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CasaCentro di prodottiProdotti a semiconduttore discretiTransistor-bipolare (BJT)-singoloKSC1008GTA
Fairchild Semiconductor
Le immagini sono solo di riferimento, si prega di fare riferimento alle specifiche per ulteriori informazioni sul prodotto.

KSC1008GTA - Fairchild Semiconductor

fabbricante Modello di prodotti
KSC1008GTA
fabbricante
Fairchild (onsemi)
Allelco Modello di prodotti
32D-KSC1008GTA
Modello ECAD
Descrizione delle parti
TRANS NPN 60V 0.7A TO92-3
Descrizione dettagliata
Pacchetto
TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
Scheda dati
KSC1008GTA.pdf
Stato RoHS
In magazzino: 4500

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Quantità

Specifiche

Specifiche tecnologiche KSC1008GTA
Specifiche tecniche Fairchild Semiconductor - KSC1008GTA, attributi, parametri e parti con specifiche simili ad Fairchild Semiconductor - KSC1008GTA

Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
fabbricante Fairchild (onsemi)  
Tensione - rottura collettore-emettitore (max) 60 V  
Vce saturazione (max) a Ib, Ic 400mV @ 50mA, 500mA  
Tipo transistor NPN  
Contenitore dispositivo fornitore TO-92-3  
Serie -  
Potenza - Max 800 mW  
Contenitore / involucro TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads  
Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
Pacchetto Bulk  
temperatura di esercizio 150°C (TJ)  
Tipo montaggio Through Hole  
Frequenza - transizione 50MHz  
Guadagno in corrente cc (hFE) (min) @ Ic, Vce 200 @ 500mA, 2V  
Corrente - Cutoff collettore (max) 100nA (ICBO)  
Corrente - collettore (Ic) (max) 700 mA  
Numero di prodotto di base KSC1008  

Componenti con specifiche simili

Le tre parti sulla destra hanno specifiche simili a quelle di Fairchild Semiconductor KSC1008GTA

Proprietà del prodotto KSC1008GTA KSC1173YTU KSC1008YTA KSC1008OBU
Modello di prodotti KSC1008GTA KSC1173YTU KSC1008YTA KSC1008OBU
fabbricante Fairchild Semiconductor onsemi Fairchild Semiconductor Fairchild Semiconductor
Vce saturazione (max) a Ib, Ic 400mV @ 50mA, 500mA 800mV @ 200mA, 2A 400mV @ 50mA, 500mA 400mV @ 50mA, 500mA
Contenitore / involucro TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads TO-220-3 TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
temperatura di esercizio 150°C (TJ) 150°C (TJ) 150°C (TJ) 150°C (TJ)
Corrente - Cutoff collettore (max) 100nA (ICBO) 1µA (ICBO) 100nA (ICBO) 100nA (ICBO)
Tipo montaggio Through Hole Through Hole Through Hole Through Hole
Frequenza - transizione 50MHz 100MHz 50MHz 50MHz
Numero di prodotto di base KSC1008 KSC1173 - KSC1008
Corrente - collettore (Ic) (max) 700 mA 3 A 700 mA 700 mA
Tipo transistor NPN NPN NPN NPN
Guadagno in corrente cc (hFE) (min) @ Ic, Vce 200 @ 500mA, 2V 120 @ 500mA, 2V 120 @ 50mA, 2V 70 @ 50mA, 2V
Potenza - Max 800 mW 10 W 800 mW 800 mW
Contenitore dispositivo fornitore TO-92-3 TO-220-3 TO-92-3 TO-92-3
Pacchetto Bulk Tube Bulk Bulk
Tensione - rottura collettore-emettitore (max) 60 V 30 V 60 V 60 V
Serie - - - -

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Paesi comuni Riferimento del tempo logistico
Regione Paese Tempo logistico (giorno)
America stati Uniti 5
Brasile 7
Europa Germania 5
Regno Unito 4
Italia 5
Oceania Australia 6
Nuova Zelanda 5
Asia India 4
Giappone 4
Medio Oriente Israele 6
DHL e FedEx Spedizione addebita riferimento
Accuse di spedizione (kg) Riferimento DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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