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CasaCentro di prodottiProdotti a semiconduttore discretiTransistor-bipolare (BJT)-singoloKSC1173YTU
KSC1173YTU Image
Le immagini sono solo di riferimento, si prega di fare riferimento alle specifiche per ulteriori informazioni sul prodotto.

KSC1173YTU - onsemi

fabbricante Modello di prodotti
KSC1173YTU
fabbricante
onsemi
Allelco Modello di prodotti
32D-KSC1173YTU
Modello ECAD
Descrizione delle parti
TRANS NPN 30V 3A TO220-3
Descrizione dettagliata
Pacchetto
TO-220-3
Scheda dati
TO220B03 Pkg Drawing.pdf
KSC1173.pdf
In magazzino: 5370

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Quantità

Specifiche

Specifiche tecnologiche KSC1173YTU
Specifiche tecniche onsemi - KSC1173YTU, attributi, parametri e parti con specifiche simili ad onsemi - KSC1173YTU

Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
fabbricante onsemi  
Tensione - rottura collettore-emettitore (max) 30 V  
Vce saturazione (max) a Ib, Ic 800mV @ 200mA, 2A  
Tipo transistor NPN  
Contenitore dispositivo fornitore TO-220-3  
Serie -  
Potenza - Max 10 W  
Contenitore / involucro TO-220-3  
Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
Pacchetto Tube  
temperatura di esercizio 150°C (TJ)  
Tipo montaggio Through Hole  
Frequenza - transizione 100MHz  
Guadagno in corrente cc (hFE) (min) @ Ic, Vce 120 @ 500mA, 2V  
Corrente - Cutoff collettore (max) 1µA (ICBO)  
Corrente - collettore (Ic) (max) 3 A  
Numero di prodotto di base KSC1173  

Componenti con specifiche simili

Le tre parti sulla destra hanno specifiche simili a quelle di onsemi KSC1173YTU

Proprietà del prodotto KSC1173YTU KSC1507YTU KSC1009YTA KSC1008YTA
Modello di prodotti KSC1173YTU KSC1507YTU KSC1009YTA KSC1008YTA
fabbricante onsemi Fairchild Semiconductor onsemi Fairchild Semiconductor
Tipo montaggio Through Hole Through Hole Through Hole Through Hole
Vce saturazione (max) a Ib, Ic 800mV @ 200mA, 2A 2V @ 5mA, 50mA 700mV @ 20mA, 200mA 400mV @ 50mA, 500mA
Tipo transistor NPN NPN NPN NPN
Pacchetto Tube Tube Tape & Box (TB) Bulk
Tensione - rottura collettore-emettitore (max) 30 V 300 V 140 V 60 V
Potenza - Max 10 W 15 W 800 mW 800 mW
Guadagno in corrente cc (hFE) (min) @ Ic, Vce 120 @ 500mA, 2V 120 @ 10mA, 10V 120 @ 50mA, 2V 120 @ 50mA, 2V
Serie - - - -
Contenitore / involucro TO-220-3 TO-220-3 TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
temperatura di esercizio 150°C (TJ) 150°C (TJ) 150°C (TJ) 150°C (TJ)
Numero di prodotto di base KSC1173 - KSC1009 -
Corrente - Cutoff collettore (max) 1µA (ICBO) 100µA (ICBO) 100nA (ICBO) 100nA (ICBO)
Corrente - collettore (Ic) (max) 3 A 200 µA 700 mA 700 mA
Frequenza - transizione 100MHz 80MHz 50MHz 50MHz
Contenitore dispositivo fornitore TO-220-3 TO-220-3 TO-92-3 TO-92-3

KSC1173YTU Data foglio dati PDF

Scarica la scheda tecnica KSC1173YTU PDF e la documentazione onsemi per KSC1173YTU - onsemi.

Informazioni ambientali
onsemi REACH.pdf onsemi RoHS.pdf
Schede tecniche
TO220B03 Pkg Drawing.pdf KSC1173.pdf
PCN Obsolescence/ EOL
Multiple Devices 14/Mar/2011.pdf
PCN Design/Specifica
Materials 29/Nov 2007.pdf

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Paesi comuni Riferimento del tempo logistico
Regione Paese Tempo logistico (giorno)
America stati Uniti 5
Brasile 7
Europa Germania 5
Regno Unito 4
Italia 5
Oceania Australia 6
Nuova Zelanda 5
Asia India 4
Giappone 4
Medio Oriente Israele 6
DHL e FedEx Spedizione addebita riferimento
Accuse di spedizione (kg) Riferimento DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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