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CasaCentro di prodottiProdotti a semiconduttore discretiTransistor-FET, MOSFET-singoloRFG70N06
onsemi
Le immagini sono solo di riferimento, si prega di fare riferimento alle specifiche per ulteriori informazioni sul prodotto.

RFG70N06 - onsemi

fabbricante Modello di prodotti
RFG70N06
fabbricante
onsemi
Allelco Modello di prodotti
32D-RFG70N06
Modello ECAD
Descrizione delle parti
MOSFET N-CH 60V 70A TO247-3
Descrizione dettagliata
Pacchetto
TO-247-3
Scheda dati
RFG70N06, RFP70N06, RF1S70N06/SM.pdf
In magazzino: 5290

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Specifiche

Specifiche tecnologiche RFG70N06
Specifiche tecniche onsemi - RFG70N06, attributi, parametri e parti con specifiche simili ad onsemi - RFG70N06

Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
fabbricante onsemi  
Vgs (th) (max) a Id 4V @ 250µA  
Vgs (Max) ±20V  
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)  
Contenitore dispositivo fornitore TO-247-3  
Serie -  
Rds On (max) a Id, Vgs 14mOhm @ 70A, 10V  
Dissipazione di potenza (max) 150W (Tc)  
Contenitore / involucro TO-247-3  
Pacchetto Tube  
Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
temperatura di esercizio -55°C ~ 175°C (TJ)  
Tipo montaggio Through Hole  
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 2250 pF @ 25 V  
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 156 nC @ 20 V  
Tipo FET N-Channel  
Caratteristica FET -  
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 10V  
Tensione drain-source (Vdss) 60 V  
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 70A (Tc)  
Numero di prodotto di base RFG70  

Componenti con specifiche simili

Le tre parti sulla destra hanno specifiche simili a quelle di onsemi RFG70N06

Proprietà del prodotto RFG70N06 RFG40N10LE RFG40N10 PHM2230DLSX
Modello di prodotti RFG70N06 RFG40N10LE RFG40N10 PHM2230DLSX
fabbricante onsemi Harris Corporation Harris Corporation Nexperia USA Inc.
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 10V - 10V -
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 70A (Tc) - 40A (Tc) -
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 2250 pF @ 25 V - - -
Vgs (th) (max) a Id 4V @ 250µA - 4V @ 250µA -
Pacchetto Tube Bulk Tube -
Caratteristica FET - - - -
temperatura di esercizio -55°C ~ 175°C (TJ) - -55°C ~ 175°C (TJ) -
Vgs (Max) ±20V - ±20V -
Tensione drain-source (Vdss) 60 V - 100 V -
Dissipazione di potenza (max) 150W (Tc) - 160W (Tc) -
Contenitore dispositivo fornitore TO-247-3 - TO-247-3 -
Numero di prodotto di base RFG70 - RFG40 -
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 156 nC @ 20 V - 300 nC @ 20 V -
Tipo montaggio Through Hole - Through Hole -
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) - MOSFET (Metal Oxide) -
Contenitore / involucro TO-247-3 - TO-247-3 -
Tipo FET N-Channel - N-Channel -
Serie - * - -
Rds On (max) a Id, Vgs 14mOhm @ 70A, 10V - 40mOhm @ 40A, 10V -

RFG70N06 Data foglio dati PDF

Scarica la scheda tecnica RFG70N06 PDF e la documentazione onsemi per RFG70N06 - onsemi.

Informazioni ambientali
onsemi REACH.pdf onsemi RoHS.pdf
PCN Design/Specifica
Plating Material 20/Dec/2007.pdf
Schede tecniche
RFG70N06, RFP70N06, RF1S70N06/SM.pdf

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Paesi comuni Riferimento del tempo logistico
Regione Paese Tempo logistico (giorno)
America stati Uniti 5
Brasile 7
Europa Germania 5
Regno Unito 4
Italia 5
Oceania Australia 6
Nuova Zelanda 5
Asia India 4
Giappone 4
Medio Oriente Israele 6
DHL e FedEx Spedizione addebita riferimento
Accuse di spedizione (kg) Riferimento DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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