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CasaCentro di prodottiProdotti a semiconduttore discretiTransistor-FET, MOSFET-singoloSFR9210TM
Fairchild Semiconductor
Le immagini sono solo di riferimento, si prega di fare riferimento alle specifiche per ulteriori informazioni sul prodotto.

SFR9210TM - Fairchild Semiconductor

fabbricante Modello di prodotti
SFR9210TM
fabbricante
Fairchild (onsemi)
Allelco Modello di prodotti
32D-SFR9210TM
Modello ECAD
Descrizione delle parti
P-CHANNEL POWER MOSFET
Descrizione dettagliata
Pacchetto
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Scheda dati
SFR9210TM.pdf
Stato RoHS
In magazzino: 3670

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Quantità

Specifiche

Specifiche tecnologiche SFR9210TM
Specifiche tecniche Fairchild Semiconductor - SFR9210TM, attributi, parametri e parti con specifiche simili ad Fairchild Semiconductor - SFR9210TM

Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
fabbricante Fairchild (onsemi)  
Vgs (th) (max) a Id 4V @ 250µA  
Vgs (Max) ±30V  
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)  
Contenitore dispositivo fornitore TO-252-3 (DPAK)  
Serie -  
Rds On (max) a Id, Vgs 3Ohm @ 800mA, 10V  
Dissipazione di potenza (max) 2.5W (Ta), 19W (Tc)  
Contenitore / involucro TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63  
Pacchetto Bulk  
Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ)  
Tipo montaggio Surface Mount  
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 285 pF @ 25 V  
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 11 nC @ 10 V  
Tipo FET P-Channel  
Caratteristica FET -  
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 10V  
Tensione drain-source (Vdss) 200 V  
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 1.6A (Tc)  

Componenti con specifiche simili

Le tre parti sulla destra hanno specifiche simili a quelle di Fairchild Semiconductor SFR9210TM

Proprietà del prodotto SFR9210TM SFR9110TF SFR9110TF SFR9230BTM
Modello di prodotti SFR9210TM SFR9110TF SFR9110TF SFR9230BTM
fabbricante Fairchild Semiconductor Fairchild Semiconductor onsemi Fairchild Semiconductor
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 1.6A (Tc) 2.8A (Tc) 2.8A (Tc) 5.4A (Tc)
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 11 nC @ 10 V 10 nC @ 10 V 10 nC @ 10 V 45 nC @ 10 V
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Serie - - - -
Tipo FET P-Channel P-Channel P-Channel P-Channel
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Caratteristica FET - - - -
Rds On (max) a Id, Vgs 3Ohm @ 800mA, 10V 1.2Ohm @ 1.4A, 10V 1.2Ohm @ 1.4A, 10V 800mOhm @ 2.7A, 10V
Pacchetto Bulk Bulk Tape & Reel (TR) Bulk
Contenitore / involucro TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Vgs (th) (max) a Id 4V @ 250µA 4V @ 250µA 4V @ 250µA 4V @ 250µA
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 10V 10V 10V 10V
Contenitore dispositivo fornitore TO-252-3 (DPAK) TO-252, (D-Pak) TO-252AA TO-252-3 (DPAK)
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 285 pF @ 25 V 335 pF @ 25 V 335 pF @ 25 V 1000 pF @ 25 V
Vgs (Max) ±30V ±30V ±30V ±30V
Tipo montaggio Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Tensione drain-source (Vdss) 200 V 100 V 100 V 200 V
Dissipazione di potenza (max) 2.5W (Ta), 19W (Tc) 2.5W (Ta), 20W (Tc) 2.5W (Ta), 20W (Tc) 2.5W (Ta), 49W (Tc)

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Paesi comuni Riferimento del tempo logistico
Regione Paese Tempo logistico (giorno)
America stati Uniti 5
Brasile 7
Europa Germania 5
Regno Unito 4
Italia 5
Oceania Australia 6
Nuova Zelanda 5
Asia India 4
Giappone 4
Medio Oriente Israele 6
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Accuse di spedizione (kg) Riferimento DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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