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CasaCentro di prodottiProdotti a semiconduttore discretiDiodi-raddrizzatori-matriciMUR20010CT
GeneSiC Semiconductor
Le immagini sono solo di riferimento, si prega di fare riferimento alle specifiche per ulteriori informazioni sul prodotto.

MUR20010CT - GeneSiC Semiconductor

fabbricante Modello di prodotti
MUR20010CT
fabbricante
GeneSiC Semiconductor
Allelco Modello di prodotti
32D-MUR20010CT
Modello ECAD
Descrizione delle parti
DIODE MODULE 100V 100A 2TOWER
Descrizione dettagliata
Pacchetto
Twin Tower
Scheda dati
MUR20005CT thru MUR20020CTR.pdf
Stato RoHS
A norma RoHS
In magazzino: 413

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Quantità

Specifiche

Specifiche tecnologiche MUR20010CT
Specifiche tecniche GeneSiC Semiconductor - MUR20010CT, attributi, parametri e parti con specifiche simili ad GeneSiC Semiconductor - MUR20010CT

Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
fabbricante GeneSiC Semiconductor  
Tensione - diretta (Vf) (max) a If 1.3 V @ 100 A  
Tensione - inversa (Vr) (max) 100 V  
Tecnologia Standard  
Contenitore dispositivo fornitore Twin Tower  
Velocità Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)  
Serie -  
Tempo di ripristino inverso (trr) 75 ns  
Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
Contenitore / involucro Twin Tower  
Pacchetto Bulk  
Temperatura di funzionamento - Giunzione -55°C ~ 150°C  
Tipo montaggio Chassis Mount  
Configurazione diodo 1 Pair Common Cathode  
Corrente - Dispersione inversa a Vr 25 µA @ 50 V  
Corrente - raddrizzata media (Io) (per diodo) 100A  
Numero di prodotto di base MUR20010  

Componenti con specifiche simili

Le tre parti sulla destra hanno specifiche simili a quelle di GeneSiC Semiconductor MUR20010CT

Proprietà del prodotto MUR20010CT MUR20020CT MUR20040CT MUR20020CTR
Modello di prodotti MUR20010CT MUR20020CT MUR20040CT MUR20020CTR
fabbricante GeneSiC Semiconductor GeneSiC Semiconductor GeneSiC Semiconductor GeneSiC Semiconductor
Tensione - inversa (Vr) (max) 100 V 200 V 400 V 200 V
Contenitore / involucro Twin Tower Twin Tower Twin Tower Twin Tower
Tempo di ripristino inverso (trr) 75 ns 75 ns 90 ns 75 ns
Tipo montaggio Chassis Mount Chassis Mount Chassis Mount Chassis Mount
Numero di prodotto di base MUR20010 MUR20020 MUR20040 MUR20020
Corrente - raddrizzata media (Io) (per diodo) 100A 100A 100A 100A
Tensione - diretta (Vf) (max) a If 1.3 V @ 100 A 1.3 V @ 100 A 1.3 V @ 50 A 1.3 V @ 100 A
Pacchetto Bulk Bulk Bulk Bulk
Velocità Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Tecnologia Standard Standard Standard Standard
Temperatura di funzionamento - Giunzione -55°C ~ 150°C -55°C ~ 150°C -55°C ~ 150°C -55°C ~ 150°C
Corrente - Dispersione inversa a Vr 25 µA @ 50 V 25 µA @ 50 V 25 µA @ 50 V 25 µA @ 50 V
Configurazione diodo 1 Pair Common Cathode 1 Pair Common Cathode 1 Pair Common Cathode 1 Pair Common Anode
Serie - - - -
Contenitore dispositivo fornitore Twin Tower Twin Tower Twin Tower Twin Tower

MUR20010CT Data foglio dati PDF

Scarica la scheda tecnica MUR20010CT PDF e la documentazione GeneSiC Semiconductor per MUR20010CT - GeneSiC Semiconductor.

Schede tecniche
MUR20005CT thru MUR20020CTR.pdf

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Paesi comuni Riferimento del tempo logistico
Regione Paese Tempo logistico (giorno)
America stati Uniti 5
Brasile 7
Europa Germania 5
Regno Unito 4
Italia 5
Oceania Australia 6
Nuova Zelanda 5
Asia India 4
Giappone 4
Medio Oriente Israele 6
DHL e FedEx Spedizione addebita riferimento
Accuse di spedizione (kg) Riferimento DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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