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CasaCentro di prodottiProdotti a semiconduttore discretiTransistor-bipolare (BJT)-singoloMJD112TF
Fairchild Semiconductor
Le immagini sono solo di riferimento, si prega di fare riferimento alle specifiche per ulteriori informazioni sul prodotto.

MJD112TF - Fairchild Semiconductor

fabbricante Modello di prodotti
MJD112TF
fabbricante
Fairchild (onsemi)
Allelco Modello di prodotti
32D-MJD112TF
Modello ECAD
Descrizione delle parti
TRANS NPN DARL 100V 2A DPAK
Descrizione dettagliata
Pacchetto
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Scheda dati
MJD112TF.pdf
Stato RoHS
In magazzino: 5360

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Quantità

Specifiche

Specifiche tecnologiche MJD112TF
Specifiche tecniche Fairchild Semiconductor - MJD112TF, attributi, parametri e parti con specifiche simili ad Fairchild Semiconductor - MJD112TF

Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
fabbricante Fairchild (onsemi)  
Tensione - rottura collettore-emettitore (max) 100 V  
Vce saturazione (max) a Ib, Ic 3V @ 40mA, 4A  
Tipo transistor NPN - Darlington  
Contenitore dispositivo fornitore D-Pak  
Serie -  
Potenza - Max 1.75 W  
Contenitore / involucro TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63  
Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
Pacchetto Bulk  
temperatura di esercizio 150°C (TJ)  
Tipo montaggio Surface Mount  
Frequenza - transizione 25MHz  
Guadagno in corrente cc (hFE) (min) @ Ic, Vce 1000 @ 2A, 3V  
Corrente - Cutoff collettore (max) 20µA  
Corrente - collettore (Ic) (max) 2 A  
Numero di prodotto di base MJD11  

Componenti con specifiche simili

Le tre parti sulla destra hanno specifiche simili a quelle di Fairchild Semiconductor MJD112TF

Proprietà del prodotto MJD112TF MJD112T4G MJD117G MJD112T4
Modello di prodotti MJD112TF MJD112T4G MJD117G MJD112T4
fabbricante Fairchild Semiconductor onsemi onsemi onsemi
temperatura di esercizio 150°C (TJ) -65°C ~ 150°C (TJ) -65°C ~ 150°C (TJ) -65°C ~ 150°C (TJ)
Serie - - - -
Tipo montaggio Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Pacchetto Bulk Tape & Reel (TR) Tube Cut Tape (CT)
Guadagno in corrente cc (hFE) (min) @ Ic, Vce 1000 @ 2A, 3V 1000 @ 2A, 3V 1000 @ 2A, 3V 1000 @ 2A, 3V
Corrente - collettore (Ic) (max) 2 A 2 A 2 A 2 A
Potenza - Max 1.75 W 20 W 1.75 W 20 W
Tensione - rottura collettore-emettitore (max) 100 V 100 V 100 V 100 V
Numero di prodotto di base MJD11 MJD112 MJD117 MJD11
Tipo transistor NPN - Darlington NPN - Darlington PNP - Darlington NPN - Darlington
Frequenza - transizione 25MHz 25MHz 25MHz 25MHz
Contenitore / involucro TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Contenitore dispositivo fornitore D-Pak DPAK DPAK DPAK
Corrente - Cutoff collettore (max) 20µA 20µA 20µA 20µA
Vce saturazione (max) a Ib, Ic 3V @ 40mA, 4A 3V @ 40mA, 4A 3V @ 40mA, 4A 2V @ 8mA, 2A

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Paesi comuni Riferimento del tempo logistico
Regione Paese Tempo logistico (giorno)
America stati Uniti 5
Brasile 7
Europa Germania 5
Regno Unito 4
Italia 5
Oceania Australia 6
Nuova Zelanda 5
Asia India 4
Giappone 4
Medio Oriente Israele 6
DHL e FedEx Spedizione addebita riferimento
Accuse di spedizione (kg) Riferimento DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
Nota:
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