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CasaCentro di prodottiProdotti a semiconduttore discretiTransistor-FET, MOSFET-singoloPMF87EN,115
PMF87EN,115 Image
Le immagini sono solo di riferimento, si prega di fare riferimento alle specifiche per ulteriori informazioni sul prodotto.

PMF87EN,115 - NXP USA Inc.

fabbricante Modello di prodotti
PMF87EN,115
fabbricante
NXP Semiconductors
Allelco Modello di prodotti
32D-PMF87EN,115
Modello ECAD
Descrizione delle parti
MOSFET N-CH 30V 1.7A SOT323-3
Descrizione dettagliata
Pacchetto
SC-70, SOT-323
Scheda dati
PMF87EN.pdf
Stato RoHS
In magazzino: 4170

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Quantità

Specifiche

Specifiche tecnologiche PMF87EN,115
Specifiche tecniche NXP USA Inc. - PMF87EN,115, attributi, parametri e parti con specifiche simili ad NXP USA Inc. - PMF87EN,115

Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
fabbricante NXP Semiconductors  
Vgs (th) (max) a Id 2.5V @ 250µA  
Vgs (Max) ±20V  
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)  
Contenitore dispositivo fornitore SC-70  
Serie -  
Rds On (max) a Id, Vgs 80mOhm @ 1.7A, 10V  
Dissipazione di potenza (max) 275mW (Ta)  
Contenitore / involucro SC-70, SOT-323  
Pacchetto Tape & Reel (TR)  
Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ)  
Tipo montaggio Surface Mount  
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 135 pF @ 15 V  
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 4.7 nC @ 10 V  
Tipo FET N-Channel  
Caratteristica FET -  
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V  
Tensione drain-source (Vdss) 30 V  
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 1.7A (Ta)  
Numero di prodotto di base PMF87  

Componenti con specifiche simili

Le tre parti sulla destra hanno specifiche simili a quelle di NXP USA Inc. PMF87EN,115

Proprietà del prodotto PMF87EN,115 PMFPB8032XP,115 PMF63UNEX PMF63UN,115
Modello di prodotti PMF87EN,115 PMFPB8032XP,115 PMF63UNEX PMF63UN,115
fabbricante NXP USA Inc. Nexperia USA Inc. Nexperia USA Inc. NXP USA Inc.
Contenitore dispositivo fornitore SC-70 6-HUSON (2x2) SOT-323 SC-70
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (max) a Id, Vgs 80mOhm @ 1.7A, 10V 102mOhm @ 2.7A, 4.5V 65mOhm @ 2A, 4.5V 74mOhm @ 1.8A, 4.5V
Vgs (th) (max) a Id 2.5V @ 250µA 1V @ 250µA 1V @ 250µA 1V @ 250µA
Tensione drain-source (Vdss) 30 V 20 V 20 V 20 V
Dissipazione di potenza (max) 275mW (Ta) 485mW (Ta), 6.25W (Tc) 395mW (Ta) 275mW (Ta), 1.785W (Tc)
Numero di prodotto di base PMF87 PMFPB8032 PMF63 PMF63
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V 4.5V 1.8V, 4.5V 1.8V, 4.5V
Caratteristica FET - Schottky Diode (Isolated) - -
Tipo FET N-Channel P-Channel N-Channel N-Channel
Vgs (Max) ±20V ±12V ±8V ±8V
Serie - - - -
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 135 pF @ 15 V 550 pF @ 10 V 289 pF @ 10 V 185 pF @ 10 V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 4.7 nC @ 10 V 8.6 nC @ 4.5 V 5.85 nC @ 4.5 V 3.3 nC @ 4.5 V
Contenitore / involucro SC-70, SOT-323 6-UFDFN Exposed Pad SC-70, SOT-323 SC-70, SOT-323
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 1.7A (Ta) 2.7A (Ta) 2.2A (Ta) 1.8A (Ta)
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Tipo montaggio Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Pacchetto Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

PMF87EN,115 Data foglio dati PDF

Scarica la scheda tecnica PMF87EN,115 PDF e la documentazione NXP USA Inc. per PMF87EN,115 - NXP USA Inc..

Packaging PCN
All Dev Label Update 15/Dec/2020.pdf
Informazioni ambientali
NXP USA Inc REACH.pdf NXP USA Inc RoHS Cert.pdf
PCN Obsolescence/ EOL
Multiple Devices 25/Dec/2013.pdf
Schede tecniche
PMF87EN.pdf

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Regione Paese Tempo logistico (giorno)
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Europa Germania 5
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Italia 5
Oceania Australia 6
Nuova Zelanda 5
Asia India 4
Giappone 4
Medio Oriente Israele 6
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Accuse di spedizione (kg) Riferimento DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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