serie -  
Contenitore / involucro 8-XFDFN Exposed Pad  
Pacchetto Tape & Reel (TR)  
temperatura di esercizio -40°C ~ 85°C (TA)  
Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
Tipo montaggio Surface Mount  
Tipo di memoria Non-Volatile  
Dimensione della memoria 16Mbit  
Organizzazione di memoria 2M x 8  
Interfaccia di memoria SPI - Quad I/O  
Formato di memoria FLASH  
Frequenza dell'orologio 104 MHz  
Numero di prodotto di base GD25VE16  

Componenti con specifiche simili

Le tre parti sulla destra hanno specifiche simili a quelle di GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25VE16CEIGR

Proprietà del prodotto GD25VE16CEIGR GD25WD40CTIG GD25S512MDYIGR GD25WD40CEIGR
Modello di prodotti GD25VE16CEIGR GD25WD40CTIG GD25S512MDYIGR GD25WD40CEIGR
fabbricante GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GigaDevice Semiconductor (HK) Limited
Scrivere il tempo del ciclo - Word, Pagina - - 50µs, 2.4ms -
Tipo montaggio Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Tensione di alimentazione - 2.1V ~ 3.6V 1.65V ~ 3.6V 2.7V ~ 3.6V 1.65V ~ 3.6V
Organizzazione di memoria 2M x 8 512K x 8 64M x 8 512K x 8
Dimensione della memoria 16Mbit 4Mbit 512Mbit 4Mbit
Formato di memoria FLASH FLASH FLASH FLASH
temperatura di esercizio -40°C ~ 85°C (TA) -40°C ~ 85°C (TA) -40°C ~ 85°C (TA) -40°C ~ 85°C (TA)
Interfaccia di memoria SPI - Quad I/O SPI - Quad I/O SPI - Quad I/O SPI - Quad I/O
Pacchetto Tape & Reel (TR) Tube Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
Numero di prodotto di base GD25VE16 GD25WD40 GD25S512 GD25WD40
Contenitore / involucro 8-XFDFN Exposed Pad 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 8-WDFN Exposed Pad 8-XFDFN Exposed Pad
Serie - - - -
Tipo di memoria Non-Volatile Non-Volatile Non-Volatile Non-Volatile
Contenitore dispositivo fornitore 8-USON (2x3) 8-SOP 8-WSON (6x8) 8-USON (2x3)
Frequenza dell'orologio 104 MHz - 104 MHz -
Tecnologia FLASH - NOR FLASH - NOR FLASH - NOR FLASH - NOR

GD25VE16CEIGR Data foglio dati PDF

Scarica la scheda tecnica GD25VE16CEIGR PDF e la documentazione GigaDevice Semiconductor (HK) Limited per GD25VE16CEIGR - GigaDevice Semiconductor (HK) Limited.

Schede tecniche
Product Selection Guide 2023.pdf

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Paesi comuni Riferimento del tempo logistico
Regione Paese Tempo logistico (giorno)
America stati Uniti 5
Brasile 7
Europa Germania 5
Regno Unito 4
Italia 5
Oceania Australia 6
Nuova Zelanda 5
Asia India 4
Giappone 4
Medio Oriente Israele 6
DHL e FedEx Spedizione addebita riferimento
Accuse di spedizione (kg) Riferimento DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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