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CasaCentro di prodottiProdotti a semiconduttore discretiDiodi-raddrizzatori-matriciMBRT200200
GeneSiC Semiconductor
Le immagini sono solo di riferimento, si prega di fare riferimento alle specifiche per ulteriori informazioni sul prodotto.

MBRT200200 - GeneSiC Semiconductor

fabbricante Modello di prodotti
MBRT200200
fabbricante
GeneSiC Semiconductor
Allelco Modello di prodotti
32D-MBRT200200
Modello ECAD
Descrizione delle parti
DIODE SCHOTTKY 200V 100A 3 TOWER
Descrizione dettagliata
Pacchetto
Three Tower
Scheda dati
MBRT200150 thru MBRT200200R.pdf
Stato RoHS
A norma RoHS
In magazzino: 330

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Quantità

Specifiche

Specifiche tecnologiche MBRT200200
Specifiche tecniche GeneSiC Semiconductor - MBRT200200, attributi, parametri e parti con specifiche simili ad GeneSiC Semiconductor - MBRT200200

Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
fabbricante GeneSiC Semiconductor  
Tensione - diretta (Vf) (max) a If 920 mV @ 100 A  
Tensione - inversa (Vr) (max) 200 V  
Tecnologia Schottky  
Contenitore dispositivo fornitore Three Tower  
Velocità Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)  
Serie -  
Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
Contenitore / involucro Three Tower  
Pacchetto Bulk  
Temperatura di funzionamento - Giunzione -55°C ~ 150°C  
Tipo montaggio Chassis Mount  
Configurazione diodo 1 Pair Common Cathode  
Corrente - Dispersione inversa a Vr 1 mA @ 200 V  
Corrente - raddrizzata media (Io) (per diodo) 100A  

Componenti con specifiche simili

Le tre parti sulla destra hanno specifiche simili a quelle di GeneSiC Semiconductor MBRT200200

Proprietà del prodotto MBRT200200 MBRT20030 MBRS6040CT MBRT12040
Modello di prodotti MBRT200200 MBRT20030 MBRS6040CT MBRT12040
fabbricante GeneSiC Semiconductor GeneSiC Semiconductor Taiwan Semiconductor Corporation GeneSiC Semiconductor
Tensione - diretta (Vf) (max) a If 920 mV @ 100 A 750 mV @ 100 A 1.05 V @ 60 A 750 mV @ 60 A
Contenitore dispositivo fornitore Three Tower Three Tower TO-263AB (D²PAK) Three Tower
Corrente - raddrizzata media (Io) (per diodo) 100A 100A 60A 60A
Temperatura di funzionamento - Giunzione -55°C ~ 150°C -55°C ~ 150°C -55°C ~ 150°C -55°C ~ 150°C
Tipo montaggio Chassis Mount Chassis Mount Surface Mount Chassis Mount
Corrente - Dispersione inversa a Vr 1 mA @ 200 V 1 mA @ 20 V 100 µA @ 40 V 1 mA @ 20 V
Serie - - - -
Pacchetto Bulk Bulk Tape & Reel (TR) Bulk
Velocità Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Contenitore / involucro Three Tower Three Tower TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB Three Tower
Tensione - inversa (Vr) (max) 200 V 30 V 40 V 40 V
Configurazione diodo 1 Pair Common Cathode 1 Pair Common Cathode 1 Pair Common Cathode 1 Pair Common Cathode
Tecnologia Schottky Schottky Schottky Schottky

MBRT200200 Data foglio dati PDF

Scarica la scheda tecnica MBRT200200 PDF e la documentazione GeneSiC Semiconductor per MBRT200200 - GeneSiC Semiconductor.

Schede tecniche
MBRT200150 thru MBRT200200R.pdf

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Paesi comuni Riferimento del tempo logistico
Regione Paese Tempo logistico (giorno)
America stati Uniti 5
Brasile 7
Europa Germania 5
Regno Unito 4
Italia 5
Oceania Australia 6
Nuova Zelanda 5
Asia India 4
Giappone 4
Medio Oriente Israele 6
DHL e FedEx Spedizione addebita riferimento
Accuse di spedizione (kg) Riferimento DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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