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CasaCentro di prodottiProdotti a semiconduttore discretiTransistor-bipolare (BJT)-singoloMJD112T4G
MJD112T4G Image
Le immagini sono solo di riferimento, si prega di fare riferimento alle specifiche per ulteriori informazioni sul prodotto.

MJD112T4G - onsemi

fabbricante Modello di prodotti
MJD112T4G
fabbricante
onsemi
Allelco Modello di prodotti
32D-MJD112T4G
Modello ECAD
Descrizione delle parti
TRANS NPN DARL 100V 2A DPAK
Descrizione dettagliata
Pacchetto
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Scheda dati
MJD112,117.pdf
Stato RoHS
In magazzino: 135450

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Quantità

Specifiche

Specifiche tecnologiche MJD112T4G
Specifiche tecniche onsemi - MJD112T4G, attributi, parametri e parti con specifiche simili ad onsemi - MJD112T4G

Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
fabbricante onsemi  
Tensione - rottura collettore-emettitore (max) 100 V  
Vce saturazione (max) a Ib, Ic 3V @ 40mA, 4A  
Tipo transistor NPN - Darlington  
Contenitore dispositivo fornitore DPAK  
Serie -  
Potenza - Max 20 W  
Contenitore / involucro TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63  
Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
Pacchetto Tape & Reel (TR)  
temperatura di esercizio -65°C ~ 150°C (TJ)  
Tipo montaggio Surface Mount  
Frequenza - transizione 25MHz  
Guadagno in corrente cc (hFE) (min) @ Ic, Vce 1000 @ 2A, 3V  
Corrente - Cutoff collettore (max) 20µA  
Corrente - collettore (Ic) (max) 2 A  
Numero di prodotto di base MJD112  

Componenti con specifiche simili

Le tre parti sulla destra hanno specifiche simili a quelle di onsemi MJD112T4G

Proprietà del prodotto MJD112T4G MJD112G MJD112TF MJD117
Modello di prodotti MJD112T4G MJD112G MJD112TF MJD117
fabbricante onsemi onsemi Fairchild Semiconductor onsemi
Serie - - - -
temperatura di esercizio -65°C ~ 150°C (TJ) -65°C ~ 150°C (TJ) 150°C (TJ) -65°C ~ 150°C (TJ)
Corrente - collettore (Ic) (max) 2 A 2 A 2 A 2 A
Frequenza - transizione 25MHz 25MHz 25MHz 25MHz
Pacchetto Tape & Reel (TR) Tube Bulk Tube
Contenitore dispositivo fornitore DPAK DPAK D-Pak DPAK
Numero di prodotto di base MJD112 MJD112 MJD11 MJD11
Tipo montaggio Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Tensione - rottura collettore-emettitore (max) 100 V 100 V 100 V 100 V
Guadagno in corrente cc (hFE) (min) @ Ic, Vce 1000 @ 2A, 3V 1000 @ 2A, 3V 1000 @ 2A, 3V 1000 @ 2A, 3V
Corrente - Cutoff collettore (max) 20µA 20µA 20µA 20µA
Tipo transistor NPN - Darlington NPN - Darlington NPN - Darlington PNP - Darlington
Contenitore / involucro TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Vce saturazione (max) a Ib, Ic 3V @ 40mA, 4A 3V @ 40mA, 4A 3V @ 40mA, 4A 3V @ 40mA, 4A
Potenza - Max 20 W 1.75 W 1.75 W 1.75 W

MJD112T4G Data foglio dati PDF

Scarica la scheda tecnica MJD112T4G PDF e la documentazione onsemi per MJD112T4G - onsemi.

Informazioni ambientali
onsemi RoHS.pdf
Assemblaggio/origine PCN
Assembly /Test Change 11/Apr/2023.pdf
Schede tecniche
MJD112,117.pdf

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Paesi comuni Riferimento del tempo logistico
Regione Paese Tempo logistico (giorno)
America stati Uniti 5
Brasile 7
Europa Germania 5
Regno Unito 4
Italia 5
Oceania Australia 6
Nuova Zelanda 5
Asia India 4
Giappone 4
Medio Oriente Israele 6
DHL e FedEx Spedizione addebita riferimento
Accuse di spedizione (kg) Riferimento DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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