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CasaCentro di prodottiProdotti a semiconduttore discretiTransistor-FET, MOSFET-singoloPMF63UN,115
PMF63UN,115 Image
Le immagini sono solo di riferimento, si prega di fare riferimento alle specifiche per ulteriori informazioni sul prodotto.

PMF63UN,115 - NXP USA Inc.

fabbricante Modello di prodotti
PMF63UN,115
fabbricante
NXP Semiconductors
Allelco Modello di prodotti
32D-PMF63UN,115
Modello ECAD
Descrizione delle parti
MOSFET N-CH 20V 1.8A SOT323-3
Descrizione dettagliata
Pacchetto
SC-70, SOT-323
Scheda dati
PMF63UN.pdf
Stato RoHS
In magazzino: 4050

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Quantità

Specifiche

Specifiche tecnologiche PMF63UN,115
Specifiche tecniche NXP USA Inc. - PMF63UN,115, attributi, parametri e parti con specifiche simili ad NXP USA Inc. - PMF63UN,115

Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
fabbricante NXP Semiconductors  
Vgs (th) (max) a Id 1V @ 250µA  
Vgs (Max) ±8V  
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)  
Contenitore dispositivo fornitore SC-70  
Serie -  
Rds On (max) a Id, Vgs 74mOhm @ 1.8A, 4.5V  
Dissipazione di potenza (max) 275mW (Ta), 1.785W (Tc)  
Contenitore / involucro SC-70, SOT-323  
Pacchetto Tape & Reel (TR)  
Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ)  
Tipo montaggio Surface Mount  
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 185 pF @ 10 V  
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 3.3 nC @ 4.5 V  
Tipo FET N-Channel  
Caratteristica FET -  
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 1.8V, 4.5V  
Tensione drain-source (Vdss) 20 V  
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 1.8A (Ta)  
Numero di prodotto di base PMF63  

Componenti con specifiche simili

Le tre parti sulla destra hanno specifiche simili a quelle di NXP USA Inc. PMF63UN,115

Proprietà del prodotto PMF63UN,115 PMF63UNEX PMF87EN,115 PMF77XN,115
Modello di prodotti PMF63UN,115 PMF63UNEX PMF87EN,115 PMF77XN,115
fabbricante NXP USA Inc. Nexperia USA Inc. NXP USA Inc. NXP USA Inc.
Tipo FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 185 pF @ 10 V 289 pF @ 10 V 135 pF @ 15 V 170 pF @ 15 V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 3.3 nC @ 4.5 V 5.85 nC @ 4.5 V 4.7 nC @ 10 V 2.9 nC @ 4.5 V
Vgs (Max) ±8V ±8V ±20V ±12V
Tensione drain-source (Vdss) 20 V 20 V 30 V 30 V
Dissipazione di potenza (max) 275mW (Ta), 1.785W (Tc) 395mW (Ta) 275mW (Ta) 270mW (Ta), 1.92W (Tc)
Pacchetto Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
Tipo montaggio Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Numero di prodotto di base PMF63 PMF63 PMF87 PMF77
Rds On (max) a Id, Vgs 74mOhm @ 1.8A, 4.5V 65mOhm @ 2A, 4.5V 80mOhm @ 1.7A, 10V 97mOhm @ 1.5A, 4.5V
Vgs (th) (max) a Id 1V @ 250µA 1V @ 250µA 2.5V @ 250µA 1.5V @ 250µA
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 1.8A (Ta) 2.2A (Ta) 1.7A (Ta) 1.5A (Ta)
Serie - - - -
Contenitore dispositivo fornitore SC-70 SOT-323 SC-70 SC-70
Caratteristica FET - - - -
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 1.8V, 4.5V 1.8V, 4.5V 4.5V, 10V 2.5V, 4.5V
Contenitore / involucro SC-70, SOT-323 SC-70, SOT-323 SC-70, SOT-323 SC-70, SOT-323

PMF63UN,115 Data foglio dati PDF

Scarica la scheda tecnica PMF63UN,115 PDF e la documentazione NXP USA Inc. per PMF63UN,115 - NXP USA Inc..

Packaging PCN
All Dev Label Update 15/Dec/2020.pdf
Informazioni ambientali
NXP USA Inc REACH.pdf NXP USA Inc RoHS Cert.pdf
PCN Obsolescence/ EOL
MCU Dip Supply Situation 12/May/2015.pdf Multiple Devices 01/Jul/2014.pdf
Schede tecniche
PMF63UN.pdf

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Europa Germania 5
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Italia 5
Oceania Australia 6
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Asia India 4
Giappone 4
Medio Oriente Israele 6
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0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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32D-PMF63UN,115

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