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CasaCentro di prodottiProdotti a semiconduttore discretiTransistor-FET, MOSFET-singoloRFG40N10
Fairchild Semiconductor
Le immagini sono solo di riferimento, si prega di fare riferimento alle specifiche per ulteriori informazioni sul prodotto.

RFG40N10 - Fairchild Semiconductor

fabbricante Modello di prodotti
RFG40N10
fabbricante
Fairchild (onsemi)
Allelco Modello di prodotti
32D-RFG40N10
Modello ECAD
Descrizione delle parti
MOSFET N-CH 100V 40A TO247-3
Descrizione dettagliata
Pacchetto
TO-247-3
Scheda dati
RFG40N10.pdf
In magazzino: 19076

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Specifiche

Specifiche tecnologiche RFG40N10
Specifiche tecniche Fairchild Semiconductor - RFG40N10, attributi, parametri e parti con specifiche simili ad Fairchild Semiconductor - RFG40N10

Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
fabbricante Fairchild (onsemi)  
Vgs (th) (max) a Id 4V @ 250µA  
Vgs (Max) ±20V  
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)  
Contenitore dispositivo fornitore TO-247  
Serie -  
Rds On (max) a Id, Vgs 40mOhm @ 40A, 10V  
Dissipazione di potenza (max) 160W (Tc)  
Contenitore / involucro TO-247-3  
Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
Pacchetto Tube  
temperatura di esercizio -55°C ~ 175°C (TJ)  
Tipo montaggio Through Hole  
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 300 nC @ 20 V  
Tipo FET N-Channel  
Caratteristica FET -  
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 10V  
Tensione drain-source (Vdss) 100 V  
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 40A (Tc)  

Componenti con specifiche simili

Le tre parti sulla destra hanno specifiche simili a quelle di Fairchild Semiconductor RFG40N10

Proprietà del prodotto RFG40N10 RFG75N05E RFG70N06 RFG40N10LE
Modello di prodotti RFG40N10 RFG75N05E RFG70N06 RFG40N10LE
fabbricante Fairchild Semiconductor Harris Corporation onsemi Harris Corporation
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 40A (Tc) 75A (Tc) 70A (Tc) -
Vgs (th) (max) a Id 4V @ 250µA 4V @ 250µA 4V @ 250µA -
Contenitore / involucro TO-247-3 TO-247-3 TO-247-3 -
Contenitore dispositivo fornitore TO-247 TO-247 TO-247-3 -
Dissipazione di potenza (max) 160W (Tc) 240W (Tc) 150W (Tc) -
Tipo FET N-Channel N-Channel N-Channel -
Caratteristica FET - - - -
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 10V 10V 10V -
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 300 nC @ 20 V 400 nC @ 20 V 156 nC @ 20 V -
Vgs (Max) ±20V ±20V ±20V -
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) -
Tensione drain-source (Vdss) 100 V 50 V 60 V -
Serie - - - *
Rds On (max) a Id, Vgs 40mOhm @ 40A, 10V 8mOhm @ 75A, 10V 14mOhm @ 70A, 10V -
Pacchetto Tube Bulk Tube Bulk
temperatura di esercizio -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -
Tipo montaggio Through Hole Through Hole Through Hole -

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Paesi comuni Riferimento del tempo logistico
Regione Paese Tempo logistico (giorno)
America stati Uniti 5
Brasile 7
Europa Germania 5
Regno Unito 4
Italia 5
Oceania Australia 6
Nuova Zelanda 5
Asia India 4
Giappone 4
Medio Oriente Israele 6
DHL e FedEx Spedizione addebita riferimento
Accuse di spedizione (kg) Riferimento DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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