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CasaCentro di prodottiProdotti a semiconduttore discretiTransistor-FET, MOSFET-singoloPH8030L,115
PH8030L,115 Image
Le immagini sono solo di riferimento, si prega di fare riferimento alle specifiche per ulteriori informazioni sul prodotto.
OPZIONE ESPRIT
Metodo di pagamento

PH8030L,115 - NXP Semiconductors / Freescale

fabbricante Modello di prodotti
PH8030L,115
fabbricante
NXP Semiconductors
Allelco Modello di prodotti
32D-PH8030L,115
Modello ECAD
Descrizione delle parti
MOSFET N-CH 30V 76.7A LFPAK
Pacchetto
SC-100, SOT-669, 4-LFPAK
Scheda dati
PH8030L,115.pdf
Stato RoHS
Senza piombo / RoHS conforme
La nostra certificazione
In magazzino: 5400

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Quantità
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Specifiche

Specifiche tecnologiche PH8030L,115
Specifiche tecniche NXP Semiconductors / Freescale - PH8030L,115, attributi, parametri e parti con specifiche simili ad NXP Semiconductors / Freescale - PH8030L,115

Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
fabbricante NXP Semiconductors  
Vgs (th) (max) a Id 2.15V @ 1mA  
Vgs (Max) ±20V  
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)  
Contenitore dispositivo fornitore LFPAK56, Power-SO8  
Serie TrenchMOS™  
Rds On (max) a Id, Vgs 5.9 mOhm @ 25A, 10V  
Dissipazione di potenza (max) 62.5W (Tc)  
imballaggio Tape & Reel (TR)  
Contenitore / involucro SC-100, SOT-669, 4-LFPAK  
Altri nomi 934058818115
PH8030L T/R
PH8030L T/R-ND
 
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ)  
Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
Tipo montaggio Surface Mount  
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)  
Stato senza piombo / Stato RoHS Lead free / RoHS Compliant  
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 2260pF @ 12V  
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 15.2nC @ 4.5V  
Tipo FET N-Channel  
Caratteristica FET -  
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V  
Tensione drain-source (Vdss) 30V  
Descrizione dettagliata N-Channel 30V 76.7A (Tc) 62.5W (Tc) Surface Mount LFPAK56, Power-SO8  
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 76.7A (Tc)  

Classificazioni ambientali e di esportazione

ATTRIBUTO DESCRIZIONE
Stato RoHS Senza piombo / RoHS conforme
Livello di sensibilità all'umidità (MSL)
Raggiungere lo stato
ECCN
HTSUS

Componenti con specifiche simili

Le tre parti sulla destra hanno specifiche simili a quelle di NXP Semiconductors / Freescale PH8030L,115

Proprietà del prodotto PH8030L,115 NDP6030PL IRFR13N20DPBF AO4268
Modello di prodotti PH8030L,115 NDP6030PL IRFR13N20DPBF AO4268
fabbricante NXP Semiconductors / Freescale Fairchild Semiconductor Infineon Technologies Alpha & Omega Semiconductor Inc.
Contenitore dispositivo fornitore LFPAK56, Power-SO8 TO-220-3 D-Pak 8-SOIC
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ) -65°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (max) a Id, Vgs 5.9 mOhm @ 25A, 10V 25mOhm @ 19A, 10V 235mOhm @ 8A, 10V 4.8mOhm @ 19A, 10V
Stato senza piombo / Stato RoHS Lead free / RoHS Compliant - - -
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited) - - -
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 2260pF @ 12V 1570 pF @ 15 V 830 pF @ 25 V 2500 pF @ 30 V
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 76.7A (Tc) 30A (Tc) 13A (Tc) 19A (Ta)
Tipo montaggio Surface Mount Through Hole Surface Mount Surface Mount
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V 4.5V, 10V 10V 4.5V, 10V
Dissipazione di potenza (max) 62.5W (Tc) 75W (Tc) 110W (Tc) 3.1W (Ta)
Contenitore / involucro SC-100, SOT-669, 4-LFPAK TO-220-3 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Altri nomi 934058818115
PH8030L T/R
PH8030L T/R-ND
- - -
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
imballaggio Tape & Reel (TR) - - -
Vgs (Max) ±20V ±16V ±30V ±20V
Descrizione dettagliata N-Channel 30V 76.7A (Tc) 62.5W (Tc) Surface Mount LFPAK56, Power-SO8 - - -
Serie TrenchMOS™ - HEXFET® AlphaSGT™
Caratteristica FET - - - -
Tensione drain-source (Vdss) 30V 30 V 200 V 60 V
Vgs (th) (max) a Id 2.15V @ 1mA 2V @ 250µA 5.5V @ 250µA 2.3V @ 250µA
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 15.2nC @ 4.5V 36 nC @ 5 V 38 nC @ 10 V 65 nC @ 10 V
Tipo FET N-Channel P-Channel N-Channel N-Channel

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Paesi comuni Riferimento del tempo logistico
Regione Paese Tempo logistico (giorno)
America stati Uniti 5
Brasile 7
Europa Germania 5
Regno Unito 4
Italia 5
Oceania Australia 6
Nuova Zelanda 5
Asia India 4
Giappone 4
Medio Oriente Israele 6
DHL e FedEx Spedizione addebita riferimento
Accuse di spedizione (kg) Riferimento DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
Nota:
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NXP Semiconductors / Freescale
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