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CasaCentro di prodottiProdotti a semiconduttore discretiTransistor-FET, MOSFET-singoloSFR9024TM
Fairchild Semiconductor
Le immagini sono solo di riferimento, si prega di fare riferimento alle specifiche per ulteriori informazioni sul prodotto.

SFR9024TM - Fairchild Semiconductor

fabbricante Modello di prodotti
SFR9024TM
fabbricante
Fairchild (onsemi)
Allelco Modello di prodotti
32D-SFR9024TM
Modello ECAD
Descrizione delle parti
MOSFET P-CH 60V 7.8A DPAK
Descrizione dettagliata
Pacchetto
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Scheda dati
SFR9024TM.pdf
Stato RoHS
In magazzino: 4680

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Quantità

Specifiche

Specifiche tecnologiche SFR9024TM
Specifiche tecniche Fairchild Semiconductor - SFR9024TM, attributi, parametri e parti con specifiche simili ad Fairchild Semiconductor - SFR9024TM

Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
fabbricante Fairchild (onsemi)  
Vgs (th) (max) a Id 4V @ 250µA  
Vgs (Max) ±30V  
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)  
Contenitore dispositivo fornitore TO-252, (D-Pak)  
Serie -  
Rds On (max) a Id, Vgs 280mOhm @ 3.9A, 10V  
Dissipazione di potenza (max) 2.5W (Ta), 32W (Tc)  
Contenitore / involucro TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63  
Pacchetto Bulk  
Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ)  
Tipo montaggio Surface Mount  
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 600 pF @ 25 V  
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 19 nC @ 10 V  
Tipo FET P-Channel  
Caratteristica FET -  
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 10V  
Tensione drain-source (Vdss) 60 V  
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 7.8A (Tc)  

Componenti con specifiche simili

Le tre parti sulla destra hanno specifiche simili a quelle di Fairchild Semiconductor SFR9024TM

Proprietà del prodotto SFR9024TM SFR9034TF SFR9110TF SFR9034TF
Modello di prodotti SFR9024TM SFR9034TF SFR9110TF SFR9034TF
fabbricante Fairchild Semiconductor Fairchild Semiconductor Fairchild Semiconductor onsemi
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 19 nC @ 10 V 38 nC @ 10 V 10 nC @ 10 V 38 nC @ 10 V
Serie - - - -
Tensione drain-source (Vdss) 60 V 60 V 100 V 60 V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 600 pF @ 25 V 1155 pF @ 25 V 335 pF @ 25 V 1155 pF @ 25 V
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 7.8A (Tc) 14A (Tc) 2.8A (Tc) 14A (Tc)
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 10V 10V 10V 10V
Tipo montaggio Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Caratteristica FET - - - -
Dissipazione di potenza (max) 2.5W (Ta), 32W (Tc) 2.5W (Ta), 49W (Tc) 2.5W (Ta), 20W (Tc) 2.5W (Ta), 49W (Tc)
Pacchetto Bulk Bulk Bulk Tape & Reel (TR)
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Rds On (max) a Id, Vgs 280mOhm @ 3.9A, 10V 140mOhm @ 7A, 10V 1.2Ohm @ 1.4A, 10V 140mOhm @ 7A, 10V
Contenitore / involucro TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Vgs (Max) ±30V ±25V ±30V ±25V
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Contenitore dispositivo fornitore TO-252, (D-Pak) TO-252, (D-Pak) TO-252, (D-Pak) TO-252AA
Tipo FET P-Channel P-Channel P-Channel P-Channel
Vgs (th) (max) a Id 4V @ 250µA 4V @ 250µA 4V @ 250µA 4V @ 250µA

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Paesi comuni Riferimento del tempo logistico
Regione Paese Tempo logistico (giorno)
America stati Uniti 5
Brasile 7
Europa Germania 5
Regno Unito 4
Italia 5
Oceania Australia 6
Nuova Zelanda 5
Asia India 4
Giappone 4
Medio Oriente Israele 6
DHL e FedEx Spedizione addebita riferimento
Accuse di spedizione (kg) Riferimento DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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