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CasaCentro di prodottiProdotti a semiconduttore discretiDiodi-raddrizzatori-matriciMBRT300200
GeneSiC Semiconductor
Le immagini sono solo di riferimento, si prega di fare riferimento alle specifiche per ulteriori informazioni sul prodotto.

MBRT300200 - GeneSiC Semiconductor

fabbricante Modello di prodotti
MBRT300200
fabbricante
GeneSiC Semiconductor
Allelco Modello di prodotti
32D-MBRT300200
Modello ECAD
Descrizione delle parti
DIODE SCHOTTKY 200V 150A 3 TOWER
Descrizione dettagliata
Pacchetto
Three Tower
Scheda dati
MBRT300150 thru MBRT300200R.pdf
Stato RoHS
A norma RoHS
In magazzino: 373

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Quantità

Specifiche

Specifiche tecnologiche MBRT300200
Specifiche tecniche GeneSiC Semiconductor - MBRT300200, attributi, parametri e parti con specifiche simili ad GeneSiC Semiconductor - MBRT300200

Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
fabbricante GeneSiC Semiconductor  
Tensione - diretta (Vf) (max) a If 920 mV @ 150 A  
Tensione - inversa (Vr) (max) 200 V  
Tecnologia Schottky  
Contenitore dispositivo fornitore Three Tower  
Velocità Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)  
Serie -  
Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
Contenitore / involucro Three Tower  
Pacchetto Bulk  
Temperatura di funzionamento - Giunzione -55°C ~ 150°C  
Tipo montaggio Chassis Mount  
Configurazione diodo 1 Pair Common Cathode  
Corrente - Dispersione inversa a Vr 1 mA @ 200 V  
Corrente - raddrizzata media (Io) (per diodo) 150A  

Componenti con specifiche simili

Le tre parti sulla destra hanno specifiche simili a quelle di GeneSiC Semiconductor MBRT300200

Proprietà del prodotto MBRT300200 MBRT30045 MBRT200100 MBRT200200
Modello di prodotti MBRT300200 MBRT30045 MBRT200100 MBRT200200
fabbricante GeneSiC Semiconductor GeneSiC Semiconductor GeneSiC Semiconductor GeneSiC Semiconductor
Temperatura di funzionamento - Giunzione -55°C ~ 150°C -55°C ~ 150°C -55°C ~ 150°C -55°C ~ 150°C
Tecnologia Schottky Schottky Schottky Schottky
Serie - - - -
Velocità Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Corrente - raddrizzata media (Io) (per diodo) 150A 150A 100A 100A
Pacchetto Bulk Bulk Bulk Bulk
Tensione - diretta (Vf) (max) a If 920 mV @ 150 A 750 mV @ 150 A 880 mV @ 100 A 920 mV @ 100 A
Configurazione diodo 1 Pair Common Cathode 1 Pair Common Cathode 1 Pair Common Cathode 1 Pair Common Cathode
Tensione - inversa (Vr) (max) 200 V 45 V 100 V 200 V
Tipo montaggio Chassis Mount Chassis Mount Chassis Mount Chassis Mount
Corrente - Dispersione inversa a Vr 1 mA @ 200 V 1 mA @ 20 V 1 mA @ 20 V 1 mA @ 200 V
Contenitore dispositivo fornitore Three Tower Three Tower Three Tower Three Tower
Contenitore / involucro Three Tower Three Tower Three Tower Three Tower

MBRT300200 Data foglio dati PDF

Scarica la scheda tecnica MBRT300200 PDF e la documentazione GeneSiC Semiconductor per MBRT300200 - GeneSiC Semiconductor.

Schede tecniche
MBRT300150 thru MBRT300200R.pdf

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Paesi comuni Riferimento del tempo logistico
Regione Paese Tempo logistico (giorno)
America stati Uniti 5
Brasile 7
Europa Germania 5
Regno Unito 4
Italia 5
Oceania Australia 6
Nuova Zelanda 5
Asia India 4
Giappone 4
Medio Oriente Israele 6
DHL e FedEx Spedizione addebita riferimento
Accuse di spedizione (kg) Riferimento DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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