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CasaCentro di prodottiProdotti a semiconduttore discretiDiodi-raddrizzatori-matriciMUR20040CT
GeneSiC Semiconductor
Le immagini sono solo di riferimento, si prega di fare riferimento alle specifiche per ulteriori informazioni sul prodotto.

MUR20040CT - GeneSiC Semiconductor

fabbricante Modello di prodotti
MUR20040CT
fabbricante
GeneSiC Semiconductor
Allelco Modello di prodotti
32D-MUR20040CT
Modello ECAD
Descrizione delle parti
DIODE MODULE 400V 100A 2TOWER
Descrizione dettagliata
Pacchetto
Twin Tower
Scheda dati
MUR20040CT thru 20060CTR.pdf
Stato RoHS
A norma RoHS
In magazzino: 419

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Quantità

Specifiche

Specifiche tecnologiche MUR20040CT
Specifiche tecniche GeneSiC Semiconductor - MUR20040CT, attributi, parametri e parti con specifiche simili ad GeneSiC Semiconductor - MUR20040CT

Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
fabbricante GeneSiC Semiconductor  
Tensione - diretta (Vf) (max) a If 1.3 V @ 50 A  
Tensione - inversa (Vr) (max) 400 V  
Tecnologia Standard  
Contenitore dispositivo fornitore Twin Tower  
Velocità Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)  
Serie -  
Tempo di ripristino inverso (trr) 90 ns  
Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
Contenitore / involucro Twin Tower  
Pacchetto Bulk  
Temperatura di funzionamento - Giunzione -55°C ~ 150°C  
Tipo montaggio Chassis Mount  
Configurazione diodo 1 Pair Common Cathode  
Corrente - Dispersione inversa a Vr 25 µA @ 50 V  
Corrente - raddrizzata media (Io) (per diodo) 100A  
Numero di prodotto di base MUR20040  

Componenti con specifiche simili

Le tre parti sulla destra hanno specifiche simili a quelle di GeneSiC Semiconductor MUR20040CT

Proprietà del prodotto MUR20040CT MUR20020CTR MUR20060CT MUR20010CT
Modello di prodotti MUR20040CT MUR20020CTR MUR20060CT MUR20010CT
fabbricante GeneSiC Semiconductor GeneSiC Semiconductor GeneSiC Semiconductor GeneSiC Semiconductor
Pacchetto Bulk Bulk Bulk Bulk
Contenitore / involucro Twin Tower Twin Tower Twin Tower Twin Tower
Corrente - raddrizzata media (Io) (per diodo) 100A 100A 100A 100A
Contenitore dispositivo fornitore Twin Tower Twin Tower Twin Tower Twin Tower
Configurazione diodo 1 Pair Common Cathode 1 Pair Common Anode 1 Pair Common Cathode 1 Pair Common Cathode
Temperatura di funzionamento - Giunzione -55°C ~ 150°C -55°C ~ 150°C -55°C ~ 150°C -55°C ~ 150°C
Tensione - diretta (Vf) (max) a If 1.3 V @ 50 A 1.3 V @ 100 A 1.7 V @ 50 A 1.3 V @ 100 A
Numero di prodotto di base MUR20040 MUR20020 MUR20060 MUR20010
Serie - - - -
Tecnologia Standard Standard Standard Standard
Corrente - Dispersione inversa a Vr 25 µA @ 50 V 25 µA @ 50 V 25 µA @ 50 V 25 µA @ 50 V
Tipo montaggio Chassis Mount Chassis Mount Chassis Mount Chassis Mount
Velocità Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Tempo di ripristino inverso (trr) 90 ns 75 ns 110 ns 75 ns
Tensione - inversa (Vr) (max) 400 V 200 V 600 V 100 V

MUR20040CT Data foglio dati PDF

Scarica la scheda tecnica MUR20040CT PDF e la documentazione GeneSiC Semiconductor per MUR20040CT - GeneSiC Semiconductor.

Schede tecniche
MUR20040CT thru 20060CTR.pdf

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Paesi comuni Riferimento del tempo logistico
Regione Paese Tempo logistico (giorno)
America stati Uniti 5
Brasile 7
Europa Germania 5
Regno Unito 4
Italia 5
Oceania Australia 6
Nuova Zelanda 5
Asia India 4
Giappone 4
Medio Oriente Israele 6
DHL e FedEx Spedizione addebita riferimento
Accuse di spedizione (kg) Riferimento DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
Nota:
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